【課題】回折格子を高精度に作製し、単一モード発振を安定して得ることが可能な量子カスケードレーザの製造方法を提供する。
【解決手段】量子カスケードレーザの製造方法は、可撓性を有する樹脂フィルムにマザースタンパを押しつけて、第１の溝パターンの凹凸が反転した第２の溝パターンＰ２を有する樹脂スタンパ２０１を作製する工程と、活性層が半導体基板上に形成されたウエハを作製する工程と、ウエハのうち活性層側の表面にレジスト膜３０４を形成する工程と、樹脂スタンパをレジスト膜３０４に空気圧により押しつけて、第２の溝パターンＰ２の凹凸が反転した第３の溝パターンＰ３をレジスト膜３０４に形成する工程と、レジスト膜３０４をマスクとしてウエハのエッチングを行い、ウエハの表面に回折格子を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】選択成長時のマスク近傍における屈折率変化の揺らぎに起因する意図しない位相シフトを低減し、特性劣化を防止することを可能とした波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成された活性導波路層１２の一部をエッチングし、活性導波路層１２とは組成または層構造が異なる非活性導波路層１３を選択成長することによって作製された二つのレーザ部Ａ１，Ａ２を有し、活性導波路層１２及び非活性導波路層１３の全長にわたって回折格子１５が形成され、選択成長時に生じる活性導波路層１２と非活性導波路層１３との間の屈折率変動に起因する−ΔΩの等価的な位相シフトに対して、活性導波路層１２と非活性導波路層１３との接合面に対応する回折格子１５の位置に位相シフト量ΔΩの補正位相シフトを挿入した。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に、出力波長が大きく変動するような状態であっても所望の出力波長を維持することが可能な波長固定レーザ及びその制御方法を提供する。
【解決手段】波長固定レーザ１Ａは、波長可変レーザダイオード３と、波長モニタ５とを備える。波長モニタ５は、第１リングフィルタ５１Ｆと、第２リングフィルタ５２Ｆとを有する。所定の波長領域において、第１リングフィルタ５１Ｆの周期的光透過特性はＮ周期変化し、第２リングフィルタ５２Ｆの周期的光透過特性はＮ−０．５周期以上、Ｎ周期未満変化する。第１リングフィルタ５１Ｆと第２リングフィルタ５２Ｆの透過率は、一のグリッド波長において他のグリッド波長における組み合わせとことなる固有の一の組み合わせを示す。 （もっと読む）

【課題】緩和振動周波数の温度による変化が小さい光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、活性層２４を有するメサ部２０と、メサ部２０を埋め込む埋め込み層３０と、を備え、埋め込み層３０は、活性層２４の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層２４の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域３３を有し、屈折率調整領域３３は、埋め込み層３０の高さ方向において、活性層２４と少なくとも一部が重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 広い波長選択幅を実現する半導体レーザおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、利得領域と光吸収領域とを備え、回折格子部とスペース部とからなるセグメントが前記利得領域および前記光吸収領域に対応して複数接続して設けられ、利得スペクトルのピーク波長が第１の周期を持つ第１回折格子領域を有し、前記光吸収領域は、ｎ´−ｉ×ｋで表される前記光吸収領域の複素屈折率ｎが変化したとき、−１０≦Δｎ´／Δｋ≦１０を満たす（ｎは前記光吸収領域の複素屈折率、ｉは虚数単位、ｋは消衰係数、Δｎ´はｎが変化した場合のｎ´の変化量、Δｋはｎが変化した場合のｋの変化量を示す）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】利得領域の活性層の温度変化を抑えることができる半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子１Ａは、所定の光導波方向に並ぶ第１及び第２の領域１０ｃ、１０ｄを含む主面１０ａを有する半絶縁性基板１０と、第１の領域１０ｃ上に設けられ、ｎ型クラッド層２１、活性層２２、及びｐ型クラッド層２３を有する利得領域２０と、第２の領域１０ｄ上に設けられ、下部クラッド層４１、光導波層４２、上部クラッド層４３、及び抵抗体５０（加熱部材）を有する波長制御領域４０とを備える。半絶縁性基板１０は、裏面１０ｂから厚さ方向に延びて主面１０ａの第１の領域１０ｃに至る貫通孔１１を有しており、該貫通孔１１の内部には、半絶縁性基板１０の裏面１０ｂからｎ型クラッド層２１に達する金属部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を抑制しつつ広帯域波長可変を実現することができる半導体レーザおよびレーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、複数の利得領域と複数の屈折率可変領域とが交互に配置された導波路と、前記導波路に対応して設けられた回折格子を備えた第１反射器と、前記利得領域に電流を注入するための電極と、前記屈折率可変領域の温度を制御するためのヒータと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層に変調電流を注入した場合でも、発振波長の変化を低減でき、波長チャーピングを抑制することができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型クラッド層１５と、ｐ型クラッド層１９及びｐ型コンタクト層２０と、活性層１７とを備える。更に、半導体レーザ素子１Ａは、回折格子層１３および該回折格子層１３上に設けられた接着層１４から成り、活性層１７との間にｎ型クラッド層１５を挟む位置に設けられた回折格子２４と、ｎ型クラッド層１５に接触するカソード電極２１と、ｐ型コンタクト層２０に接触するアノード電極２２とを備える。活性層１７は第１の光導波路を構成し、回折格子層１３および接着層１４は第２の光導波路を構成する。第１の光導波路と第２の光導波路とは、ｎ型クラッド層１５を介して光学的に結合し、レーザ共振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】量子ドット層の多段積層とＰＬ波長の長波化を両立しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、圧縮歪みを有する複数の量子ドット層が互いに電子的に結合されるようにバリア層を介して積層されたコラムナ量子ドット層を有する。複数の量子ドット層間に形成されたそれぞれのバリア層は、引張り歪みを有する第１バリア層と、第１バリア層上に形成され、引張り歪みを有する第２バリア層と、第２バリア層上に形成され、引張り歪みを有する第３バリア層とを有する。第１バリア層及び前記第３バリア層の引張り歪量は、第２バリア層の引張り歪量よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】回折格子４ａ及び第１の活性層３を含む第１の導波路１３ａ、及び第１の導波路１３ａの上方に形成される第１の電極８ａを有する半導体レーザ１３と、第１の導波路１３aの第１の活性層３に連接する第２の活性層３を含む第２の導波路１４ａ、及び第２の導波路１４の上方に形成される第２の電極８ｂを有する光半導体増幅素子１３と、半導体レーザ１３に熱的に接続され、電流注入領域２〜５と第３の電極８ｃを有する温度調整素子１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザを精度よく簡易的に製造することができる製造方法等を提供する。
【解決手段】リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層１３とエッチングストップ層１７を含む半導体積層２３を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、第１半導体積層エッチング工程Ｓ３と、半導体部形成工程Ｓ５と、リッジ導波路部形成工程Ｓ７と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９とを備える。リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第１マスク部パターニング工程Ｓ７−１と半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第２マスク部パターニング工程Ｓ９−１とは、一つのマスターパターン４０Ｍからのパターン転写によって一括して行われる。リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第２半導体積層エッチング工程Ｓ７−３と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第１半導体部エッチング工程Ｓ９−３とは、一括して行われる。 （もっと読む）

