【課題】動作波長を長波長化し得るとともに、利得異方性を十分に低減し得る量子半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成され、格子定数が半導体基板の格子定数より大きい量子ドット２０と、量子ドットの側面に接するように半導体基板の上方に形成され、格子定数が、半導体基板の格子定数の０．７９倍〜１．００５倍の範囲内であり、量子ドットの格子定数より小さく、ヤング率が、半導体基板のヤング率より小さいサイドバリア層２２とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＧが小さい光増幅器をえる。
【解決手段】入射光の入力及び出射光の出力を行う入出力部と、入出力部から入力された入射光の偏光成分を分岐して、第１の偏光を有する第１偏光モード光、及び、第１の偏光と異なる第２の偏光を有する第２偏光モード光を出力する偏光分離部と、第１偏光モード光が入力され、第１の偏光を第２の偏光に変換して、第１偏光変換光を出力する偏光変換部と、導波路の一方の端部に入力された第１偏光変換光が増幅されて他方の端部から出力され、他方の端部に入力された第２偏光モード光が増幅されて一方の端部から出力される、光増幅部と、を備え、光増幅部に入力される光の、単位強度当たりの利得の変化の絶対値が、０．１６ｄＢ／ｄＢｍ以下である半導体光増幅器を用いることにより、ＰＤＧ０．５ｄＢ以下の光増幅装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】１２μｍ以上、１８μｍ以下の波長を有する赤外線を出射可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、積層体と、誘電体層と、を有する。積層体は、量子井戸層を含む活性層を有し、リッジ導波路が設けられる。また、前記活性層は前記量子井戸層のサブバンド間光学遷移により１２μｍ以上、かつ１８μｍ以下の波長の赤外線レーザ光を放出可能な第１領域と、前記第１領域から注入されたキャリアのエネルギーを緩和可能な第２領域と、が交互に積層されたカスケード構造を有し、前記赤外線レーザ光を前記リッジ導波路が延在する方向に出射可能である。誘電体層は、前記リッジ導波路と直交する断面において、前記積層体の側面の少なくとも一部を両側から挟むように設けられる。前記誘電体層は、光の透過率が５０％に低下する波長が１６μｍ以上であり、前記活性層を構成するいずれの層の屈折率よりも低い屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】 ミスフィット転位の発生を抑制しつつ、量子ドットからの発光波長を長波長化することができる半導体装置の製造技術が望まれている。
【解決手段】 チャンバ内に単結晶基板を装填し、単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、Ｉｎ及びＡｓを含む量子ドットを形成する。チャンバ内で、量子ドットに、少なくともＡｓ_２分子線を照射しながら第１アニールを行う。 （もっと読む）

【課題】光の波長変換に伴う光や熱による特性低下や変質を抑制して、大きな光量を安定に出力できると共に、高速で光変調ができる光源装置を提供すること。
【解決手段】レーザダイオード１０と、該レーザダイオード１０から放射された励起光を導光する光ファイバ１４と、該光ファイバ１４により導光された励起光を所望の波長変換光に波長変換して出射する波長変換ユニット１６と、を備える光源装置において、波長変換ユニット１６を、少なくとも半導体部材２４を有するものとし、該半導体部材２４は、励起光を所望の波長変換光に変換する半導体活性層２８を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】
歪みの点から、光半導体装置の偏光無依存性、発光波長ないし吸光波長の長波長化に改良を与える。
【解決手段】
光半導体装置は、第１の格子定数を有する半導体基板と、半導体基板上方に形成され、第１の格子定数より大きな第２の格子定数を有する量子ドットと、半導体基板上方で量子ドットの側面を囲み、第１の格子定数より小さな第３の格子定数を有するサイドバリアと、半導体基板上方で量子ドット及びサイドバリアに接して形成され、第１の格子定数より大きく、前記第２の格子定数より小さな第４の格子定数を有する第１の歪み緩和層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、波長１０μｍを超える遠赤外領域の光を放射する高出力の半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、複数の量子井戸のサブバンド間における電子のエネルギー緩和により発光光を放射する半導体発光装置であって、前記発光光の放射方向に対して平行な方向に延在するストライプ状に設けられ、前記複数の量子井戸を含み１０μｍ以上の波長の前記発光光を放射する活性層と、前記ストライプ状の活性層の長辺に沿って少なくとも前記活性層の上下に設けられ、前記活性層よりも屈折率が低い１対のクラッド層と、を備え、前記クラッド層の少なくとも一部は、前記活性層と格子定数が異なる材料を含み、前記活性層に格子整合する材料を含む他の部分よりも前記発光光の波長における光吸収が相対的に低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】活性層２９は波長５００ｎｍ以上の光を発生するように設けられるので、コア半導体領域２９に閉じ込めるべき光の波長は長波長であり、２層構造の第１の光ガイド層２７と２層構造の第２の光ガイド層３１とを用いる。ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。これらの界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３において、ｃ面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 （もっと読む）

【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２とを含む。半導体積層構造２は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７と、これらのクラッド層１４，１７に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１５およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１６と、これらのガイド層１５，１６に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_{（１−ｙ）}Ａｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_{（１−ｘ４）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、キャリアの再捕獲、緩和時間を早め、熱的平衡状態を創出してスペクトル幅を狭小化する。
【解決手段】 活性層が量子ドットと前記量子ドットを上下方向で挟む面内全領域に形成される第１の半導体層及び第２の半導体層と、前記量子ドットの周囲に設けられた第３の半導体層とからなる量子ドット構造体を有し、前記量子ドット構造体を構成する第１の半導体層は、前記量子ドットと接する側と反対の面で第４の半導体層と接するとともに、前記量子ドット構造体を構成する第２の半導体層は、前記量子ドットと接する側と反対の面で第５の半導体層と接し、前記第１の半導体層及び第２の半導体層の禁制帯幅は、量子ドットの禁制帯幅と同じか或いは大きく、前記第３の半導体層の禁制帯幅は、前記量子ドット、前記第１の半導体層及び第２の半導体層の禁制帯幅より大きく、前記、第４の半導体層及び前記第５の半導体層の禁制帯幅は、前記第１の半導体層及び第２の半導体層の禁制帯幅より大きくする。 （もっと読む）

【課題】水平共振器型半導体レーザを用いて、垂直共振器型波長可変レーザが作製できなかった波長帯域が得られる波長可変レーザを実現する。
【解決手段】波長可変レーザにおいて、第１の半導体基板３２に形成された水平共振器型半導体レーザ３１と、第１の半導体基板の表面に設けられ平行方向の屈折率が周期的に変化されるＤＢＲミラー部３３と、第１の半導体基板の裏面がボンディングされて収納される切欠溝３６が設けられた第２の半導体基板３５と、水平共振器型半導体レーザに対向して前記第２の半導体基板に設けられ端面出射光を第１の半導体基板の表面に垂直方向に反射する４５度反射ミラー３７と、第２の半導体基板の表面にボンディングされる第３の半導体基板３８と、第３の半導体基板に設けられ４５度反射ミラーで反射された反射光を反射すると共に前記ＤＢＲミラー部と光共振器を形成し、共振器長が調節されるＭＥＭＳ可動ミラー３９と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造によって、局在プラズモン共鳴現象により所望のスペクトル特性を得ることが可能となる半導体発光素子等を提供する。
【解決手段】基板上に、電流注入により発光する活性層を含む複数の半導体層が積層された半導体発光素子であって、
前記活性層の近傍に、金属ドット層を備え、
前記金属ドット層は、所定の波長に対して局在プラズモン共鳴する大きさのドット径を有する複数の金属ドットが、前記基板と平行に配列されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層での発光波長を所望の波長となるように調整でき、歩留まりを向上させる半導体光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。再成長温度から再成長の際の短波長シフト量を予想し、最終的に得たいＧａＩｎＡｓＰ活性層３のＰＬ発光のピーク波長の値である１．４８μｍに、予想した短波長シフト量分を足した値１．５０μｍを求めておき、１．５０μｍのピーク波長が得られるようにＧａＩｎＡｓＰ量子井戸層の組成を設計しておく。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】高速光通信で所望される、１．３μｍ帯用で狭い帯域を増幅することができる光増幅器を実現する。
