【課題】 広い波長選択幅を実現する半導体レーザおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、利得領域と光吸収領域とを備え、回折格子部とスペース部とからなるセグメントが前記利得領域および前記光吸収領域に対応して複数接続して設けられ、利得スペクトルのピーク波長が第１の周期を持つ第１回折格子領域を有し、前記光吸収領域は、ｎ´−ｉ×ｋで表される前記光吸収領域の複素屈折率ｎが変化したとき、−１０≦Δｎ´／Δｋ≦１０を満たす（ｎは前記光吸収領域の複素屈折率、ｉは虚数単位、ｋは消衰係数、Δｎ´はｎが変化した場合のｎ´の変化量、Δｋはｎが変化した場合のｋの変化量を示す）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の光強度を向上させる。
【解決手段】一実施の形態によるレーザ装置は、少なくとも１つの半導体レーザを含み、所定波長のパルスレーザ光を出力するように構成されたマスタオシレータと、少なくとも１つの増幅波長領域を有し、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光を増幅するように構成された少なくとも１つの増幅器と、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の波長のチャーピング範囲が前記少なくとも１つの増幅波長領域の少なくとも一部と重なるように、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の出力波長に影響するパラメータを制御するための制御部と、を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 ヒータが劣化した場合でも所望の光特性が得られる、半導体レーザ装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置の制御方法は、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含みヒータによって屈折率が制御される第１波長選択部と、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含む第２波長選択部とを備える半導体レーザと、半導体レーザの発振波長の測定結果に基づいて半導体レーザのパラメータを規定値に補正する波長ロッカ部を備える半導体レーザ装置の制御方法であって、半導体レーザの再起動時に、固定された初期設定値を用いて半導体レーザを発振させる第１ステップと、第１ステップの後に、ヒータの発熱量が固定された規定範囲に入るまで発熱量を調整する第２ステップと、第２ステップの完了後、半導体レーザの発振波長の検出結果に基づいて、半導体レーザの波長を補正する第３ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のスポット位置の調節が可能なレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】光源と、前記光源から発射するレーザ光を集光する集光レンズ部と、前記レーザ光を偏向する光偏向素子と、前記集光レンズ部により集光された前記レーザ光を伝搬する光学素子を有するレーザ光源装置であって、前記光偏向素子は、液晶素子、音響光学素子、電気光学素子のいずれかにより形成されており、前記光偏向素子に印加される電圧によって生じる電位分布に応じて前記レーザ光が前記光学素子に集光する方向を偏向するレーザ光源装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてダークチューニングで発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、波長可変半導体レーザとマッハツェンダ変調器との間に設けられ、波長可変半導体レーザから半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、半導体マッハツェンダ変調器を透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、波長検知部の検知結果に基づいて波長可変半導体レーザの出力波長を調整する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長帯の光を発光可能な半導体発光素子を高光出力で動作させることが出来る半導体発光素子の駆動方法、発光装置、および当該発光装置を用いた小型且つ高性能な光パルス試験器を提供する。
【解決手段】１．５５μｍ帯に利得波長λ₁を有する活性層１３ａと１．３μｍ帯に利得波長λ₂を有する活性層１３ｂが、光の導波方向に沿って光学的に結合されて、利得波長λ₁、λ₂の長さの順に直列に配置され、短い利得波長λ₂を有する活性層１３ｂ近傍、且つ、活性層１３ａと活性層１３ｂのバットジョイント結合部１９近傍に、短い利得波長λ₂のブラッグ波長を有する回折格子２０が形成された構成が形成された半導体発光素子の駆動方法であって、活性層１３ａへ駆動電流を印加するときに、活性層１３ｂへ漏れ電流が流れ込まないように、活性層１３ｂの上方に設けられた上部電極と半導体基板の底面に設けられた下部電極とを短絡する。 （もっと読む）

