【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】側面における半田材の這い上がりを抑制する。
【解決手段】量子カスケード半導体レーザ１は、下部クラッド層１１、コア層１３および上部クラッド層１５を含む半導体積層２０と、半導体積層２０の主面１６ａ上に設けられた絶縁層４１と、絶縁層４１の開口部４１ａを介して主面１６ａに接続された上部電極Ｅ１とを備える。半導体積層２０は、法線軸ＮＶに直交する一方向に沿って順に配置された第１領域２０ａ、第２領域２０ｂおよび第３領域２０ｃからなり、第１領域２０ａおよび第３領域２０ｃの各々には、法線軸ＮＶおよび一方向に直交する他方向に沿って半田閉込溝３２が設けられ、絶縁層４１は、主面１６ａおよび半田閉込溝３２に設けられ、第１領域２０ａおよび第３領域２０ｃは第２領域２０ｂより低い。 （もっと読む）

【課題】電気−光変換効率を十分に高めることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ装置１は、ヒートシンク２の一方面２ｃ側にサブマウント４を介してレーザダイオード３を接合してなる半導体レーザ装置であって、ヒートシンク２の一方面２ｃとサブマウント４の他方面４ｄとは、ヒートシンク２とサブマウント４との間に位置するハンダ接合部９によって互いに接合され、ハンダ接合部９の端部には、ハンダ接合部９よりも隆起し、ヒートシンク２の一方面２ｃとサブマウント４の側面４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈとを接合するハンダ接合部１０が設けられている。このハンダ接合部１０により、ヒートシンク２とサブマウント４との間の接合面積が大きくなるため、ヒートシンク２とサブマウント４との間の電気抵抗が低減され、電気−光変換効率を十分に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションダウンで実装する場合であっても電流のリークを抑えることができるレーザダイオードを提供する。
【解決手段】レーザダイオード１０は、半導体基板１２の主面１２ａ上に設けられ、該主面１２ａに沿って延びる光共振器を含む半導体積層構造１４と、半導体積層構造１４の上に設けられたアノード電極１６とを備える。光共振器の一対の端面をそれぞれ含む半導体積層構造１４の一対の側面１４ａ，１４ｂには、誘電体膜６２，６４が形成されている。半導体積層構造１４の積層方向における誘電体膜６２，６４の上縁部６２ｃ，６４ｃは、アノード電極１６上にわたって延びており、該上縁部６２ｃ，６４ｃの平均粗さは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】熱応力を低減しつつ十分な放熱特性を確保することができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体レーザ装置１００は、ＰＬＣ基板１１、ＰＬＣ電極１２、半田バンプ１４及びＬＤ１５を有する。ＰＬＣ電極１２は、ＰＬＣ基板１１上に形成され、部分的に開口部１８を有する。ＬＤ１５は、ＰＬＣ電極１２の上方に配置される。半田バンプ１４は、ＰＬＣ電極１２とＬＤ１５との間に形成される。開口部１８を介して露出したＰＬＣ基板１１の表面は、半田バンプ１４とは非接触である。 （もっと読む）

【課題】熱歪による不具合を低減して信頼性を高めることができ、長寿命化を図ることが可能な光配線部品及び光電気複合モジュールを提供する。
【解決手段】ガラスファイバ１５が挿入される光ファイバ挿通孔１４を有し、ガラスファイバ１５の挿入方向前方側の固定面１２ａに電極１３が設けられたフェルール１２と、光ファイバ挿通孔１４へ挿入されたガラスファイバ１５と、電極１３と導通接続された状態にフェルール１２の固定面１２ａに取り付けられた受発光素子１６とを備え、ガラスファイバ１５は、受発光素子１６に対向する端面以外の箇所でフェルール１２に接着剤２５で接着されて固定されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装する半導体レーザの発光領域に対する応力をより低減し、且つ、半導体レーザとの接合強度を確保することができる半田付け構造及び半田付け方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半田付け構造は、発光領域を有する半導体レーザを実装可能な半田付け構造であって、第一の電極と、第一の電極の第一領域に形成された第一の半田と、第一の電極の第二領域に形成された第二の半田と、を有し、第一領域は、第一の電極の表面のうち、半田付け構造に半導体レーザが実装された場合に、発光領域の直下に位置する領域であり、第二領域は、第一の電極の表面のうち、第一の領域を除いた領域であり、第一の半田の引張強度は、第二の半田の引張強度よりも小さく、第一の半田と第二の半田とは、半田付け構造に半導体レーザが実装された状態において、互いに接触しない。 （もっと読む）

