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Fターム[5G321DB13]の内容

Fターム[5G321DB13]に分類される特許

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【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶(超伝導特性を示さない結晶)の析出量が少なく、短時間の処理でBi系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、(1)Bi−Sr−Cu−O系非晶質材料とCa化合物とを接触させた状態、又は(2)Bi−Ca−Cu−O系非晶質材料とSr化合物とを接触させた状態、又は(3)Bi−Sr−Cu−O系非晶質材料とBi−Ca−Cu−O系非晶質材料とを接触させた状態で熱処理し、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】臨界電流密度の特性に優れ、かつ剥離を防止した超電導体厚膜を容易に製造することができる酸化物超電導体厚膜の製造方法、酸化物超電導体厚膜、これを用いた磁場遮蔽体及び超電導限流器を提供する。
【解決手段】基体1の表面を粗面化し、当該表面に、実質的に(Bi、Pb)2+aSrCaCu(ただし、0<a<0.5)の組成を有する酸化物超電導体厚膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】配向性の良好な超伝導結晶を連続的に形成できるBi系ガラス材料及び及び超伝導材料の製造方法を提案する。
【解決手段】Bi系ガラスのガラス組成として、下記酸化物基準のモル%で、Bi10〜50%、SrO30〜60%、CaO5〜30%、CuO0〜10%を含有することを特徴とする。また、超伝導材料の製造方法は、銅又は銅合金の表面に、上記のBi系ガラスを接触させた状態で熱処理し、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高いJcを発揮する超電導特性と、厚膜と基体との間の強い密着強度とを両立させ得る酸化物超電導体厚膜およびその製造方法、並びに、当該酸化物超電導体厚膜を製造するための酸化物超電導体厚膜製造用ペーストを提供する。
【解決方法】Bi、PbO、SrCO、CaCO、CuOの各粉末を、所定のモル比となるように混合して混合粉とし、これを仮焼して仮焼粉とし、これを粉砕して超電導合成粉を得た。この超電導合成粉中へ易移動Pb化合物を添加混合し、さらに、有機バインダー等を添加して本発明に係るPb添加Bi2223ペーストを得た。一方、所定の基体上に、Bi2212組成の超電導ペーストを塗布、焼成してBi2212部分熔融層を得、この上へ、本発明に係るPb添加Bi2223ペーストを塗布、焼成し、本発明に係る酸化物超電導体厚膜が成膜された基体を得た。 (もっと読む)


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