【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】 ヒータが劣化した場合でも所望の光特性が得られる、半導体レーザ装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置の制御方法は、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含みヒータによって屈折率が制御される第１波長選択部と、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含む第２波長選択部とを備える半導体レーザと、半導体レーザの発振波長の測定結果に基づいて半導体レーザのパラメータを規定値に補正する波長ロッカ部を備える半導体レーザ装置の制御方法であって、半導体レーザの再起動時に、固定された初期設定値を用いて半導体レーザを発振させる第１ステップと、第１ステップの後に、ヒータの発熱量が固定された規定範囲に入るまで発熱量を調整する第２ステップと、第２ステップの完了後、半導体レーザの発振波長の検出結果に基づいて、半導体レーザの波長を補正する第３ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は光伝送路を介して光信号を送信する際に、伝送距離に依らず最適な伝送特性の光信号を提供できる光送信器、光送信方法、及び光送信プログラムを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の光送信器１は、送信データを光信号に変換し光伝送路２に送信する光送信部３と、パルス光を光伝送路２へ入力し、光伝送路２からのパルス光の戻り光を計測し、その計測結果から光伝送路２の伝送距離を決定する伝送距離計測部６を備える。光送信器１は、伝送距離計測部６で決定された伝送距離から光送信部３の駆動条件を取得し、この駆動条件に基づき光送信部３の駆動を制御する駆動制御部５を更に備える。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＧ−ＤＢＲを備える半導体レーザにＳＢＳ抑圧技術を適用する際にバーニア特性を確保することができる、半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置は、回折格子部とスペース部とが連結されたセグメントが複数設けられ且つ複数のセグメントが同じ光学的長さでグループ分けされた複数のセグメント群を構成してなる反射領域とレーザ発振のための利得領域と複数のセグメント群のそれぞれに対応して設けられその等価屈折率を制御する複数の屈折率制御部とを備える半導体レーザと、複数の屈折率制御部を制御パラメータの少なくとも１つとして制御することで半導体レーザの発振波長を制御する波長制御部と、複数のセグメント群のうち内在するセグメント数が最も多いセグメント群の１つのみに対しそれに対応する前記屈折率制御部によりディザー入力をなすディザー制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 所望の波長において安定した光出力の光を得る。
【解決手段】 波長可変レーザ１００は、第１の回折格子３１ａが設けられた第１の光導波路１０ａを含むＤＦＢ部２と、第１の光導波路１０ａと光学的に結合しており、導波方向に複数の第２の回折格子３２ａが設けられた第２の光導波路１０ｂを含むＤＢＲ部３と、第１の光導波路１０ａ及び第２の光導波路１０ｂと光学的に結合している第３の光導波路１０ｃを含み、光導波路１０を導波する光の位相をシフトする位相シフト部４と、を備え、第２の回折格子３２ａは、屈折率が所定の周期で変化している回折格子形成領域３７と、回折格子位相シフト領域３６と、を含んで、第１の長さで構成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化を促進することができる可変波長レーザ素子および可変波長レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】可変波長レーザ光を出力する可変波長レーザ部１１と、可変波長レーザ部１１から出力される出力レーザ光の一部を分岐する分岐部１５とが集積され、分岐部１５を介して出力レーザ光の一部と残りのレーザ光とを、それぞれ出力モニタＰＤ１方向と光ファイバ７への出力光軸方向との異なる方向に出力し、出力光軸上に１つのビームスプリッタ４を設けて波長モニタを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォワードバイアスが印加されると光ゲインを発生する活性要素を有する活性セクション１０６と、吸収セクション２０６と、前記活性セクションおよび前記吸収セクションを含むウエイブガイド１０３と、光に対する帰還を供給するミラー１１６、１１７を備え、前記ウェイブガイドは、前記ミラーの間に配置され、また、装置は、パルスレーザ光を放射するパルス体制において動作可能であるデータ伝送光電子装置３００に関する。
【解決手段】本発明は、追加の変調器３０６と、電子光効果により変調可能である屈折率と、前記変調器の屈折率の変調を提供するための手段２１３を有している、追加の変調器の屈折率は、出力パルスレーザ光の繰り返し周波数が変化するように変えられ、また、前記ウェイブガイド１０３は、更に、前記追加の変調器３０６を含む。 （もっと読む）

