【課題】共振器長を短くすることができると共に、出力光へのＡＳＥ光の混入を抑制してＳＮ比を向上させることができ、
製作時に反射膜が剥がれることを抑制して、正確な形状の反射膜の形成が可能となる波長掃引光源装置及び該光源装置を備える光断層画像撮像装置を提供する。
【解決手段】部分反射ミラーと走査ミラーとによる共振器によって、走査ミラーで選択された波長の光がレーザー発振されるように構成された波長掃引光源装置であって、
前記走査ミラーは、円盤形状の基板上に該円盤形状の円周に沿って等間隔に形成された等幅のスリット状のミラーによって構成され、
前記スリット状のミラーは、前記円盤形状の基板上に成膜された反射膜上における遮光膜の前記ミラーとなる部分を除去することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】所望のスペクトル線幅および所望の光強度のレーザ光を出力できる集積型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をＮ、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬdfb、Δν０とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬsoa、Ａ、Δνとし、Δν／Δν０をＲとすると、所定の関係式が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】従来構造における活性導波路層と非活性導波路層の屈折率差の制限を回避することが可能となり、設計の自由度が向上し、活性導波路層と非活性導波路層とをそれぞれに適した層構造とすることが可能な波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】第一のレーザ部Ａ₁と、第二のレーザ部Ａ₂とを備えた分布活性DFBレーザにおいて、活性導波路層１２及び非活性導波路層１３の全長にわたって回折格子１５が形成され、活性導波路層１２と非活性導波路層１３との接合面に対応する回折格子１５の位置に位相シフト量Ω_BJの位相シフト２０を挿入し、第一のレーザ部Ａ₁と第二のレーザ部Ａ₂との接続部に対応する回折格子１５の位置に位相シフト量Ω_Cの位相シフト２１を挿入した。 （もっと読む）

【課題】選択成長時のマスク近傍における屈折率変化の揺らぎに起因する意図しない位相シフトを低減し、特性劣化を防止することを可能とした波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成された活性導波路層１２の一部をエッチングし、活性導波路層１２とは組成または層構造が異なる非活性導波路層１３を選択成長することによって作製された二つのレーザ部Ａ１，Ａ２を有し、活性導波路層１２及び非活性導波路層１３の全長にわたって回折格子１５が形成され、選択成長時に生じる活性導波路層１２と非活性導波路層１３との間の屈折率変動に起因する−ΔΩの等価的な位相シフトに対して、活性導波路層１２と非活性導波路層１３との接合面に対応する回折格子１５の位置に位相シフト量ΔΩの補正位相シフトを挿入した。 （もっと読む）

【課題】低損失であり、かつ広い波長可変域を有する生産が容易な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】波長可変レーザは、利得領域と、利得領域からの光に対する波長選択機能を有するフィルタ領域と、利得領域とフィルタ領域との間の位相調整領域と、出力端面とを備える。フィルタ領域は、ループミラーとして機能するサニャック干渉計であり、２×２光カプラ及び光導波路で構成されるリング共振器１及び２がループ内に配置された構成をとる。リング共振器１及び２は、光導波路により直接接続され、直列に配置されている。リング共振器１及び２は、互いに異なるＦＳＲを有することにより波長可変域を拡大させている。２×２光カプラとリング共振器１及び２の接続、並びにリング共振器１及び２の間の接続にハイメサ光導波路を用いる。また、低損失かつ容易に作製可能なＭＭＩ光カプラを、リング共振器１及び２の光結合部分と２×２光カプラに用いる。 （もっと読む）

【課題】大きな特性劣化を抑制しつつ、発振を継続させることが可能な波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板上に、活性導波路層と非活性導波路層とを交互に周期的に繰り返し形成してなる構造を有し、活性導波路層及び非活性導波路層の全長にわたって回折格子が形成され、活性導波路層と非活性導波路層の接合面が理想的に形成された場合に共振器の位相条件を満たすために回折格子に挿入される位相シフトΩ_Cを共振器中に少なくとも一つ以上有し、電流を注入することにより非活性導波路層の屈折率を最大に変化させた状態において、非活性導波路層の屈折率と活性導波路層の屈折率との差が−０．０１以上０以下となるように、電流を注入する前の非活性導波路層の屈折率と活性導波路層の屈折率との差を設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に、出力波長が大きく変動するような状態であっても所望の出力波長を維持することが可能な波長固定レーザ及びその制御方法を提供する。
【解決手段】波長固定レーザ１Ａは、波長可変レーザダイオード３と、波長モニタ５とを備える。波長モニタ５は、第１リングフィルタ５１Ｆと、第２リングフィルタ５２Ｆとを有する。所定の波長領域において、第１リングフィルタ５１Ｆの周期的光透過特性はＮ周期変化し、第２リングフィルタ５２Ｆの周期的光透過特性はＮ−０．５周期以上、Ｎ周期未満変化する。第１リングフィルタ５１Ｆと第２リングフィルタ５２Ｆの透過率は、一のグリッド波長において他のグリッド波長における組み合わせとことなる固有の一の組み合わせを示す。 （もっと読む）

