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【課題】 レーザ素子の端面への導電部材の這い上がりが抑制され、且つ、放熱性に優れたレーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板10と、該基板10上に設けられた導電部材11と、該導電部材11上に設けられた光導波路領域20aを有するレーザ素子20と、を備えるレーザ装置100である。導電部材11は、導電部材11の端部に設けられ、且つ、レーザ素子20よりも幅が狭い幅狭部11aと、幅狭部11aよりも幅が広い幅広部11bと、を有し、幅狭部11a及び幅広部11bは、光導波路領域20aの直下に設けられている。 (もっと読む)


【課題】その部品点数の削減、及び小型化を達成できる発光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ15、半導体レーザの光をモニタする受光素子14b、半導体レーザを駆動するレーザ駆動回路14a、及び受光素子のモニタ出力によりレーザ駆動回路を制御する制御回路14cを備えた発光モジュール10であって、受光素子、レーザ駆動回路及び制御回路は、半導体製造プロセスを経て製造された半導体回路基板14に集積されており、半導体レーザは、半導体回路基板の受光素子にて半導体レーザの光をモニタ可能な位置に搭載されている。 (もっと読む)


【課題】 電磁ノイズ放射の抑制を可能としたフレキシブル光電配線モジュールを提供することである。
【解決手段】 フレキシブル光電配線モジュールあって、光配線路12と電気配線11を有する可撓性のフレキシブル光電配線板10と、フレキシブル光電配線板10の一主面上に搭載され、電気配線11に電気的に接続され、光配線路12に光結合された光半導体素子13と、フレキシブル光電配線板10の一主面と反対側の面に搭載され、電気配線11に電気的に接続され、光半導体素子13を駆動する駆動IC14と、フレキシブル光電配線板10を貫通して設けられ、光半導体素子13と駆動IC14を電気的に接続する貫通配線15とを具備した。 (もっと読む)


【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ11はサブマウント7とヒートシンク9との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ11はpアップ形態でサブマウント7上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体13を介してサブマウント7に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極15及びパッド電極45を介して低い温度のヒートシンク9に伝わり、この熱は、オーミック電極15から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク9の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ11の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ11の温度はヒートシンク9の温度より低いので、ヒートシンク9の熱はIII族窒化物半導体レーザ11に伝搬する。 (もっと読む)


【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる2波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて3波長半導体レーザ装置を構成する場合、2波長レーザの2つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、2波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 複数のブロック上にそれぞれレーザダイオードを載置し、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるようにステム上にブロックを配置して多波長半導体レーザ装置を構成する。複数のレーザダイオードの発光点間の光学設計を容易にし、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】YAG溶接を用いることなく調芯固定して実装することができる機能を有し、また安価に製造可能なレンズ部品と、その実装構造を備えたキャリア部品からなる発光モジュールを提供する。
【解決手段】サブマウントに搭載された半導体レーザ14と、該半導体レーザから出射される光を集光するレンズ部品16とが実装されたキャリア13を、パッケージ内に収納してなる発光モジュールであって、レンズ部品16はメタライズ加工部19を有し、キャリア13の実装面にメタライズ加工部を半田付け17して固定される。レンズ部品のメタライズ加工部は、キャリアの実装面に対向する面と、該面に直交し連接するレンズ部に達しない範囲の前面および背面の3面のうち、少なくとも1面に形成される。 (もっと読む)


【課題】層間の位置ずれを簡単に定量的に求めることができるパッケージ部材を提供する。
【解決手段】 チップマウント部21、PDマウント部22、複数の接続端子、金めっき部24などを有するセラミックパッケージであり、チップマウント部21は、セラミック層Aにおける面発光レーザアレイチップが実装される部分である。PDマウント部22は、セラミック層Aの+c側に積層されているセラミック層Bに設けられ、その四隅に開口部25が形成されている。セラミック層Aの+c側の面には、セラミック層Bの開口部25を介して観察できる部分にスケールScが形成されている。 (もっと読む)