【課題】１つのエタロンフィルタを用いてレーザ光の波長の周波数間隔を複数の異なる周波数間隔に制御すること。
【解決手段】エタロンフィルタ７の透過特性の周波数的な周期は、レーザ光源２から出射されるレーザ光の波長の目標周波数間隔よりも大きく、制御装置１５は、レーザ光源２から出射されるレーザ光の波長の目標周波数間隔に応じてエタロンフィルタ７の温度を制御することによってエタロンフィルタ７の透過特性を波長方向にシフトさせる。これにより、１つのエタロンフィルタを用いてレーザ光の波長の周波数間隔を複数の異なる周波数間隔に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉｎｔ数が抑制された半導体レーザを提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、両端が回折格子によって挟まれたスペース部と回折格子部とが連結されたセグメントが複数設けられた第１反射器と、前記第１反射器に対応して設けられた導波路とを備え、前記導波路は、前記セグメントのうち隣接する２つのセグメントの両方にまたがって延在する利得領域と、前記セグメントのうち隣接する２つのセグメントの両方にまたがって延在する屈折率可変領域とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザー装置に関して、入出力特性及び出力波長の温度依存性が小さく、出力波長の動的な微調整が可能な半導体レーザー装置を提供すること。
【解決手段】構成要素として、半導体レーザー装置の発光体として機能する量子ドットを有する化合物半導体と、該量子ドットへの電流注入のためのｐ型化合物半導体、ｎ型化合物半導体、ｐ型電極、ｎ型電極、及び各電極と接続された配線と、グレーティング構造を有するシリコン層と、該化合物半導体と該シリコン層との間に設けられた該半導体レーザー装置のクラッドとして機能する有機ポリマーと、該半導体レーザー装置の動的調整機構を構成するシリコン層、電気配線と、該シリコン層を支持する低屈折率絶縁性材料と、デバイス支持基板とを含むことを特徴とする半導体レーザー装置。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザの波長調整精度を高めた波長可変レーザ装置を提供する。
【解決手段】 目標波長に一致するように、位相調整信号60、同方向性光結合器フィルタ調整信号59、DBR反射鏡型フィルタ調整信号61の順に、電流値の制御タイミングを設定する。 （もっと読む）

【課題】 制御性良く発振波長を実現することの可能な波長可変レーザの制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザの制御方法は、異なる波長ピークを有する複数の波長選択部の組み合わせにより発振波長を選択する波長可変レーザの制御方法であって、発振波長を第１波長から第２波長へ変更する過程において少なくとも１つの波長選択部の設定値を制御する場合において、第１波長を実現するための第１設定値を、第２波長を実現するための第２設定値へ変更する場合における波長選択部の制御方向を確認する第１ステップと、第１ステップによって得られた制御方向があらかじめ定められた制御方向とは逆の場合には第２設定値よりも当該逆の方向に大きい値を準備設定値として波長選択部に設定する第２ステップと、第２ステップによって設定された準備設定値を第２設定値へ変更する第３ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速かつ波長分散耐性の高い伝送を行うための光変調信号生成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る光変調信号生成方法は、周波数変調信号を生成して出力する周波数変調光源と、強度変調信号を生成し、前記周波数変調信号を入力して、前記強度変調信号によって周波数変調信号に強度変調を付加する強度変調器とから構成される光変調信号生成装置を利用して光変調信号を生成する光変調信号生成方法であり、前記光変調信号生成装置は、前記周波数変調光源と前記強度変調器とを同一のビットパターンを用いて駆動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ヒータにおいて発生した熱によって光導波路を効率よく加熱することができる光半導体装置、レーザチップおよびレーザモジュールを提供する。
【解決手段】 光半導体装置（１００）は、半導体基板（１０１）と、半導体基板上に設けられ半導体基板の幅よりも小さい幅を有する光半導体領域（１０２）と、光半導体領域上に設けられたヒータ（１０３）とを備え、光半導体領域は、クラッド領域（１０４）と、クラッド領域内に設けられかつクラッド領域の屈折率よりも大きい屈折率を有する光導波路層（１０５）と、光導波路層と半導体基板との間に設けられかつクラッド領域の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する低熱伝導率層（１０６）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 所望の波長において安定した光出力の光を得る。
【解決手段】 波長可変レーザ１００は、第１の回折格子３１ａが設けられた第１の光導波路１０ａを含むＤＦＢ部２と、第１の光導波路１０ａと光学的に結合しており、導波方向に複数の第２の回折格子３２ａが設けられた第２の光導波路１０ｂを含むＤＢＲ部３と、第１の光導波路１０ａ及び第２の光導波路１０ｂと光学的に結合している第３の光導波路１０ｃを含み、光導波路１０を導波する光の位相をシフトする位相シフト部４と、を備え、第２の回折格子３２ａは、屈折率が所定の周期で変化している回折格子形成領域３７と、回折格子位相シフト領域３６と、を含んで、第１の長さで構成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ共振器部と光増幅器部とを備える半導体レーザ素子であって、光増幅器の動作状態の切り替えにより生じるレーザ共振器の発振波長のゆらぎを抑制する半導体レーザのゆらぎを抑制する波長安定性の高い半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】光増幅器のレーザ共振器側の端部を取り囲む領域に、発熱体を形成させる。光増幅器が遮断状態にあるとき、発熱体を発熱させることにより、レーザ共振器の光増幅器側の端部の温度分布を、光増幅器が増幅状態にあるときに近づける。 （もっと読む）

