【課題】ハイブリッド型エバネッセント・レーザーを電気的にポンピングする装置および方法を提供する。
【解決手段】能動半導体材料が、光導波路と能動半導体材料との間のエバネッセント結合界面を画定する光導波路の上に配置され、それにより、光導波路によって案内されるべき光モードは光導波路および能動半導体材料両方に重なる。電流注入経路が能動半導体材料を通じて画定され、光モードに少なくとも部分的に重なる。それにより、光モードに少なくとも部分的に重なる電流注入経路に沿った電流注入に応答した能動半導体材料の電気的ポンピングに応答して光が生成される。 （もっと読む）

【課題】多種類のガスの吸収線に一致した、２μｍ波長帯の複数の波長で発振可能な半導体素子、多波長半導体レーザ、多波長半導体レーザモジュール、ガスセンシングシステム及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１１上に複数の波長の光を発する発光層を有する半導体素子であって、発光層が、ＩｎＡｓの井戸層とＩｎＧａＡｓの障壁層からなる量子井戸構造１４ａと、当該量子井戸構造１４ａの一部を無秩序化した他の量子井戸構造１４ｂとからなり、無秩序化により、他の量子井戸構造１４ｂからなる発光層の発する光の波長を、量子井戸構造１４ａからなる発光層の発する光の波長より短波長化した。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に赤色レーザと赤外レーザが集積化された半導体レーザ素子において、高温特性及び偏光特性を改善をしながら、小型化を実現する。
【解決手段】基板１０上に、赤色レーザ１と赤外レーザ２とが集積化された半導体レーザ素子５０において、赤色レーザ１及び赤外レーザ２は、リッジ部１０１、２０１の両側方に第１の電極３２で覆われた赤色側ウイング領域１０３ａ、１０３ｂと、第２の電極３４で覆われた赤外側ウイング領域２０３ａ、２０３ｂを有している。赤色側ウイング領域１０３ａ、１０３ｂには、第１のダミーリッジ部１２０ａ、１２０ｂと、複数の第１のウイング溝１０２とが形成され、赤外側ウイング領域２０３ａ、２０３ｂには、第２のダミーリッジ部１２２ａ、１２２ｂと、複数の第２のウイング溝２０２とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】光の波長変換に伴う光や熱による特性低下や変質を抑制して、大きな光量を安定に出力できると共に、高速で光変調ができる光源装置を提供すること。
【解決手段】レーザダイオード１０と、該レーザダイオード１０から放射された励起光を導光する光ファイバ１４と、該光ファイバ１４により導光された励起光を所望の波長変換光に波長変換して出射する波長変換ユニット１６と、を備える光源装置において、波長変換ユニット１６を、少なくとも半導体部材２４を有するものとし、該半導体部材２４は、励起光を所望の波長変換光に変換する半導体活性層２８を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化が図られた多光周波数発生光源を提供する。
【解決手段】多光周波数発生光源は，光共振器と，前記光共振器内に配置され，発生する光周波数が互いに異なり，かつ光学的，電気的に結合されない複数の微少発光体を含む発光部材と，前記光共振器内に前記発光部材と共に配置され，複数または単一の光周波数を選択するための光学部材とを具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長帯の光を発光可能であり、特に、複数の異なる波長帯の光を各々複数の縦モードで発振可能で、高出力且つ高歩留まりで製造可能な半導体発光素子、およびそれを用いた光パルス試験器を提供する。
【解決手段】第１の光出射端面に開口し第１の利得波長を有する第１のＭＱＷ活性層と第２の光出射端面に開口し第２の利得波長を有する第２のＭＱＷ活性層とそれらを光学的に結合させる結合導波路層とが光の導波方向に結合され、結合導波路層の上方の電極と下部電極とが短絡され、第１の利得波長は第２の利得波長より長く、結合導波路層近傍に第２の利得波長に相当するブラッグ波長を有する回折格子が形成され、第１のＭＱＷ活性層で生成された光が第１の光出射端面と第２の光出射端面とでなる共振器で発振し、第２のＭＱＷ活性層で生成された光が回折格子と第２の光出射端面とでなる共振器で発振し、ともに第２の光出射端面から出射される。 （もっと読む）

