【課題】 半導体ウェハの劈開に伴う損傷を抑制すること。
【解決手段】 本半導体装置の製造方法は、第１領域２０Ａと、第１領域２０Ａに隣接する第２領域２０Ｂと、第２領域２０Ｂに隣接する第３領域２０Ｃとを有する半導体基板２０の裏面上に、第１領域２０Ａ及び第２領域２０Ｂの境界線である第１境界線２２ａの少なくとも一部と、第２領域２０Ｂ及び第３領域２０Ｃの境界線である第２境界線２２ｂの少なくとも一部とを覆うように、金属または樹脂からなる連結層４２を形成する工程と、半導体基板２０の裏面側から第１境界線２２ａに沿って力を加えることにより、第１領域２０Ａと第２領域２０Ｂとを劈開により分割する工程と、半導体基板２０の裏面側から第２境界線２２ｂに沿って力を加えることにより、第２領域２０Ｂと第３領域２０Ｃとを劈開により分割する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることができ、かつ高出力である発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１００は、第１利得領域１６０の第１面１０５側の端面１７０と、第３利得領域１６４の第１面１０５側の端面１７４とは、第１面１０５に設けられた重なり面１８０において重なっており、第２利得領域１６２の第２面１０７側の端面１７３と、第３利得領域１６４の第２面１０７側の端面１７５とは、第２面１０７に設けられた重なり面１８２において重なっており、第１面１０５側の重なり面１８０、および第２面１０７側の重なり面１８２において、複数の利得領域１６０，１６２，１６４で生じる光は、反射され、第１利得領域１６０の第２面１０７側の端面１７１、および第２利得領域１６２の第１面１０５側の端面１７２において、複数の利得領域１６０，１６２，１６４に生じる光は、出射される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォワードバイアスが印加されると光ゲインを発生する活性要素を有する活性セクション１０６と、吸収セクション２０６と、前記活性セクションおよび前記吸収セクションを含むウエイブガイド１０３と、光に対する帰還を供給するミラー１１６、１１７を備え、前記ウェイブガイドは、前記ミラーの間に配置され、また、装置は、パルスレーザ光を放射するパルス体制において動作可能であるデータ伝送光電子装置３００に関する。
【解決手段】本発明は、追加の変調器３０６と、電子光効果により変調可能である屈折率と、前記変調器の屈折率の変調を提供するための手段２１３を有している、追加の変調器の屈折率は、出力パルスレーザ光の繰り返し周波数が変化するように変えられ、また、前記ウェイブガイド１０３は、更に、前記追加の変調器３０６を含む。 （もっと読む）

【課題】 超音波を利用してより効率的に分布帰還型の動作を実現可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１は、半導体基板１０と、半導体基板上に設けられ、活性層２３Ａ，２３Ｂを含むレーザ構造部２７及びレーザ構造部上に設けられるコンタクト層２８を有する半導体積層体２０と、レーザ構造部の光軸方向に伝搬する超音波を半導体積層体に供給する超音波供給手段３０とを備え、レーザ構造部は、活性層で生成され伝搬してきた光の少なくとも一部を吸収する吸収損失層２２Ａ，２２Ｂを有し、レーザ構造部が活性層のみから構成されているとしたときに、半導体基板１０の主面１０ａと略直交する方向におけるそのレーザ構造部内の第１及び第２の領域であり超音波の伝搬に伴うキャリア密度の変化の変化パターンが互いに反対の第１及び第２の領域のうち第１の領域に活性層が配置され、第２の領域に吸収損失層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】短波長半導体レーザにおいて、導波路内を水平方向に光が進むことにより高い出力が得られ、２次元配列が可能な可視領域波長の傾斜面集積型レーザを接合面下向き組み立てにより実装可能とする。
【解決手段】半導体基板の一主面上に設けた薄膜結晶により形成され、その一主面に垂直な半導体基板方向に光を放射する機能を有する半導体発光素子と、半導体基板の他主面より一主面に向かって薄膜結晶に到達する、もしくは光が透過するに十分な厚みの半導体基板を残して近接する孔部を形成し、該孔部より光を出射する半導体素子であって、この孔部に対向する基板表面には発光素子の通電を必要としない構成部分が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高効率で、素子サイズが小さく高密度集積が可能で安価に大量生産でき、形成の制御性に優れ、電子デバイスとの融合性に優れた微小共振器型光源を提供する。
【解決手段】微小共振器型光源は、光伝播方向と垂直な断面が矩形である、励起光導入用の第一コア３１と、光伝播方向と垂直な断面が矩形でかつ平面視円形の光共振器を構成する第二コア３２と、光伝播方向と垂直な断面が矩形である、第二コア３２からの光導出用の第三コア３３と、第一コア３１、第二コア３２および第三コア３３を覆うクラッドとを備える。第二コア３３は、発光源となる物質が添加され、発光波長に対してウィスパーリングギャラリーモード条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ端面に形成される反射膜を構成する誘電体膜の膜厚や屈折率が変動しても、反射率を安定に制御できる半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ装置は、屈折率が３．５以下であるＧａＮ基板１と、基板１の上に積層された半導体層とを備えるとともに、積層方向に対し垂直な方向に対向する一対の共振器端面を有する。一方の共振器端面には低反射膜６が設けられており、低反射膜６は、第１の誘電体膜８と、第２の誘電体膜９と、第３の誘電体膜１０と、第４の誘電体膜１１とからなる。これらの屈折率をｎ_１、ｎ_２、ｎ_３、ｎ_４とすると、ｎ_１＝ｎ_３、ｎ_２＝ｎ_４である。また、第１の誘電体膜８および第３の誘電体膜１０と、第２の誘電体膜９および第４の誘電体膜１１との間には、ｎｄ＋ｎ′ｄ′＝ｐλ／４（ｐ：整数、λ：レーザ光の発振波長）の関係が成立する。 （もっと読む）