【課題】温度変動による共振波長の変動を低減したレーザ素子を提供する。
【解決手段】基板と、内部光を共振させてレーザ光を出力する共振部と、基板の表面と垂直な方向に順次形成され、内部光の少なくとも一部を反射させることで内部光を共振させる下部反射層および上部反射層とを備え、共振部は、下部反射層および上部反射層の間に形成され、光を生成する活性層、活性層に正孔を注入するｐ型クラッド層、および、活性層に電子を注入するｎ型クラッド層を含む半導体層と、下部反射層および上部反射層の間に、共振方向において半導体層と直列に設けられ、半導体層とは熱光学係数の符号が異なる調整層とを有するレーザ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 量子光半導体装置に関し、近接積層型の量子ドットのエネルギーバンドギャップを小さくして長波長化に対応させるとともに、エネルギーバンドギャップのばらつきを小さくする。
【解決手段】 量子構造を、圧縮歪を受けた島状形状半導体結晶と、島状形状半導体結晶を被うように形成された第１の中間層と、第１の中間層上に設けた第２の中間層とを順次繰り返して積層した繰り返し積層構造とし、第１の中間層は、島状形状半導体結晶より大きなエネルギーバンドギャップを有するＡｌＡｓを含む第１の半導体層状結晶からなり、第２の中間層は、島状形状半導体結晶より大きなエネルギーバンドギャップを有するＡｌＡｓを含まない第２の半導体層状結晶よりなり、第１の中間層及び第２の中間層を介して整列した島状形状半導体結晶の間隔がキャリアのエネルギー的な結合が生じる間隔となるように、半導体基板の主面に垂直な方向に実質的に整列させる。 （もっと読む）

【課題】発振閾値電流までのプラズマ効果による発振波長の短波長化、又は発振後の温度上昇に伴う発振波長の長波長化が生じても、活性領域のブラッグモードが常に分布反射鏡領域の有効反射帯域から外れることなく、安定した良好な単一モード発振を得ることのできる、信頼性の高い半導体レーザを実現する。
【解決手段】第１の回折格子１１を有する活性領域１と、第２の回折格子１２を有する分布反射鏡領域２とを備え、第２の回折格子１２は、第１の回折格子１１から伝搬する光の波長に応じて光路を変更する第１の部分１２Ａと、第１の部分１２Ａから入射される光の波長に整合した格子周期を有する、例えば円弧形状の各格子を持つ第２の部分１２Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてダークチューニングで発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、波長可変半導体レーザとマッハツェンダ変調器との間に設けられ、波長可変半導体レーザから半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、半導体マッハツェンダ変調器を透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、波長検知部の検知結果に基づいて波長可変半導体レーザの出力波長を調整する。 （もっと読む）

【課題】高効率の光半導体素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。機能部は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう方向に積層された複数の活性層を含む。複数の活性層の少なくとも２つは、多層積層体と、ｎ側障壁層と、井戸層と、ｐ側障壁層と、を含む。多層積層体は、前記方向に交互に積層された複数の厚膜層と厚膜層よりも厚さが薄い複数の薄膜層とを含む。ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子において、出射されるパルス状のレーザ光の持続時間内での光強度の揺らぎを無くし得る半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子１０、外部共振器８０、及び、波長選択素子８２を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０から外部共振器８０を介して出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子８２によって抽出し、外部に出力する。 （もっと読む）

【課題】モード同期動作が不安定になるという問題の発生を抑制することができ、しかも、大きな出力を得ることができる半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）モード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）外部共振器を構成し、１次以上の回折光をモード同期半導体レーザ素子１０に戻し、０次の回折光を外部に出力する回折格子１００を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０と回折格子１００との間に、モード同期半導体レーザ素子１０の光出射端面の像を回折格子上に結像させる結像手段１０１を有する。 （もっと読む）