【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層と電極との界面における酸化物の影響を低減可能なIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】処理装置１０においてコンタクト層３５を成長すると共に該コンタクト層３５を酸化防止膜８７で覆った第１の基板生産物Ｅ１を処理装置８のエッチャ８ａに配置した後に、処理装置８において第１の基板生産物Ｅ１から酸化防止膜８７を除去して、ｐ型コンタクト層３５の表面を露出させて第２の基板生産物Ｅ２を形成する。通路８ｃのシャッタ８ｄを開けて、処理装置８のエッチャ８ａのチャンバから処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバに第２の基板生産物Ｅ２を移動する。処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバにおいて、ｐ型コンタクト層３５の露出された表面の上に、電極のための導電膜８９を成長して、第３の基板生産物Ｅ３を形成する。第３の基板生産物Ｅ３を処理装置８の成膜炉８ｂから取り出した後に、導電膜８９のパターン形成を行う。 （もっと読む）

【課題】端面保護膜として、酸化による劣化が少ない保護膜材料および保護膜の構成を提供する。
【解決手段】発光層を含む窒化物半導体の多層膜を備えた窒化物半導体レーザ１であって、多層膜は、レーザの共振器面である少なくとも２つのへき開端面を有しており、へき開端面のうちレーザ光が出射する光出射面は、該光出射面側から第一の保護膜１１３、第二の保護膜１１４、第三の保護膜１１５の順に積層した少なくとも３つの保護膜によって被覆されており、第一の保護膜は、アルミ窒化物からなる結晶性薄膜であり、第二の保護膜はＳｉを含むアルミ酸化物であり、第三の保護膜は非晶質の酸窒化物からなる。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス強度が高い井戸層を有する量子井戸構造、半導体レーザ、フォトルミネッセンス強度が高い化合物半導体層を製造する方法及び化合物半導体層のフォトルミネッセンス強度を用いてＭＢＥ装置の状態を管理する方法を提供する。
【解決手段】量子井戸構造は、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓからなる井戸層を有し、井戸層の酸素濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、良好な特性を有し、信頼性の高い集積型半導体光素子を製造できる集積型半導体光素子の製造方法、および良好な特性を有し、信頼性の高い集積型半導体光素子を提供すること。
【解決手段】活性層を含む能動積層構造と、前記能動積層構造に接続される、コア層を含む受動積層構造とを少なくとも有する集積型半導体光素子の製造方法であって、基板上に、結晶成長によって前記受動積層構造を形成する受動積層構造形成工程と、前記形成した受動積層構造の一部領域を除去する受動積層構造除去工程と、前記受動積層構造を除去した領域に前記能動積層構造をバットジョイント成長によって形成するバットジョイント成長工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板裏面に形成された電極と基板とのコンタクト抵抗を低減しつつ、信頼性の高い窒化物半導体発光素子を実現する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板１０と、窒化物半導体基板１０の第１の主面上に形成され、光を生成する活性層１３を有する窒化物半導体層と、窒化物半導体基板１０の第２の主面上に形成された電極２０とを備えている。窒化物半導体基板１０と電極２０との界面部分における酸素ピーク濃度が２９原子％以上で、且つ炭素ピーク濃度が１１原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体レーザを歩留まりよく生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザは、基板（半導体基板）と、半導体基板上部に設けられた、Ａｌを含む活性層（歪補償多重量子井戸活性層６）を有するメサ構造の光導波路（活性層導波路９）と、活性層導波路９のメサ上部およびメサ側面を被覆するように設けられた半導体保護層と、活性層導波路９および半導体保護層を埋め込むように設けられた電流ブロック層（Ｆｅドープ高抵抗ＩｎＰ電流ブロック層１１、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１２）と、半導体保護層および電流ブロック層（ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１２）の上部に設けられたクラッド層（ｐ型ＩｎＰクラッド層１３）と、を備え、半導体保護層が、Ａｓを含みかつＡｌを含まない半導体層（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ保護層１０ａ）を有するものである。 （もっと読む）