【課題】従来の、特に活性層に高濃度にアルミニウムを含む半導体レーザでは、レーザ駆動動作に伴う端面劣化が著しく、高信頼化が困難であった。
【解決手段】共振器の端面に半導体に隣接して酸素欠乏状態の酸化アルミニウム膜を形成する。
【効果】本発明により、端面劣化を抑制することが出来るので、端面劣化を起こすことなく高温長時間動作を行うことが出来るようになり、低コストで高信頼性の半導体レーザを作製出来る。 （もっと読む）

【課題】光電子素子の性能を改善すること、またはＢＲＳ構造に優先的に統合されるだけでなく、他の任意のタイプのストライプ構造にも適した新規のタイプの格子によって、新規の機能性を得る。
【解決手段】光電子デバイスは、少なくとも１つの埋め込み導波路と、機構を含む細長いストライプ形状の、格子層と呼ばれる層とを含むストライプ構造であって、各機構がほぼ矩形形状を有し、機構の長さが格子層のストライプの長さ方向にほぼ直角であり、前記層が導波路を伝搬する光波との光結合を提供するように配置され、特定の機構の長さが導波路の幅より実質的に小さいストライプ構造である。 （もっと読む）

【課題】スペックルを抑制できる構造のレーザディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】キャビティ長ほど離隔配置されて共振器を構成する第１ミラー及び第２ミラーを備える半導体レーザと、第１ミラーを透過して照射された光を変調してスクリーンに映像を提供する空間変調器と、を備え、半導体レーザのコヒーレンス長ｌ_ｃ及び有効反射率Ｒのそれぞれが下記（１）及び（２）式で定義されるとき、ｌ_ｃは、０＜ｌｃ≦０．８５（ｃｍ）を満たすことを特徴とするレーザディスプレイ装置である。


ここで、ｄはキャビティ長、Ｒ_１は第１ミラーの反射率、Ｒ_２は第２ミラーの反射率である。 （もっと読む）

【課題】 簡易な機構でホログラムの多重記録を行う、または多重記録されたホログラムを再生することのできるホログラム装置を提供する。
【解決手段】 光発生器１からの光をホログラム４が形成された記録媒体３に入射させて情報を再生するホログラム装置において、光発生器１は基板１０と基板１０上に複数配置された発光部１１、１１とで構成し、発光部１１は単一モードのレーザ光より広い波長帯域幅を有するレーザ光を発振するレーザ発振部からなり、光発生器１と記録媒体３の間には各発光部１１、１１からの複数の光を記録媒体３の略同じ位置に集光する集光手段２を設けてなる。 （もっと読む）

レーザ媒体と、共振器のどちらかの端面にファセット（１７）の形態で一次光帰還手段とを有するレーザ共振器であって、縦方向に延びる光路を構成し、二次光帰還手段がレーザ共振器内に複数の屈折率摂動（１６、２２）によって形成され、各摂動は２つの境界面（２０、２１）を構成し、少なくとも１つの摂動のために、２つの境界面の少なくとも１つだけが光路に沿う光帰還に寄与することを特徴とするレーザ共振器を備える半導体レーザ（１０）である。本発明は、単一縦モードデバイスを作製するためのリソグラフィの許容誤差を緩和し、性能特性を改善する。

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