ＤＢＲレーザダイオードを制御する方法が提供され、ＤＢＲ部の後方格子部分の反射率がＤＢＲ部の前方格子部分の反射率よりも低くなるように、前方および後方ＤＢＲ部加熱素子が制御されることを特徴とする。この手法において、発振モード選択は前方格子部分に支配され、そして前方ＤＢＲ部加熱素子は、波長を調整するよう制御することができる。さらに、後方ＤＢＲ部加熱素子を制御して、ＤＢＲ反射スペクトルのスペクトル帯域幅を狭くすることができる。さらなる実施形態が開示され請求される。
（もっと読む）

【課題】広帯域において良好な光送信波形品質が得られる状況を維持しつつ、光送信モジュールの小型化が可能な光送信機及び光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール２は、半導体レーザダイオード素子１０と、光変調器素子１２と、第１の終端抵抗回路１４−１と、を備える。プリント回路基板４は、ドライバＩＣ１６と、第２の終端抵抗回路１４−２と、を備える。第１の終端抵抗回路１４−１の低域遮断周波数と、第２の終端抵抗回路１４−２の高域遮断周波数と、が対応し、第１の終端抵抗回路１４−１の透過周波数帯域におけるインピーダンスと、第２の終端抵抗回路１４−２の透過周波数帯域におけるインピーダンスと、が対応するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型レーザのモードホップノイズを小さくして、精密な温度制御を必要としない、低価格且つ低ノイズの光送信装置を提供すること。
【解決手段】光増幅ユニットと、回折格子が設けられた第２のコア層を含み、前記光増幅ユニットに光学的に結合した光導波路を備えた光導波路ユニットとを有するレーザ光生成装置と、前記光増幅ユニットに電気信号を印加して、前記電流を前記半導体層に注入する電気信号源を具備し、前記レーザ光生成装置は、前記電気信号に従って、前記光反射面と前記回折格子が形成する光共振器の複数の共振器モードでレーザ発振する第１の状態と、前記第１の状態より発光強度が小さい第２の状態の間を往復して光信号を発生し、更に、前記共振器モードの間隔に相当する周波数が、前記電気信号のビットレートに対応する周波数より高いこと。 （もっと読む）

レーザ処理システムは、選択的に整形されたバースト包絡線を有する超高速レーザパルスのバーストを供給する。バーストパルスレーザは、列中の各パルスが独立して制御された振幅を有するパルスの列を送り出すために高い繰返し率の超高速レーザを含む。群の中の各超高速パルスのそれぞれの振幅は「バースト包絡線」を規定する。バースト包絡線内の各超高速パルスの振幅を独立して制御することに加えて、このシステムは、各超高速パルス間の間隔、及び/又はバースト包絡線の全時間幅の選択的制御を行うこともできる。したがって、このシステムは、特定のレーザ処理用途のためにバースト包絡線の選択的整形を行う。 （もっと読む）

【課題】 電力消費量を抑制しつつ発振波長を選択することができる半導体レーザの制御方法およびレーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザの制御方法は、回折格子を有する回折格子部にスペース部が連結されたセグメントを複数有する分布反射領域（１１）を備えた半導体レーザ（１０）において、複数のセグメントそれぞれの屈折率制御に用いるパラメータ値の差を実質的に一定に制御するステップと、パラメータ値の差を保ちつつパラメータの基底値とパラメータ値との間にセグメントの周期的な波長特性が１周期以上介在する場合にパラメータ値を基底値側に周期単位でシフトさせるステップと、を含む。 （もっと読む）