【課題】
成長中断による、Ａｌを含むIII-V族化合物半導体層への酸素の取り込みを抑制した半導体装置を提供すること。
【解決手段】
Ａｌを構成元素として含む第１のIII-V族化合物半導体によって半導体基板上に形成された第１の半導体層と、厚さが２原子層以上８原子層以下のＡｌを構成元素として含まない第２のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記第１の半導体層の上面又は前記第１の半導体層の内部に配置された表面保護層とを有する半導体積層構造と、第３のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記半導体積層構造の上面に形成された第２の半導体層を具備すること。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している大気の成分を除去する。
【解決手段】ロードロック室に基板が搬入されると、ロードロック室の中は、まず排気され、その後パージガスが導入されて圧力が上昇する。そしてロードロック室は再び排気される。これにより、基板上に付着している大気の成分は除去される。その後、基板はロードロック室から処理室に搬送され、処理室の中で処理される。基板を処理する工程は、例えば大気に含まれる成分と反応するガスを用いて基板に膜を成膜する工程である。 （もっと読む）

【課題】高い光出力パワー用に適した光電子半導体素子を実現することである。
【解決手段】光電子半導体素子１は、ガリウムまたはアルミニウム物質のうち少なくとも１つを含む半導体結晶材料から構成され、表面に少なくとも１つの光学表面３が形成された、少なくとも１つの光学活性領域２と、光学活性領域２の、光学表面３に面する部分に形成された、硫黄またはセレンを含む、単分子層の１０層分までの層からなる、少なくとも１つの境界層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
レーザ特性の向上が図られた分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る分布帰還型半導体レーザ１Ａの製造方法においては、回折格子２２を形成するためのエッチングマスク３０ｂが半導体材料で構成されている。そのため、回折格子２２の形成後にエッチングマスク３０ｂを除去することなく、回折格子２２を覆う第１の光閉じ込め層３０をオーバーグロース形成することができる。すなわち、回折格子２２を外気に曝すことなく、第１の光閉じ込め層３０（いわゆる、オーバーグロース層）を形成することができる。従って、回折格子２２の表面酸化、表面汚染及び格子形状の劣化を抑制することができる。さらに、その上に形成される第１の光閉じ込め層３０の結晶性劣化を抑制できる。それにより、作製される分布帰還型半導体レーザ１Ａのレーザ特性の向上が実現される。 （もっと読む）

【課題】メサ部を必要以上に高くすることなく、垂直共振器構造内の電流狭窄層以外の層において、酸化フロントを起点とした欠陥成長や酸化による体積収縮の歪を抑制することの可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】溝部３０に囲まれたメサ部１８Ｄの直径よりも小さな直径Ｌ３の円形状のマスク層Ｍ２をメサ部１８Ｄの上面中央領域に配置したのち、マスク層Ｍ２をマスクとして、半導体積層構造２０Ｄを選択的にエッチングする。これにより、マスク層Ｍ２の直径Ｌ３と等しい直径の柱状のメサ部１８が形成されると共に、半導体積層構造２０Ｄの上部のうちメサ部１８以外の部分（酸化部分１１Ａ，１６Ａを含む）が選択的に除去される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板上に形成され、量子ドット活性層を備える半導体発光素子において、半導体積層構造の内部に回折格子を形成できるようにし、歩留まりを良くする。
【解決手段】半導体発光素子を、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に形成された量子ドット活性層３と、量子ドット活性層３の上側又は下側に形成されたＧａＡｓ層４と、ＧａＡｓ層４の内部に、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰからなり、光の進行方向に沿って周期的に設けられた回折格子７とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む化合物半導体による発光層を有する、簡易な作製方法で実現可能な半導体レーザ並びにそれを用いた光モジュール及び機能集積型レーザを提供すること。
【解決手段】ｐ型のＩｎＰ半導体基板201の上に形成した、ＩｎＧａＡｌＡｓを含む多重量子井戸構造で構成された発光層205と、該発光層の近傍に配置した半導体層209に放出された光を分布反射するための、光の進行方向に沿う周期的回折格子211とを少なくとも有し、周期的回折格子211は、レーザの発振波長において光学利得を有するＩｎＧａＡｓＰ材料を含む多重量子井戸構造209で構成され、かつ屈折率及び光学利得が周期的に摂動を受ける利得回折格子である。 （もっと読む）

