【課題】 広い波長選択幅を実現する半導体レーザおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、利得領域と光吸収領域とを備え、回折格子部とスペース部とからなるセグメントが前記利得領域および前記光吸収領域に対応して複数接続して設けられ、利得スペクトルのピーク波長が第１の周期を持つ第１回折格子領域を有し、前記光吸収領域は、ｎ´−ｉ×ｋで表される前記光吸収領域の複素屈折率ｎが変化したとき、−１０≦Δｎ´／Δｋ≦１０を満たす（ｎは前記光吸収領域の複素屈折率、ｉは虚数単位、ｋは消衰係数、Δｎ´はｎが変化した場合のｎ´の変化量、Δｋはｎが変化した場合のｋの変化量を示す）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】回折格子４ａ及び第１の活性層３を含む第１の導波路１３ａ、及び第１の導波路１３ａの上方に形成される第１の電極８ａを有する半導体レーザ１３と、第１の導波路１３aの第１の活性層３に連接する第２の活性層３を含む第２の導波路１４ａ、及び第２の導波路１４の上方に形成される第２の電極８ｂを有する光半導体増幅素子１３と、半導体レーザ１３に熱的に接続され、電流注入領域２〜５と第３の電極８ｃを有する温度調整素子１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易な光変調器付き面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置１０は、ＶＣＳＥＬ１０Ａと光変調器１０Ｂとを含む。ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。光変調器１０Ｂは、上部ＤＢＲ１０６上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｐ型の第１の透明半導体膜１２０と、第１の透明半導体膜１２０上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｎ型の第２の透明半導体膜１２２と、第２の透明半導体膜１２２に電気的に接続された変調電極１３０とを含む。ｐ型電極１１０は、第１の透明半導体膜１２０にも電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の波長帯の光を発光可能な半導体発光素子を高光出力で動作させることが出来る半導体発光素子の駆動方法、発光装置、および当該発光装置を用いた小型且つ高性能な光パルス試験器を提供する。
【解決手段】１．５５μｍ帯に利得波長λ₁を有する活性層１３ａと１．３μｍ帯に利得波長λ₂を有する活性層１３ｂが、光の導波方向に沿って光学的に結合されて、利得波長λ₁、λ₂の長さの順に直列に配置され、短い利得波長λ₂を有する活性層１３ｂ近傍、且つ、活性層１３ａと活性層１３ｂのバットジョイント結合部１９近傍に、短い利得波長λ₂のブラッグ波長を有する回折格子２０が形成された構成が形成された半導体発光素子の駆動方法であって、活性層１３ａへ駆動電流を印加するときに、活性層１３ｂへ漏れ電流が流れ込まないように、活性層１３ｂの上方に設けられた上部電極と半導体基板の底面に設けられた下部電極とを短絡する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、レーザ光の光パルス及びレーザ光の変調の同期が容易に得られる記録装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１及び外部共振器を含むモードロックレーザ部２１０と、このモードロックレーザ部２１０から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調手段２と、マスタークロック信号を生成すると共に、このマスタークロック信号に同期した信号を半導体レーザ１のゲイン部１１６に供給する、基準信号生成部１５と、マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成する記録信号生成部１６と、記録信号に基づいて、光変調手段２を駆動する駆動パルスを生成する駆動回路１７とを含んで、光記録媒体２１に情報を記録する記録装置２００を構成する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を抑えつつ低消費電力化を図ることができる波長可変レーザ駆動回路を提供する。
【解決手段】波長可変レーザ駆動回路１Ａは、ＳＧ−ＤＦＢ領域１１、ＳＧ−ＤＢＲ領域１２、および半導体光増幅領域１３を有する波長可変レーザ素子１０を駆動する回路であって、ＳＧ−ＤＦＢ領域１１、ＳＧ−ＤＢＲ領域１２及び半導体光増幅領域１３のうち少なくとも二つの領域と電流源或いは電圧源を介して電気的に接続された出力端を有するＤＣ−ＤＣコンバータ２０と、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０の制御端子と電気的に接続され、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０の出力電圧Ｖｏｕｔを制御する電圧制御部３０とを備える。電圧制御部３０は、上記少なくとも二つの領域の電圧を個別にモニタし、上記少なくとも二つの領域に印加すべき電圧の最大値を所定電圧だけ超えるようにＤＣ−ＤＣコンバータ２０の出力電圧Ｖｏｕｔを増減する。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザの波長調整精度を高めた波長可変レーザ装置を提供する。
【解決手段】 目標波長に一致するように、位相調整信号60、同方向性光結合器フィルタ調整信号59、DBR反射鏡型フィルタ調整信号61の順に、電流値の制御タイミングを設定する。 （もっと読む）