【課題】低いコストで、発光素子側の取付面と基板側の取付面とを精度よく平行に固定する。
【解決手段】基板1(配線板)のパッド2a上にはんだ層(はんだ6)を形成する(はんだ層形成工程)。前記はんだ層の上に、一定サイズの導電性または絶縁性の粒子(複数の粒状体)を含有し、有機酸を含有または有機酸の硬化剤を有する熱硬化性樹脂(熱硬化性エポキシ樹脂8)を配置する(樹脂層形成工程)。裏面に金属層4を設けた半導体発光素子3(発光素子)を押し付け、前記熱硬化性樹脂の硬化開始温度以上かつ前記はんだ6の融点以上に加熱し、加圧する(加圧工程、加熱工程)。前記発光素子は、前記複数の粒状体をはさんだ状態で前記配線板とはんだ接合し、前記熱硬化性樹脂が硬化する。 (もっと読む)


【課題】光モジュールの製造を容易に行うことが可能な光モジュールの調芯装置を提供する。
【解決手段】回路基板13上に搭載され、発光素子または受光素子を含む光素子27と、フェルールなどの保持部材とともに光ファイバの端末が挿入されるスリーブ34と、光素子27と光ファイバとを光学的に結合する光学系39を有するスリーブ部材32と、を結合してなる光モジュールの製造において、イメージガイドファイバ93を外皮94で覆ってなるファイバガイド90を有する調芯装置により、ファイバガイド90の一方の端面91側の端末部をスリーブ34に挿入して、スリーブ34および光素子27の像をイメージガイドファイバ93の他端から観察することにより、スリーブ部材32と光素子27との相対的な位置を調節する。 (もっと読む)


【課題】 リッジ部への応力の集中を避けることが可能であると共に傾くことを抑制可能なIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体レーザ1は、リッジ部24を含むIII族窒化物半導体積層20と、III族窒化物半導体積層20の上に設けられた絶縁膜60と、リッジ部24の上面24aと接合を成すp電極71と、絶縁膜60及びp電極71の上に設けられたpパッド電極72と、絶縁膜60の上に設けられた第1の擬似パッド81及び第2の擬似パッド82とを備える。III族窒化物半導体積層20は、順に配列された第1の部分21、第2の部分22及び第3の部分23を有する。第2の部分22は前記リッジ部24を含む。第1の擬似パッド81は第1の部分21の上に設けられ、第2の擬似パッド82は第3の部分23の上に設けられている。 (もっと読む)


【課題】コストダウンできるとともに組み立てが容易な光源装置を提供する。
【解決手段】光源装置12は、入射面3aと、出射面3bと、前記入射面3aと前記出射面3bとを接続する側反射面を有する導光部材3と、前記入射面3a側に配置したレーザ素子23と、前記出射面3b側に当接または近接配置された蛍光体7とを備える。前記導光部材3は屈折率分布ない均一な内部構造である。前記レーザ素子23から出射されたレーザ光は前記入射面3a側から入射され、前記側反射面により全反射されて前記出射面3bから出射される。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い光モジュールを製造することができる光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光モジュール1の製造方法は、はんだ付けにより固定された光ファイバ10を備える光モジュール1の製造方法であって、クラッド12の一部に第1、第2メタライズ層16、17が設けられた光ファイバ10を準備する準備工程P1と、光ファイバ10がはんだ付けされる位置が、第1、第2メタライズ層16、17の位置となるように、光ファイバ10を配置する配置工程P2と、光ファイバ10のクラッド12に光を入射し、光の少なくとも一部を第1、第2メタライズ層16、17で吸収させることで、第1、第2メタライズ層16、17を加熱する加熱工程P3と、第1、第2メタライズ層16、17が加熱されている状態で、光ファイバ10をはんだ付けするはんだ付け工程P4と、を備える。 (もっと読む)


【課題】上部クラッド層とp型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子101は、n型クラッド層14、n型クラッド層14上に形成されたn型ガイド層15、n型ガイド層15上に形成された発光層10、および発光層10上に形成されたp型半導体層12を備え、p型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造2と、p型半導体層12上に形成された透明電極5とを含む。透明電極5は、酸化インジウム系の材料からなる第1導電性膜21と、第1導電性膜21上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第2導電性膜22とを含む。 (もっと読む)