【課題】発光波長の制御範囲を広くできる半導体光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】硫黄を含む半導体基板上に、井戸層および障壁層からなる量子井戸構造を構成する複数の半導体層であって、前記井戸層または障壁層の厚さが互いに異なる複数の半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記複数の半導体層をそれぞれ含む複数の光素子を形成する光素子形成工程と、前記複数の半導体層の発光波長をシフトさせるための熱処理を行う熱処理工程と、を含む。好ましくは、前記熱処理工程は、６００℃〜８００℃の範囲にて行う。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で面発光レーザ素子のレーザ発振波長を高精度に制御することができる加熱機構を用いた面発光レーザ素子および面発光レーザアレイ素子を提供すること。
【解決手段】２つの多層膜反射鏡からなる光共振器と、前記光共振器内に配置された活性層と、前記活性層の近傍に設けられた高抵抗加熱部と、前記高抵抗加熱部に接続し、該高抵抗加熱部に電流を伝えるための該高抵抗加熱部よりも電気抵抗が低い低抵抗部とを有し、当該面発光レーザ素子のレーザ発振波長を調整するための加熱機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】集積型の半導体レーザ装置において、各々のレーザ素子が有する発光点の相対的な位置関係が、チップ毎にばらつくのを抑制することが可能な集積型半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００の製造方法は、第１半導体レーザ素子層を有する第１半導体レーザ素子基板Ｓ１に第１光導波路Ｌ１を形成する工程と、第１半導体レーザ素子基板Ｓ１と第２半導体レーザ素子層を有する第２半導体レーザ素子基板Ｓ２とを接合する工程と、この接合する工程の後に、第２半導体レーザ素子層に第２光導波路Ｌ２を形成する工程とを備え、第１半導体レーザ素子基板Ｓ１は、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面１１ａ上に第１半導体レーザ素子層を有し、第２半導体レーザ素子基板Ｓ２は、ＧａＡｓ基板５１の表面５１ａ上に第２半導体レーザ素子層を有し、第１光導波路Ｌ１は、第１半導体レーザ素子層に形成され、第２光導波路Ｌ２は、第２半導体レーザ素子層に形成される。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合層のトンネル効率が高く、トンネル接合層における光の閉じ込めや吸収が生じにくい半導体レーザ構造を提供すること。
【解決手段】（ａ）ｎ型クラッド層２、８、（ｂ）発光層３、４、５、９、１０、１１、及び（ｃ）ｐ型クラッド層５、１２を積層して成るレーザ構造単位１０１、１０３を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位１０１、１０３の間に、ｐ型導電型層７ａ及びｎ型導電型層７ｂから成るトンネル接合層７を備え、前記ｐ型導電型層７ａと前記ｎ型導電型層７ｂの少なくとも一方の層内のバンドギャップエネルギーが一様でなく、前記ｐ型導電型層７ａと前記ｎ型導電型層７ｂとの界面におけるバンドギャップエネルギーが、前記トンネル接合層７におけるバンドギャップエネルギーの平均値よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ構造。 （もっと読む）

【課題】複数の波長帯の光を発光可能であり、特に、複数の異なる波長帯の光を各々複数の縦モードで発振可能で、高出力且つ高歩留まりで製造可能な半導体発光素子およびそれを用いた小型且つ低価格な光パルス試験器を提供する。
【解決手段】１．５５μｍ帯に利得波長λ₁を有するＭＱＷ活性層１３ａと１．３μｍ帯に利得波長λ₂を有するＭＱＷ活性層１３ｂが、光の導波方向に沿って結合導波層１９を介して光学的に結合されて、利得波長λ₁、λ₂の長さの順に直列に配置され、結合導波層１９は１．３μｍより短い組成波長を有し、結合導波層１９近傍に、短い利得波長λ₂のブラッグ波長を有する回折格子２０が形成された構成を有している。 （もっと読む）

【課題】回路部分の小型化や省電力化が容易な原子発振器を提供する。
【解決手段】原子発振器１は、アルカリ金属原子に共鳴光対を照射することにより生じる電磁誘起透過現象を利用する原子発振器であって、光源１０、気体状のアルカリ金属原子２０、光検出部３０、周波数制御部４０を含む。光源１０は、可干渉性を有し、周波数が異なる第１の光と第２の光を含む複数の光を発生させて、アルカリ金属原子２０に照射する。光検出部３０は、アルカリ金属原子２０を透過した複数の光２２を受け取り、当該複数の光２２の干渉により得られる所定の周波数のビート信号を含む検出信号３２を生成する。周波数制御部４０は、検出信号３２に含まれる所定の周波数のビート信号に基づいて、第１の光と第２の光がアルカリ金属原子２０に電磁誘起透過現象を起こさせる共鳴光対となるように、第１の光及び第２の光の少なくとも一方の周波数制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも発光波長が広い波長領域で均一に分布している量子ドット構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明では、量子ドット構造を以下の手順で製造する。
まず、基板１１を用意する。次に、基板１１上に、量子ドット１３を設ける。次に、量子ドット１３よりも低く、かつ表面拡散が抑制されるように基板１１上に薄膜１４を堆積する。
最後に、量子ドット１３のうち、薄膜１４から露出した部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長の光を出射する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】六方晶系窒化物半導体からなる基板５と、基板５の主面に含まれる第１の領域上に設けられた半導体部２ｂと、基板５の主面に含まれており第１の領域に隣接する第２の領域上に設けられた半導体部４ｂとを備え、半導体部２ｂは、ＩｎＧａＮからなる井戸層を含む発光層を有し、半導体部４ｂは、ＩｎＧａＮからなる井戸層を含んでおり半導体部２ｂの発光層の発光波長と異なる発光波長の発光層を有し、基板５のうち第１の領域上の第１の部分のｃ軸方向と基板５の主面の法線方向との成す第１の角度と、基板５のうち第２の領域上の第２の部分のｃ軸方向とこの法線方向との成す第２の角度とは異なっている。 （もっと読む）

