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Fターム[5F173AB49]の内容

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Fターム[5F173AB49]に分類される特許

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【課題】ハイブリッド型エバネッセント・レーザーを電気的にポンピングする装置および方法を提供する。
【解決手段】能動半導体材料が、光導波路と能動半導体材料との間のエバネッセント結合界面を画定する光導波路の上に配置され、それにより、光導波路によって案内されるべき光モードは光導波路および能動半導体材料両方に重なる。電流注入経路が能動半導体材料を通じて画定され、光モードに少なくとも部分的に重なる。それにより、光モードに少なくとも部分的に重なる電流注入経路に沿った電流注入に応答した能動半導体材料の電気的ポンピングに応答して光が生成される。 (もっと読む)


【課題】本願発明は、ディスク状の光共振器を備えた発光素子において、発光のメカニズムを解明することによって、新たな構造を提案してレーザ発振の可能な発光素子を実現することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、基板上に積層されたディスク状の光共振器を備える発光素子であって、前記光共振器は光を伝搬させる半導体からなるコアと前記コアに対して積層方向の前記基板側又はその反対側のうち少なくとも前記基板側に積層されたクラッドとを有し、前記コアは少なくともディスク外周側が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われており、前記クラッドはディスク外周側の一部が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われていることを特徴とする発光素子である。 (もっと読む)


【課題】各種光能動素子を低コスト、高歩留まりで実装し、光ネットワークにて要求され
る集積光デバイスを迅速に提供する。
【解決手段】波長可変レーザは、基板上に形成された平面型光導波路によって形成される共振器と、前記共振器の共振波長を調整する共振波長調整部と、前記基板上に取り付けられ、前記平面型光導波路と結合された光導波路を備えた複数の光素子とを備える。 (もっと読む)


【課題】狭スペクトル線幅を有し、且つ、コンパクトな半導体レーザ光源を提供する。
【解決手段】光増幅作用を有する半導体光増幅媒体中に波長選択性を有する回折格子101を導入したDFBレーザ102と、このDFBレーザ102の外部に設けた波長選択性を有する外部共振器としてのリング共振器103とを備えて、DFBレーザ102の共振器長を延伸し、リング共振器103からの戻り光がDFBレーザ102へ負帰還する構成とする。ことによって、DFBレーザ102の共振器長延伸によるスペクトル線幅低減効果と、リング共振器103からDFBレーザ102への戻り光による負帰還効果とが同時に得られる。 (もっと読む)


【課題】光信号の伝送効率を向上できる半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第1半導体層と、レーザ共振器と、を備える。第1半導体層は、第1部分と、第1部分に並置された第2部分と、を有する。レーザ共振器は、第1部分の上に設けられ、第1半導体層の主面に沿って周回するリング状の共振器構造を有する。第2部分は、レーザ共振器から放出される光を導波する。 (もっと読む)


【課題】構造の簡素化が図られた多光周波数発生光源を提供する。
【解決手段】多光周波数発生光源は,光共振器と,前記光共振器内に配置され,発生する光周波数が互いに異なり,かつ光学的,電気的に結合されない複数の微少発光体を含む発光部材と,前記光共振器内に前記発光部材と共に配置され,複数または単一の光周波数を選択するための光学部材とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 分散チューニングによる波長掃引では共振器内の分散が必須なため、光の周回時間と変調周波数のFM変調を同期させた高速波長掃引の達成が難しかった。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する変調手段と、を備え、該変調手段の変調周波数に応じて光パルスの発振波長を掃引変化させる光源装置であって、
前記光共振器内を周回する光の前記波長分散に起因する遅延を含んだ光パルス列の時間的推移に呼応して、前記変調周波数の変化割合を推移させ、前記発振波長を掃引変化させることを特徴とする光源装置。 (もっと読む)


【課題】狭線幅特性を得ることができ、かつ長期的信頼性に優れた半導体レーザ光源を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ10は、光共振器12を備えた光ファイバ通信用波長可変半導体レーザ光源であって、光共振器が、光共振器の発振するレーザ光の位相を回転させる位相回転部と、レーザ光の位相についての発振条件を制御する位相制御部とを含み、位相回転部が、レーザ光を発振する利得領域16と、光共振器の発振周波数と等しい共振周波数を持つ第1のスルーポートリング共振器19とが接続されて構成される。さらに位相制御部が、光フィルタからなる波長選択機構17と、光フィルタを通過した光を全反射する反射鏡15とを含む。 (もっと読む)


