【課題】良好な信頼性を維持しつつ、レーザバーとサブマウントを面接合させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１８と、該基板の表面に形成されたエピタキシャル層２０と、該エピタキシャル層の表面に形成された表面電極２２と、該表面電極に形成されたエピタキシャル面めっき２４と、該基板の裏面に形成された裏面電極２６と、該裏面電極に形成された基板面めっき２８と、を有するレーザバー１２と、該エピタキシャル面めっき又は該基板面めっきにはんだにより固定されたサブマウント１６と、を備える。該エピタキシャル面めっき２４は該基板面めっき２８よりも厚く形成され、該エピタキシャル面めっき又は該基板面めっきの全面が、該はんだ１４により該サブマウントと面接合する。 （もっと読む）

【課題】従来と同程度の簡易さでより高精度な位置決めを行うことのできる部品の固定方法を提供する。
【解決手段】半導体素子４が取付けられた固定部材４ｂには、最表面が基材３の固定面３ａと同種の金属からなる取付面４ｃが形成され、基材３の固定面３ａには、固定面３ａ及び取付面４ｃの最表面と同種の金属材からなる粒径が略揃った球形の微粒子１０を塗布して微粒子層１１を形成し、微粒子層１１を形成した固定面３ａに対して取付面４ｃを押し当て、微粒子層１１を加熱及び加圧して固定面３ａと取付面４ｃを接合する。 （もっと読む）

本発明は、半導体コンポーネント配列体１０／４０を熱的に接触させることに関する。半導体コンポーネント配列体１０／４０の両側に配置される２つの熱伝導体２０，３０のうちの少なくとも１つ２０／３０を、力５３を加えた状態で、金属層５２によって半導体コンポーネント配列体１０／４０の接触表面１２／４６と接触させ、金属層５２は係止媒介物の凝固中に融解し、２つの熱伝達体２０，３０間にその全領域にわたって接着結合を形成する。
（もっと読む）

【課題】反りの矯正に起因するレーザ特性の劣化および半導体レーザ素子の破損が発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置４０では、共振器の延びる方向に反りを有する半導体レーザ素子５０と、半導体レーザ素子５０の反りの凹側の表面上に形成されワイヤボンド部１１５ａが設けられたｐ側電極１１５と、半導体レーザ素子５０の反りの凸側が固定される基台７０とを備える。そして、半導体レーザ素子５０は、反りの凸側と基台７０との間の距離が、共振器の延びる方向に沿って半導体レーザ素子５０の反りに応じて変化するように基台７０に固定されるとともに、半導体レーザ素子５０の反りの凸側と基台７０との間の距離のうち、実質的に最も小さい距離を有する領域近傍に対応するｐ側電極１１５の部分の近傍に、ワイヤボンド部１１５ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】活性層で生じた熱を効率よく放熱することのできるレーザ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体が半導体基板の一面に配置され、積層体上に形成された絶縁膜の貫通部を介して、第１電極が積層体と接触されている。第１電極は、金属材料からなり、貫通部を介して露出される積層体の露出部位の一部と接触された第１電極膜と、第１電極膜よりも熱伝導率の高い金属材料からなり、積層体の露出部位のうちの第１電極膜とは異なる部位及び第１電極膜と接触され、積層体からの高さが第１電極膜の高さ以上とされた第２電極膜と、第１電極膜よりも熱伝導率が高く、第２電極膜よりも展性、延性に優れた金属材料からなる第３電極膜を含んでいる。そして、第３電極膜は、貫通部を含む絶縁膜上に積層された状態で、第２電極膜と接触されつつ絶縁膜側の面の裏面が平坦とされており、該裏面にヒートシンクが直接接合されている。 （もっと読む）

【課題】固体レーザ装置等に適用されるレーザ結晶の放熱効果を保ちつつ、レーザ結晶内の温度分布を小さくした、新規なレーザ結晶実装構造を提供する。固体レーザ装置等に適用される。
【解決手段】コア部とこれをガイドするクラッド部でなるレーザ結晶を、コア部の底面で接合材を介してヒートシンクに接合させ、それ以外の結晶底面の領域をコア部底面とは熱伝達の度合いを異ならせる。例えば、結晶底面の領域は空気層に接しているかあるいはコア部底面及びコア部近傍底面とは熱伝達の度合いを異ならせてヒートシンクに接合する。 （もっと読む）