【課題】各発振波長を固定したまま各波長のレーザ光の発振強度比を変化させることができるレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源１は、半導体レーザダイオード１００，第１波長選択素子１２１およびコリメータレンズ１３０を備える。半導体レーザダイオード１００は、活性層１０３における光放出スペクトルに含まれる波長λ_０の光を共振させる分布帰還型の共振器が形成されている。第１波長選択素子１２１は、半導体レーザダイオード１００の第１端面１０１から出力された光のうち、活性層１０３における光放出スペクトルに含まれ波長λ_０と異なる波長λ_１の光の少なくとも一部をブラッグ反射させ、そのブラッグ反射させた波長λ_１の光のうち少なくとも一部を活性層１０３に帰還させる。半導体レーザダイオード１００に対して第１波長選択素子１２１の相対的方位は可変である。 （もっと読む）

【課題】異なる波長のレーザ光を発する個々の半導体レーザ素子の光軸を揃えるための高精度な機械的実装を必要としない多波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上の一部に、ｎ型ＧａＡｓ_ｘＮ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）混晶からなる組成変調バッファ層２０が形成されている。組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１及び第２の半導体層４０，５０が形成されている。基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層６０が形成されている。組成変調バッファ層２０は、基板１０から第１及び第２の半導体層４０，５０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成されている。 （もっと読む）

【課題】異なる波長のレーザ光を発する個々の半導体レーザ素子の光軸を揃えるための高精度な機械的実装を必要としない多波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上の一部に、ｎ型ＧａＡｓ_ｘＮ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）混晶からなる組成変調バッファ層２０が形成されている。組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１の半導体層４０が形成されている。基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＡｓからなる活性層を含む第２の半導体層５０が形成されている。基板１０上に第２の半導体層５０と並置して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層６０が形成されている。組成変調バッファ層２０は、基板１０から第１の半導体層４０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成されている。 （もっと読む）

【課題】異なる波長の個々のＬＤの光軸を揃えるための高精度な機械的実装を必要としない高精度な多波長半導体レーザを得る。
【解決手段】ＧａＡｓｘＮ１−ｘ（０＜ｘ＜１）からなる基板と、前記基板上の一部に形成され、ＧａＡｓｙＮ１−ｙ（０≦ｙ≦１）からなる第１の組成変調バッファ層と、前記基板上に前記第１の組成変調バッファ層と並置して形成されたＧａＡｓｚＮ１−ｚ（０≦ｚ≦１）からなる第２の組成変調バッファ層と、前記第１の組成変調バッファ層上の一部に形成された第１の窒化物半導体からなる活性層を含む第１の半導体層と、前記第１の組成変調バッファ層上に前記第１の半導体層と並置して形成され、前記第１の窒化物半導体よりもバンドギャップが狭い第２の窒化物半導体からなる活性層を含む第２の半導体層と、前記第２の組成変調バッファ層上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】異なる波長のレーザ光を発する個々のＬＤの光軸を揃えるための高精度な機械的実装を必要とすることなく容易に高精度な多波長半導体レーザ光源を製造できるモノリシックな多波長半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓＮ混晶からなる第１の組成変調バッファ層２０および第２の組成変調バッファ層３０を、ＧａＡｓＮ混晶からなる基板１０の表面１０ａおよび裏面ｂにそれぞれ形成し、第１の組成変調バッファ層２０上に青紫色ＬＤ部４０を、第２の組成変調バッファ層３０上に赤外ＬＤ部５０および赤色ＬＤ部６０をそれぞれ形成する。そして、第１の組成変調バッファ層２０を基板１０から第１の半導体層４０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成するとともに、第２の組成変調バッファ層３０を基板１０から第２の半導体層５０および第３の半導体層６０に向かってＮ原子含有量が低くなる傾斜組成で形成した。 （もっと読む）