【課題】レーザ共振器部と光増幅器部とを備える半導体レーザ素子であって、光増幅器の動作状態の切り替えにより生じるレーザ共振器の発振波長のゆらぎを抑制する半導体レーザのゆらぎを抑制する波長安定性の高い半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】光増幅器のレーザ共振器側の端部を取り囲む領域に、発熱体を形成させる。光増幅器が遮断状態にあるとき、発熱体を発熱させることにより、レーザ共振器の光増幅器側の端部の温度分布を、光増幅器が増幅状態にあるときに近づける。 （もっと読む）

半導体発光素子は、エミッタとコレクタ領域の間のベース領域を有するヘテロ結合バイポーラ発光トランジスタと、エミッタ、ベース、およびコレクタ領域それぞれで、結合電気信号ためのエミッタ、ベース、およびコレクタ電極と、前記ベース領域の中に量子サイズ領域とを備え、前記ベース領域は、前記量子サイズ領域のエミッタ側上に第１のベースサブ領域と、前記量子サイズ領域のコレクタ側上に第２のベースサブ領域を備え、前記第１と第２のベースサブ領域は非対称バンド構造を有する。２端子半導体構造から光放射を生み出すための方法は、第１の伝導型のエミッタ領域と、第１の伝導型の領域と反対に第２の伝導型のベース領域の間に第１の半導体接合、および前記ベース領域とドレイン領域との間に第２の半導体接合を含む半導体構造を提供するステップと、前記ベース領域の間に量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域に結合されたベース／ドレイン電極を提供するステップとを含み、前記半導体構造から光放射を得るため、前記エミッタおよび前記ベース／ドレイン電極に信号を印加する。 （もっと読む）

【課題】 部品点数、組立工数等の増大を抑制でき、かつ、最適動作点を検出することができる波長可変レーザの試験方法、波長可変レーザの制御方法およびレーザ装置を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ（１０）の試験方法は、共振器内に異なる波長特性のピークを有する波長選択部（１１，１２）を複数備えた波長可変レーザの試験方法であって、初期設定値に基づいて波長可変レーザに所定の波長で発振させる第１ステップと、複数の波長選択部の波長特性を変化させながら波長可変レーザの利得状態の変化の不連続点を検出する第２ステップと、不連続点が検出された時点を所定波長における発振状態の限界点とし限界点に基づいて波長選択部の安定動作点を演算する第３ステップと、を含む。 （もっと読む）

発明の特定の実施形態は全般的に半導体レーザ及びレーザ走査システムに関し、さらに詳しくは、半導体レーザを制御するための方式に関する。発明の一実施形態にしたがえばレーザはコード化データの発光のために構成される。発光の少なくとも１つのパラメータは、半導体レーザの利得区画(１６)に注入される駆動電流Ｉ_利得及び１つないしさらに多くの別の駆動電流Ｉ/Ｖ_位相，Ｉ/Ｖ_ＤＢＲの関数である。複数のキャビティモードがそれぞれの波長回復部(ｔ_Ｒ)において自由スペクトル範囲の１/２シフトされるように、駆動電流Ｉ_利得内の波長回復部と同期された位相シフト信号Ｉ/Ｖ_０を位相区画(１４)に印加することによって、半導体レーザにおけるモード選択が変更される。このようにすれば、レーザの波長または強度プロファイルのパターン化された変動を乱して、そうでなければレーザの出力において容易に認知され得る、パターン化された欠陥を隠すことができる。
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【課題】 ヒータが劣化した場合でも所望の光特性が得られる、半導体レーザの制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ（１０）の制御方法は、ヒータ（１４）によって屈折率が制御される波長選択部（１１）を有する半導体レーザの制御方法であって、ヒータの発熱量が規定値に到達するまで発熱量を調整する第１ステップを含む起動シーケンスと、起動シーケンスの完了後、半導体レーザの発振波長の検出結果に基づいて半導体レーザの波長を補正する第２ステップを含む波長制御シーケンスと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 温度制御装置による温度制御を行った場合においても所望の発振波長が得られる、半導体レーザの制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ（１０）の制御方法は、波長特性が異なる複数の波長選択部（１１，１２）を備え温度制御装置（２０）に搭載された半導体レーザの制御方法であって、半導体レーザの出力波長の検出結果に基づいて温度制御装置の温度を補正する第１ステップと、温度制御装置の温度補正によって変動する複数の波長選択部の波長特性の変動差を縮小する制御を複数の波長選択部の少なくとも１つに実施する第２ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】同軸パッケージ（ＣＡＮパッケージ）のＬＤモジュールに収納可能な小型の波長モニタを備えた波長モニタ付レーザモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の波長モニタ付レーザモジュールは、レーザダイオードと、該レーザダイオードの出射光を光の波長に応じた光出力で検出する受光素子を備えた波長モニタ付レーザモジュールであって、前記受光素子の受光側に反射格子を設けた伝光板を配し、該伝光板は、前記反射格子で反射された光を上面、または下面の少なくとも一方で反射させながら前記受光素子へ集光するように案内するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】変調信号パターンに依存せずに安定した高階調の制御も可能な光波長変換装置ないし方法を提供することである。
【解決手段】光波長変換装置は、活性領域101bの両側に、反射率分布の異なる2つのDBR領域101a、101cを配置している。2つのDBR領域101a、101cには所定の電流を注入しておく。一方のDBR領域101cの電流量を減少させ、他方のDBR領域101aの電流量を増加させたときに2つの反射率分布がオーバーラップし、DBR発振が得られる。変調信号のパターンによる温度ドリフトがDBR領域101a、101cに発生しても、2つの反射率分布のシフトする方向は逆であってそれらの交差点の波長位置は変化しないので、発振波長は変化しない。 （もっと読む）