【課題】安価で簡単に製造することができる高温特性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】フレーム１にモールド樹脂２によりリード３が固定されている。フレーム１上に半田４によりサブマウント５が接合され、サブマウント５上に半田６により半導体レーザチップ７が接合されている。このようにフレーム１とサブマウント５が半田４により接合されているため、放熱性を改善できる。そして、耐熱温度が半田４，６の融点よりも高いモールド樹脂２を用いている。このため、積載されたフレーム１、サブマウント５、及び半導体レーザチップ７を加熱して半田４，６を溶融させて、フレーム１、サブマウント５、及び半導体レーザチップ７を互いに同時に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めることが可能な発光装置およびそれを用いた光装置を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓよりなる第２の基板３１にＡｌＧａＡｓ系半導体層よりなるレーザ発振部６０と、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層よりなるレーザ発振部７０とを設ける。第２の基板３１のレーザ発振部６０，７０以外の周辺部９０のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４を削除する。周辺部９０には、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層９１を設ける。第１の発光素子２０で発生した熱は、熱伝導率の高い埋込層９１を介して支持基体１１に伝わり、放熱性が良くなる。 （もっと読む）

【課題】光モジュールの温度制御構造において、半田玉の発生を抑制しつつ寸法を小さくする。
【解決手段】光モジュールの温度制御構造は、温度が制御される素子上面を有する温度制御素子と、素子上面の所定領域上に配置されるキャリア下面と、キャリア下面から上方向に向けて外側に傾斜するキャリア側面とを有する導熱性キャリアと、所定領域の外側における素子上面とキャリア側面とによって形成される窪みに充填された半田とを備える。窪みが半田プールとして機能することにより半田玉の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】光軸ずれを小さくすることができるレンズ、半導体レーザモジュール、および光学デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】レンズ１は、複数の設置面ＳＡ１〜ＳＡ４を有し、各設置面ＳＡ１〜ＳＡ４と光軸Ｃとの間の距離が異なる四角柱である。各設置面ＳＡ１〜ＳＡ４は、光軸Ｃに対して垂直であり、四角柱の側面を形成している。各設置面ＳＡ１〜ＳＡ４と光軸Ｃとの間の最大距離と最小距離との差は、レンズ１が設置される被設置面ＳＢとレンズ１との間の公差以上である。レンズ１は、キャリア１０の被設置面ＳＢとの間が最小距離Ｄminとなるように設置面を選定し、接着用樹脂１３を介して固着される。この際、レンズ１の光軸Ｃは、接着用樹脂１３の収縮量を加味して半導体レーザ素子１２の光軸に調芯しておく。 （もっと読む）

【課題】表面実装が可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、半絶縁性の基板１２と、ｎ型の半導体層１４と、ｎ型の下部多層膜反射鏡１６と、活性層１８と、ｐ型の上部多層膜反射鏡２０と、ｎ側の金属配線２２と、ｐ側の金属配線２４とを有する。基板上にはメサＰが形成され、メサＰから離れた各々の位置に半導体層１４から基板１２の底部に至る貫通孔３０、４０が形成される。ｎ側の金属配線２２は、貫通孔３０を横切るように延在しかつ半導体層１４に絶縁膜２６の開口部を介して電気的に接続され、ｐ側の金属配線２４は、貫通孔４０を横切るように延在しかつメサＰの頂部において上部多層反射鏡２０に電気的に接続される。配線基板５０のバンプ５４Ａ、５４Ｂは、貫通孔３０、４０内にそれぞれ充填され、面発光型半導体レーザと回路基板５０との実装体が得られる。 （もっと読む）