【課題】 発振の横モードの単一化を図ることができると共に半導体基板の転位の影響を低減することができる半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る半導体光素子１Ａの製造方法では、Ａｌを含む半導体材料からなる活性層３０を有する半導体メサ部２Ｂを平均転位密度が５００ｃｍ^−２以上５０００ｃｍ^−２以下である半導体基板１０上に形成する工程と、活性層３０の酸化を防止する酸化防止層６２を、半導体メサ部２Ｂの側面のうち少なくとも活性層３０の側面上に形成する工程と、半導体メサ部２Ｂの側面上に、半導体メサ部２Ｂを埋め込む埋め込み層７０を酸化防止層６２を覆うように形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】狭窄構造を有した半導体層を酸化させることなく形成することができ、半導体デバイスの信頼性を向上させることができること。
【解決手段】複数の半導体層を積層して備える面発光レーザ素子１００の製造方法は、スペーサ層６上にマスク層１６を形成するマスク形成工程と、スペーサ層６上のマスク層１６以外の領域に、マスク層１６がスペーサ層６上から熱によって除去される除去温度より低い成長温度で電流狭窄層７を選択成長させる選択成長工程と、マスク層１６を除去温度まで昇温させ、スペーサ層６上から熱によって除去するマスク除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高品質で実用レベルのＧａＩｎＮＡｓ面発光型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（２０）上に、レーザ光を発生する少なくとも１層の活性層（２３）を含んだ活性領域と、レーザ光を得るために活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡（２１，２５）を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子において、前記活性層（２３）はＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを主成分として含み、前記反射鏡のうち少なくとも下部反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、前記活性層（２３）をＭＯＣＶＤ成長室で成長させ、前記反射鏡（２１，２５）のうち少なくとも下部反射鏡（２１）を、別のＭＯＣＶＤ成長室またはＭＢＥ成長室で成長させる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む中間半導体層が酸素を含む雰囲気でアルミニウム化合物を形成するのを防止し、しかもストライプ頂面と中間半導体層の幅を実用的な範囲で両立させることのできる半導体光デバイスの製造方法を提案する。
【解決手段】アルミニウムを含む中間半導体層に達しない範囲で、上部半導体層の端部に第１ストライプ側壁を形成する工程、第１ストライプ側壁の形成後に、結晶成長装置内において、ハロゲンを含むガスを用いて、中間半導体層の端部および上部半導体層と下部半導体層が中間半導体層と隣接する隣接部分の端部に第２ストライプ側壁を形成する工程、および第２ストライプ側壁の形成に続き、結晶成長装置内において、第２ストライプ側壁に、中間半導体層の端部と隣接部分の端部に接合する保護埋込部を有する埋込半導体層を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】メサから埋込層へ電流が流れる無効電流経路が形成されるのを防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を得る。
【解決手段】Ａｌを含む半導体材料からなる活性層を持つ半導体積層構造を形成する工程と、半導体積層構造をエッチングしてメサを形成する工程と、メサの側面を覆うように第１の埋め込み層を第１の成長温度で形成する工程と、第１の埋め込み層の上に第２の埋め込み層を第１の成長温度よりも高い第２の成長温度で形成してメサの周囲を埋め込む工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、発光特性を著しく改善する。
【解決手段】 基板（２０１）と窒素を含む活性層（２０４）との間にＡｌを含む半導体層（２０２）が設けられている半導体発光素子において、窒素を含む活性層（２０４）の酸素濃度が、半導体発光素子が室温連続発振可能となる濃度（例えば１×１０^１８ｃｍ^−３以下）であることを特徴としている。これによって、活性層（２０４）の発光効率を改善することができ、室温連続発振する半導体発光素子を形成することが可能となる。 （もっと読む）