【課題】光集積素子に関し、ＣＷ光を入力として、低消費電力、且つ、低雑音でパルス幅が狭い光パルス列を生成することが可能な小型の光集積素子を実現しようとする。
【解決手段】波長可変レーザ１及び波長固定レーザ２からなる光源と、２つの半導体レーザ１及び２からの光を非線形効果に依る四光波混合を行って周波数コムを生成する半導体光増幅器５と、２つの半導体レーザ１及び２からの光が入力される半導体光検出器６とが集積化されてなることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】 ＬＳＩチップ上の配線に適用することができ、構成が極めて簡潔で、伝送レベル等の特性余裕も高く、特性再現性や信頼性の向上を図る。
【解決手段】 レーザ誘導光配線装置であって、基板１と、基板１上に離間して設けられた第１及び第２の光反射部８ａ，８ｂと、基板１上に設けられ、第１及び第２の光反射部８ａ，８ｂを光結合して光共振器を構成するための第１の光導波路３と、光導波路３中に設けられ、第１及び第２の光反射部８ａ，８ｂと共にレーザ発振器を構成する第１の光利得部２ａと、光導波路３中に第１の光利得部２ａとは離間して設けられ、第１及び第２の光反射部８ａ，８ｂと共にレーザ発振器を構成する第２の光利得部２ｂと、を具備した。 （もっと読む）

レーザ発振可能な光源(101)が注入される光信号によって波長ロックされる、さまざまな方法、システム、装置を説明する。ファブリペロン・レーザ・ダイオードなどのレーザ発振可能な光源(101)は１つまたは複数のファセットに反射防止膜を有する。レーザ発振可能な光源(101)は、広帯域光源(113)からの光信号のスペクトル・スライスを受け入れて、そのレーザ発振可能な光源(101)の出力波長を、注入される光信号の帯域幅内に波長ロックする。注入される光が増幅され波長ロックされた後に前方ファセットから反射して戻されるように、電流ポンプ(141)がレーザ発振可能な光源(101)をバイアスして、反射再生半導体光増幅器として動作する。この電流ポンプ(141)は、レーザ発振可能な光源(101)の中へ外部から注入された狭帯域光信号が注入される非干渉性光の帯域幅の外側のレーザ発振を抑圧するように、レーザ発振可能な光源(101)をバイアスする。
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【課題】様々な選択された光出力を得るための好ましい信号処理が可能で、光波混合変調レーザトランジスタ及びその技術を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその技術を作り出すことである。
【解決手段】光出力を作り出す方法は、以下の工程、つまり第１及び第２の電気信号を提供する；コレクタ領域、ベース領域、及びエミッタ領域を含むバイポーラ発光トランジスタ素子を提供する；コレクタ領域に結合されるコレクタ電極及びエミッタ領域に結合されるエミッタ電極を提供し、及び電位をコレクタ電極及びエミッタ電極に対して結合する；ベース領域との光通信における光結合器を提供する；ベース領域に結合される第１及び第２のベース電極を提供する；及び第１及び第２の電気信号をそれぞれ第１及び第２の電極に結合して、ベース領域から放出され及び光結合器に結合される光出力を作り出すという工程を含み、その光出力は、第１及び第２の電気信号の関数である。また、改良されたｐｎｐトランジスタレーザと出力レーザパルスを作り出す誘導放出モードと自然放出モード間を交互に切り替える技術も開示されている。 （もっと読む）