【課題】 広い波長選択幅を実現する半導体レーザおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、利得領域と光吸収領域とを備え、回折格子部とスペース部とからなるセグメントが前記利得領域および前記光吸収領域に対応して複数接続して設けられ、利得スペクトルのピーク波長が第１の周期を持つ第１回折格子領域を有し、前記光吸収領域は、ｎ´−ｉ×ｋで表される前記光吸収領域の複素屈折率ｎが変化したとき、−１０≦Δｎ´／Δｋ≦１０を満たす（ｎは前記光吸収領域の複素屈折率、ｉは虚数単位、ｋは消衰係数、Δｎ´はｎが変化した場合のｎ´の変化量、Δｋはｎが変化した場合のｋの変化量を示す）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光強度を向上したレーザ装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】第１のレーザと、第２のレーザと、外部共振器と、制御部と、を備えたレーザ装置が提供される。前記第１のレーザは、第１のレーザ光を出射する。前記第２のレーザは、第２のレーザ光を出射する。前記外部共振器は、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光とが入射される。前記制御部は、前記外部共振器の共振波長を制御して前記第１のレーザ光に共振させ、前記第２のレーザを制御して前記第２のレーザ光を前記外部共振器に共振させる。 （もっと読む）

【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】残渣による回折格子パターンの形成不良を低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】凹凸部４６ｂを設ける回折格子エリアは分離エリアに囲まれているので、回折格子エリア上の樹脂は分離エリアにおける平坦化樹脂層４８より厚くなる。このように厚さむらの平坦化樹脂層４８に起因して大きなパターン依存性を示さないように樹脂エッチングの条件を設定する必要があり、この場合において、厚さむらに起因する樹脂残渣が生成されるやすい。樹脂残渣の除去において、流量比Ｒ（フッ素系炭素の流量）／（酸素の流量）が１以下の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは小さく、流量比Ｒが１より大きい流量比の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは大きい。流量比Ｒが１以下の範囲であるとき、残渣処理における絶縁膜マスクの形状変化が小さい。 （もっと読む）

【課題】発振波長が可変な光源装置として、安価で作製が容易な構造であり、発振線幅を狭帯化することが可能となる光源装置を提供する。
【解決手段】半導体光増幅媒体の出射光をコリメートするコリメートレンズ１０２と、コリメートされた光束に、波長によって異なる角度分散を与える回折格子１０３と、角度分散を与えられた光束を波長により異なる位置に集光する集光レンズ１０４と、集光レンズによる焦点面内を走査して一部の波長の光を反射する反射部または透過する透過部を備えた波長選択手段と、を有する光源装置において、波長選択手段は、光学的パワーを有する等幅に形成された反射部あるいは透過部を、回転可能とされた円板形状の基板上に配置し、円板形状の基板の回転に伴い、集光レンズによる円板形状の基板表面上の集光スポットに対し、前記反射部または透過部で反射または透過される前記出射光の波長を変化させ、波長掃引光源として動作させる。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を抑制しつつ広帯域波長可変を実現することができる半導体レーザおよびレーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、複数の利得領域と複数の屈折率可変領域とが交互に配置された導波路と、前記導波路に対応して設けられた回折格子を備えた第１反射器と、前記利得領域に電流を注入するための電極と、前記屈折率可変領域の温度を制御するためのヒータと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザの発振波長を切り替える際に発生するクロストークを低減可能にした光通信システムを提供する。
【解決手段】
供給される電流に応じてキャビティモードの波長を変える位相制御領域、供給される電流に応じて共振ピークを変える波長制御領域、および、閾値以上の電流が供給されると、キャビティモードおよび共振ピークに一致する波長でレーザを発振する出力制御領域を含む波長可変レーザと、波長可変レーザから入力されるレーザを変調して光信号を出力する変調器と、変調器から入力される光信号の波長群を波長帯域毎に分類する複数のフィルタを含むアレイ導波路回折格子と、発振波長を切り替える旨の指示が入力されると、出力制御領域、位相制御領域および波長制御領域に供給する電流の値を制御することで、発振波長を変更先の波長に切り替える過程で発振波長をアレイ導波路回路格子での出力損失が大きくなる波長に制御する制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物からなる断熱層パターン上に良好な結晶性の光導波路を形成する。
【解決手段】 絶縁物からなる断熱層パターン２上に、断熱層パターン２から露出した基板１上の半導体結晶面１Ａを核としたエピタキシャル成長により、埋込層３を形成する。断熱層パターン２上には、埋込層３が横方向にエピタキシャル成長し、これによって断熱層パターン２が埋め込まれる。断熱層パターン２上にエピタキシャル成長によって埋込層３が形成できるので、断熱層パターン２上に半導体結晶からなる光導波路１０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ４００のフィルタ領域４２０は、第１のＭＺＩ４２１と第２のＭＺＩ４２２を並列配置し、２×２光カプラ４２３の２つの出力ポートに各々接続している。各ＭＺＩは、２つの２×２光カプラの間に、同一構造の２本のアーム導波路を有する対称ＭＺＩである。各アーム導波路は、一方の２×２光カプラの出力ポートに接続された第１のミラーと、第１のミラーと所定の長さ（第１のＭＺＩ４２１では第１の長さＬ１、第２のＭＺＩ４２２では第２の長さＬ２）の光導波路により接続され、他方の２×２光カプラの入力ポートに接続された第２のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の２×２光カプラの出力ポートには、反射率９０％以上の高反射ミラー４２４、４２５が設けられている。 （もっと読む）