【課題】雑音の誘発を抑制する半導体光装置を提供すること。
【解決手段】光を増幅する第1光素子2と、第1光素子2の一端面から入射する光から所定波長帯域の光を選択する第2光素子13と、第2光素子13と第1光素子2を光結合させる第1の光導波路22と、第1光素子2の他端面から入射する光を反射する反射鏡38と、反射鏡38と第1光素子2を光結合させる光第2の導波路37とを備える光共振器2,38、13と、光共振器2、38、13に光結合される光出力部24aとを有し、第2の光導波路37が光ファイバを有することを特徴とする半導体光装置。 (もっと読む)


【課題】逆メサ方向で直線状に形成された直線導波路部と、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部とを具備する光半導体装置であって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体レーザ11が、活性層102を具備するものであり、導波路部12が、活性層102と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層115を具有するものであり、半導体レーザ11がメサ構造で形成され、導波路部12がメサ構造で形成されると共に、導波路部12のメサ構造が半導体レーザ11のメサ構造よりも低く形成され、半導体レーザ12のメサ構造の側部に半導体層122が積層される一方、導波路部12のメサ構造が半導体層122で埋め込まれるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、長期信頼性を確保しながら、狭線幅化と小型化を実現することができる半導体レーザを提供することである。
【解決手段】本発明の半導体レーザは、基板と、基板上に形成されたファブリ・ペロ共振器と、を備え、ファブリ・ペロ共振器の内部には、利得領域と、利得領域と結合する光導波路と、1又は2以上のリング共振器のドロップ・ポートからなる光フィルタと、が配置され、リング共振器は、方向性結合器を介して光導波路に結合し、光フィルタのディチューニング量をφ、利得領域の線幅増大係数をα、方向性結合器の結合係数をkをとした場合、ディチューニング量が、下記式を満たす。

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【課題】半導体光装置において温度が変化しても出力光の変動を抑制する。
【解決手段】半導体光装置1は、半導体光増幅器2と光波長選択素子3とを有し、光波長選択素子3は第1の光導波路21と、第1の光導波路21の結合導波路32に光学的に結合されるリング共振器22を有する。さらに、リング共振器22と光学的に結合される結合導波路41を含む第2の光導波路23が設けられており、第2の光導波路23には、波長選択反射鏡24が形成されている。波長選択反射鏡24は、垂直回折格子25からなり、リング共振器22で選択された共振モードのピークのうち、1つの共振モードのピークの波長を有する光を反射する。 (もっと読む)


【課題】簡便な構造で雑音特性の改善を図ることが可能となる半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】基板上に、活性層を含む複数の半導体層が積層された構造を備え、活性層における光導波路の入射側から出射側に信号光を増幅しながら導波する一方、
活性層に対し、外部光照射手段により外部光を照射して該活性層内のキャリア数を減少させるようにした半導体光増幅器であって、
外部光照射手段は、光導波路において信号光を導波する方向と直交する方向に、外部光が照射可能に構成されると共に、
外部光照射手段により外部光を活性層に照射するに当たり、光導波路における信号光の入射側では強い光強度で、光導波路における信号光の出射側では弱い光強度で照射可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】連続的に可変するテラヘルツ波を発生、検出できるテラヘルツ波装置を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波装置300は、固定された第1波長を有する第1レーザー光を発振する波長固定レーザー310と、可変する第2波長を有する第2レーザー光を発振する波長スイープレーザー320と、前記第1レーザー光と前記第2レーザー光を結合させるカプラー330と、前記カプラーで放出された混合光をテラヘルツ波に変換する発生器340と、を含み、テラヘルツ波の周波数が連続的に可変されるように構成される。また、連続的に周波数が可変されるテラヘルツ波を検出する検出器を含み、高速テラヘルツ波の分光が可能である。 (もっと読む)