【課題】側面における半田材の這い上がりを抑制する。
【解決手段】量子カスケード半導体レーザ1は、下部クラッド層11、コア層13および上部クラッド層15を含む半導体積層20と、半導体積層20の主面16a上に設けられた絶縁層41と、絶縁層41の開口部41aを介して主面16aに接続された上部電極E1とを備える。半導体積層20は、法線軸NVに直交する一方向に沿って順に配置された第1領域20a、第2領域20bおよび第3領域20cからなり、第1領域20aおよび第3領域20cの各々には、法線軸NVおよび一方向に直交する他方向に沿って半田閉込溝32が設けられ、絶縁層41は、主面16aおよび半田閉込溝32に設けられ、第1領域20aおよび第3領域20cは第2領域20bより低い。 (もっと読む)


【課題】 光モジュールの設計自由度を向上する。
【解決手段】 同じ向きに光出射するように複数の光素子がアレイ状に並んで集積された光素子アレイを備えた光モジュールにおいて、前記複数の光素子のそれぞれが前記光素子が並んだ方向に第1電極と第2電極とを備えさせ、隣接する光素子の前記第1電極と前記第2電極を鏡像配置にする。 (もっと読む)


【課題】緑色レーザダイオードの寿命を延ばすことができるレーザダイオード組立体を提供する。
【解決手段】レーザダイオード組立体1Aは、レーザダイオード10と、実装面51a上に設けられた金属膜52を有するマウント部材50とを備える。レーザダイオード10は、III族窒化物半導体の半極性面を含む主面12aを有する半導体基板12と、III族窒化物半導体から成り500nm以上の波長の光を発光する活性層34を含む半導体積層構造14と、半導体積層構造14上に設けられたアノード電極16と、半導体基板12の裏面上に設けられたカソード電極18とを有する。レーザダイオード10のカソード電極18は、導電性接着剤53を介して金属膜52に接合されている。半導体基板12の裏面12bの面積Aを光共振器の長さLで除した値(A/L)は、200μm以上500μm以下である。 (もっと読む)


【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールの高周波特性を向上する。
【解決手段】ステム1のステムマウント1cには、ヒートシンク6aの裏面がメタライズにより電気的に接続され、ヒートシンク6aの表面に配線パタン6b,6c,6d,6eが形成されると共にLD素子5が搭載される。LD素子5のカソードには、リード端子2a,ワイヤ4a,配線パタン6bにより高周波電気信号が供給され、そのアノードには、リード端子2b,ワイヤ4b,配線パタン6c,ワイヤ4cにより高周波電気信号が供給される。配線パタン6d,6eはリード端子2a,2bに電気的に接続され、その接続点より先がオープンスタブ10a,10bとなり容量付加がされ、伝送線路103a,103bの特性インピーダンスを下げ、伝送線路102a,102b−103a,103bの界面の反射を防止して高周波特性を向上した。 (もっと読む)


【課題】電気−光変換効率を十分に高めることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ装置1は、ヒートシンク2の一方面2c側にサブマウント4を介してレーザダイオード3を接合してなる半導体レーザ装置であって、ヒートシンク2の一方面2cとサブマウント4の他方面4dとは、ヒートシンク2とサブマウント4との間に位置するハンダ接合部9によって互いに接合され、ハンダ接合部9の端部には、ハンダ接合部9よりも隆起し、ヒートシンク2の一方面2cとサブマウント4の側面4e,4f,4g,4hとを接合するハンダ接合部10が設けられている。このハンダ接合部10により、ヒートシンク2とサブマウント4との間の接合面積が大きくなるため、ヒートシンク2とサブマウント4との間の電気抵抗が低減され、電気−光変換効率を十分に高めることができる。 (もっと読む)


【課題】同一基板上の複数個の光素子からの漏れ光等が隣り合う光素子等に影響しにくくして、クロストークノイズを大幅に低減できるようにした光モジュールを提供する。
【解決手段】基板1の第1溝1a内の内部導波路16と、ミラー部15と、光素子12a,12bと外部導波路2を備えている。基板1の第1溝1aは複数本が独立状態で略平行に形成され、隣り合う第1溝1a−1,1a−2同士は基板1の端面からの長さL1,L2を異ならせている。この長さの異なる第1溝1a−1,1a−2の先端部にそれぞれ形成されたミラー部15と対向するように、光素子12a,12bが基板1の表面に実装されている。 (もっと読む)


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