【解決手段】Ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、Ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２、量子ドット活性層３、Ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４、Ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５の順で構成される量子ドット構造を設け、前記活性層３を均一な量子ドットで構成することにより、波長１．３μｍ帯用の半値幅３０ｎｍ以下の狭帯域用半導体光増幅器を提供する。注入電流により、利得波長以外の波長を減衰させることができ、また偏向状態をスイッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】 広い波長範囲での発光を好適に得ることが可能な量子カスケードレーザを提供する。
【解決手段】 半導体基板と、基板上に設けられ、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。また、単位積層体１６は、そのサブバンド準位構造において、第１発光上準位Ｌ_ｕｐ１と、第２発光上準位Ｌ_ｕｐ２と、複数の発光下準位Ｌ_ｌｏｗとを有し、第１、第２上準位の一方は第１井戸層での基底準位に起因する準位であり、他方は第１井戸層を除く井戸層での励起準位に起因する準位である。また、第１上準位と第２上準位とのエネルギー間隔は、ＬＯフォノンのエネルギーよりも小さく設定され、第２上準位と高エネルギー準位Ｌ_ｈとのエネルギー間隔は、ＬＯフォノンのエネルギーよりも大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】演色性の高い半導体発光素子および発光装置を提供することを可能にする。
【解決手段】本実施形態による発光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｎ型ＧａＮ層と、前記ｎ型ＧａＮ層上に設けられ、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層と、前記発光層上に設けられたｐ型ＧａＮからなるコンタクト層と、を備え、前記障壁層および前記井戸層の平均屈折率が前記発光層の上下の層の平均屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】利得波長の短波長シフトを抑制できるとともに、多重量子井戸構造の設計の自由度が高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体からなり、主障壁層の間に井戸層が介挿された量子井戸構造を複数有する多重量子井戸構造を備えた光半導体装置において、前記主障壁層と前記井戸層との間に、前記主障壁層と略同一のバンドギャップエネルギーと、前記井戸層と同じＶ族組成とを有するように成長させた極薄障壁層を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速かつ波長分散耐性の高い伝送を行うための光変調信号生成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る光変調信号生成方法は、周波数変調信号を生成して出力する周波数変調光源と、強度変調信号を生成し、前記周波数変調信号を入力して、前記強度変調信号によって周波数変調信号に強度変調を付加する強度変調器とから構成される光変調信号生成装置を利用して光変調信号を生成する光変調信号生成方法であり、前記光変調信号生成装置は、前記周波数変調光源と前記強度変調器とを同一のビットパターンを用いて駆動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長波長の発光を容易にすると共に容易な製造を可能にする構造を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム支持基体１３の主面１３ａにおいて第３の面１３ｅは第１の面１３ｃと第２の面１３ｄとの間に設けられる。第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄは第３の面１３ｅに対して裏面１３ｂの方向に傾斜する。第３の面１３ｅは窒化ガリウム支持基体１３の＜０００−１＞軸の方向に向く。第１及び第２の電極１７、１９は、それぞれ、半導体領域１５におけるIII族窒化物半導体積層１５ｃ、１５ｄ上に位置し、III族窒化物積層１５ｃ、１５ｄは、それぞれ、第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄ上に形成される。半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。角度ＡＬＰＨＡ１、ＡＬＰＨＡ２は＋５６度以上＋８０度未満の範囲にある。 （もっと読む）