【課題】半導体光素子間の光学的な接続損失を低減可能な、半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】第1の部分6a及び第1のエリア1bと第2のエリア1cとの境界L1を横切るように配置される第2の部分6bを含むマスク6を形成し、マスク6を用いてエッチングし、第1の導波路メサ7及び半導体メサ8を形成し、第1の導波路メサ7及び半導体メサ8を埋め込み、第1の部分11a及び半導体メサ上で第1の部分11aと接続された第2の部分11bを含むマスク11を形成し、マスク11を用いてエッチングし、第2の部分11bにより規定される第2の導波路メサ12を形成する。第2の部分6bの幅は、x軸の方向に単調に広くなっており、第2の部分11bの幅W2は、少なくとも第2の部分6bの幅W1よりも狭い。 (もっと読む)


【課題】 ジッタ特性に優れた能動モード同期動作をし得、波長確定精度の高い波長可変光源を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光増幅媒体と波長分散を有する導波路とを共振器内に備えた発振波長を変化可能な第一の光源装置と、前記導波路に接続され変調光としてパルス光を前記第一の光源装置に導入する第二の光源装置と、を具備した波長可変光源装置であって、前記変調光により前記発振波長を相互利得変調による能動モード同期によって制御するとともに、前記変調光のパルス幅が、該変調光を発生させる駆動信号の半周期の時間幅よりも狭い時間幅を持つ波長可変光源装置。 (もっと読む)


【課題】 高速波長掃引が可能でありかつ広帯域な波長掃引範囲を持つ光源の実現が困難であった。
【解決手段】 光を増幅させる複数の増幅媒体と、光導波路と、を有する光共振器を備えた光源装置であって、前記複数の増幅媒体の増幅率を個別に制御する制御部を有し、前記複数の増幅媒体は、互いに異なる最大利得波長を有すると共に、その増幅帯域は互いにその一部が重複し、且つ、前記増幅率の制御により前記複数の増幅媒体による総合利得が最大となる波長を可変としたことを特徴とする光源装置。 (もっと読む)


【課題】低損失であり、かつ広い波長可変域を有する生産が容易な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】波長可変レーザは、利得領域と、利得領域からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域と、利得領域とフィルタ領域との間の位相調整領域と、出力端面とを備える。フィルタ領域は、ループミラーとして機能するサニャック干渉計であり、2×2光カプラ及び光導波路で構成されるリング共振器1及び2がループ内に配置された構成をとる。リング共振器1及び2は、光導波路により直接接続され、直列に配置されている。リング共振器1及び2は、互いに異なるFSRを有することにより波長可変域を拡大させている。2×2光カプラとリング共振器1及び2の接続、並びにリング共振器1及び2の間の接続にハイメサ光導波路を用いる。また、低損失かつ容易に作製可能なMMI光カプラを、リング共振器1及び2の光結合部分と2×2光カプラに用いる。 (もっと読む)


【課題】飽和特性により利得が減少することを抑制することができ、変調速度の高速化を図ることが可能となる半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に配された半導体による光増幅媒体とを有し、該光増幅媒体に入力される光信号を増幅する半導体光増幅器であって、
前記基板上に、前記光増幅媒体を光励起するための複数の半導体レーザが、該光増幅媒体に近接配置されている構成とする。その際、これらの複数の半導体レーザは、前記光増幅媒体の光導波方向と直交する方向から励起光を照射可能に配置される。 (もっと読む)


【課題】出力波長が大きく変動するような状態であっても本来の出力波長を維持できる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、半導体基板上に設けられ、利得導波路を含む第1の光導波路を有するレーザダイオード(半導体レーザ領域10)と、第1の光導波路と光結合された3つのフォトダイオード(2つのフォトダイオード構造22及び一つのフォトダイオード素子)と、一つのフォトダイオード構造22と第1の光導波路との間に光結合されたリング共振器(光導波路213)と、フォトダイオード素子と第1の光導波路との間に光結合されたエタロンフィルタとを備える。そして、リング共振器(光導波路213)の波長−透過率特性の繰り返し周期は、エタロンフィルタの波長−透過率特性の繰り返し周期より長く設定されている。 (もっと読む)


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