【課題】伝送損失を受けた光信号を受信でき、応答が高速で、光信号を増幅しビットエラーレートを低減できる半導体光増幅素子および半導体光増幅素子駆動装置を提供する。
【解決手段】活性層２は、ＩｎＧａＡｓＰから構成される量子井戸構造を有し、可飽和吸収領域４と、光増幅領域５，６とを含む。可飽和吸収領域４には、ｐ電極１０を介して、光増幅領域５，６とは独立に電圧が印加される。光増幅領域５，６には、ｐ電極１１，１２を介して電流がそれぞれ注入される。入射面７から入射される入力光Ｐｉｎは、「１」または「０」の２値の光強度からなる光信号に白色雑音の雑音光を付加して生成されている。可飽和吸収領域４および光増幅領域５，６は、波長変換素子１が双安定状態の半導体レーザとなる条件で構成されている。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損失がなく、発振特性が安定で、製造コストの低い発光素子を提供する。
【解決手段】位相制御領域を持たない半導体光増幅器（ＳＯＡ）４と、リング共振器型波長可変フィルター部５とを備える。リング共振器型波長可変フィルター部５は、光路長のわずかに異なる複数のリング共振器６及びリング共振器の温度を制御するヒーター電極７などから構成されている。また、リング共振器型波長可変フィルター部５の接続導波路８の上に、押さえ治具３を用いて固定された圧電素子１を新たに備える。圧電素子１が接続導波路８に応力を印加し、印加された応力により、接続導波路８の屈折率及び物理長を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 新しい材料の開発や半導体以外の材料と組み合わせることなく、温度変化に対して、発振波長の安定性を向上する半導体レーザ装置および波長制御方法を提供すること。
【解決手段】 波長制御領域を有する半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子１の光出力を増幅する増幅器５と、増幅器５により増幅された半導体レーザ素子１の光出力を受光するフォトダイオード２と、半導体レーザ素子１の光出力をほぼ一定に保つ制御を行う光出力制御回路３と、光出力制御回路３からの電流を増幅器５と波長制御領域とに分配する電流分配回路４とを備える。このような構成において、増幅器５により増幅された半導体レーザ素子１の光出力を一定に保つように、フォトダイオード２により受光された光出力に応じて決定された電流をそれぞれ、波長制御領域および増幅器５に注入する。 （もっと読む）

【課題】 入力信号の状態の変化に応じて所望の出力信号を得られるように特性を最適化できる非線形半導体光素子駆動装置を提供する。
【解決手段】 フィードバック制御回路２は、双安定半導体レーザ５０の入出力特性を調整するための制御信号を出力する。温度制御回路３は、フィードバック制御回路２からの制御信号に従って、ペルチェクーラー２１の温度を制御する。可変抵抗制御部４は、フィードバック制御回路２からの制御信号に従って、双安定半導体レーザ５０の所望の入出力特性が得られるように可変抵抗５の抵抗値を調整する。確率共鳴制御回路６は、双安定半導体レーザ５０の入出力特性を調整するための制御信号を出力する。電流供給部７は、確率共鳴制御回路６からの制御信号に従って、確率共鳴効果が得られるように雑音が付加された電流を、ｐ型電極５４，５５を介して双安定半導体レーザ５０に注入する。 （もっと読む）

【課題】変調信号パターンに依存せずに安定した高階調の制御も可能な光波長変換装置ないし方法、その制御方法を提供することである。
【解決手段】光波長変換装置は、活性領域101aと位相領域101bとDBR領域101cを有するDBRレーザ101、DBRレーザ101からの基本波光を入射してその第2高調波光108を出力する光波長変換素子104、変調信号に応じてDBRレーザ101への注入電流を制御してその発振波長と光出力を制御する制御手段109を含む。制御手段109は、光波長変換素子104に入力される光エネルギーが一定となる様に、DBRレーザ101の光出力態様を制御する条件と、DBR領域101cの注入電流対発振波長特性が一定となる様にDBRレーザ101へ各周期において発生熱量一定態様で電流を注入する条件とを満たしつつ、変調信号に応じてDBRレーザ101への注入電流を制御してその発振波長と光出力を制御し、光波長変換素子104からの第2高調波光108の光量を変調信号に応じて変調する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザのモードホップを抑圧し、広い波長範囲で連続的に波長可変の動作を実現する。
【解決手段】半導体レーザ２３からの放射光の一部を波長検出器９に入力し、波長に応じた電気信号を得て、この電気信号に基づいて半導体レーザ２３の位相調整領域２の電流を変化させる。この変化に連動して前方ミラー領域４への注入電流と後方ミラー領域４の注入電流とを、位相調整領域２の電流変化より少ない値で変化させる。この結果、位相調整領域の電流のみを変化させる方式と比較すれば２倍以上の波長範囲を連続的に変化でき、安定性の高い波長安定化光源を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 駆動に必要な高周波電気信号の電力を低減し、光損失を小さくしてレーザの閾値電流を下げ、強度変調を抑えた高品質の光パルス列を生成する。
【解決手段】 半導体モード同期レーザの電界吸収型光変調器領域を、光の進行方向に配置された光学的に直列接続された２つの電界吸収型光変調器領域１０３，１０４に分割する。発振器１０２にて発信した高周波電気信号を電力分配器１０６にて分配し、分配した一方の高周波電気信号を電界吸収型光変調器領域１０３に印加する。分配した他方の高周波電気信号は、遅延線１０９にて位相をπ遅延させてから、電界吸収型光変調器領域１０３に印加する。 （もっと読む）