【課題】光素子を保護するとともに、光導波路及び光素子を支持する構造を有し、当該構造を有する部材の材料として、光素子が入出力する光信号に対して非透明なものも使用可能な異方性導電体及び光通信装置を提供する。
【解決手段】異方性導電体４は、凹部８ｆを形成するように構成された脚部８Ａ及び天板部Ｂを有し、脚部８Ａ及び天板部８Ｂに脚部８Ａが延びる方向に貫通孔による複数の微細孔が形成された絶縁性部材８と、天板部８Ｂの脚部８Ａが接続されていない領域のうち、一部の領域を光透過部８ｅとし、他の領域の微細孔に導電材を充填して形成された第１導電部８ａ，８ｃと、天板部８Ｂの脚部８Ａが接続されている領域、及び脚部８Ａの微細孔に導電材を充填して形成された第２導電部８ｂ，８ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】偏光特性が低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１０では、半導体基板１１の主面１１ａは、［０１１］方向に沿った方向にオフ角度を有する（１００）面であるとともに、［０１１］方向に向かって（１００）面から［−１００］方向側に傾斜している。リッジ部２１ｂとリッジ部３１ｂとの中心線Ｌ２は、半導体基板１１の中心線Ｌ１よりも［０−１−１］方向側に位置する。 （もっと読む）

【課題】大きな強度を保ちつつ高集積化されて高輝度な発光を行う半導体レーザ装置を得ること。
【解決手段】ＬＤバー１の基板側を除去してＬＤバー１を薄膜化するとともに、ＬＤバー１の最上面と最下面に導電性のスペーサである接合メタル８を配置し、ＬＤバー１とＬＤバー１とを接合メタル８を介して熱圧着することにより複数のＬＤバー１が積層されたＬＤバー群を構成し、ＬＤバー群を格納したパッケージ２１内にＬＤバー群を冷却する液体Ｎ２を送出入する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をマウント部材に実装する構造での歩留まりが下がる問題を解決できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、サブマウント２と、サブマウント２の表面に半田４で実装され、窒化物半導体からなる側面を有する窒化物半導体レーザ素子１と備えている。この窒化物半導体レーザ素子１の側面の一部は誘電体膜１１７にて覆われている。これにより、半田４が窒化物半導体レーザ素子１の側面の一部に付着しないようにして、その付着によるｐ−ｎ短絡の発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をマウント部材に実装する構造での歩留まりが下がる問題を解決できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、サブマウント２と、サブマウント２の表面に半田４で実装され、窒化物半導体が側面から露出する窒化物半導体レーザ素子１と備えている。半田４は、サブマウント２と窒化物半導体レーザ素子１と間に位置し、窒化物半導体レーザ素子１の横幅Ｗ４よりも狭い幅Ｗ３を有する。 （もっと読む）

【課題】面発光素子の端面上へのハンダ層の這い上がりを確実に防止することが可能な面発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】面発光装置１は、ヒートシンク１４が接合されたステム１５と、当該ヒートシンク１４上に搭載された面発光素子としての面発光レーザ素子とを備える。面発光レーザ素子は、ヒートシンク１４と対向する面に形成され、面発光レーザ素子の幅Ｗ１より狭い幅Ｗ２を有する電極パッドとしてのｐ型電極１２を含む。ｐ型電極１２とヒートシンク１４とはハンダ層１３を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】ダイマウントに用いるペースト材により素子周囲を覆うことによって接合信頼性を確保しながら、ペースト材の這い上がりに起因する短絡発生を防止することができる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１Ａにおいて、第１主面Ｍ１と、第１主面Ｍ１に対向して第１主面Ｍ１より小面積の第２主面Ｍ２と、第１主面Ｍ１及び第２主面Ｍ２に連続して第１主面Ｍ１及び第２主面Ｍ２を相互に接続し、第２主面Ｍ２から第１主面Ｍ１に向かって外側に高くなる階段状の周面Ｍ３とを有する基板２と、第１主面Ｍ１上に設けられた光半導体層４と、光半導体層４上に設けられた第１電極層５と、第２主面Ｍ２上に設けられた第２電極層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボンディング強度の低下を抑制しつつ、不要な静電容量を抑制できる光半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１は、サブマウント２と、サブマウント２にボンディングされる半導体レーザ素子３とを有する。レーザ素子３は、基板２１と、基板２１上に形成され、ストライプ部３８を有する半導体積層部２２と、ストライプ部３８が露出するように積層部２２に形成された絶縁膜２３と、絶縁膜２３から露出したストライプ部３８と接続されたｐ側電極部２５及び電極部２５と絶縁された状態で絶縁膜２３上に形成されたボンディング部２６、２７とを有するボンディングパッド２８とを含む。サブマウント２は、保持基板１１と、電極部２５が接続された電極部１２及び電極部１２と絶縁され且つボンディング部２６、２７とボンディングされるボンディング部１３、１４を有し、基板１１に形成されたボンディングパッド１５とを含む。 （もっと読む）