【課題】刺激感応物質を制御流体に含有させ、該制御流体に瞬間的な刺激を与えることによって、該制御流体と合流させた被制御流体の流れを高速且つ高精度に制御する方法等を提供すること。
【解決手段】主流路と副流路に分岐した被制御流体流路を有するマイクロシステムにおいて被制御流体の流れを制御する方法であって、刺激感応物質を含む制御流体を合流させ、合流後に該被制御流体と並行する該制御流体に刺激を与えることによって主流路における被制御流体の流量を一時的に制御し、それによって該被制御流体の副流路における流量を間接的に制御する方法、及び該方法を用いるマイクロシステム。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知可能とした半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】質量流量計の測定精度を向上させる。
【解決手段】試料ガスＧが流れる流路に設けられた感熱抵抗体４１ａ、４１ｂを有するセンサ部４１１、４１２からの出力信号を取得し、前記試料ガスＧの流量Ｑ_ｒａｗを算出する流量算出部４２と、前記流路２における一次側圧力Ｐ_ｉｎを測定する圧力測定部４３と、前記圧力測定部４３により得られた一次側圧力Ｐ_ｉｎ、及び前記試料ガスＧの定圧比熱Ｃ_Ｐにより決まるガス係数αを用いて、前記流量算出部４２により得られた測定流量Ｑ_ｒａｗを補正する流量補正部４４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】刺激感応物質を制御流体に含有させ、該制御流体に瞬間的な刺激を与えることによって、該制御流体と合流させた被制御流体の流れを高速且つ高精度に制御する方法等を提供すること。
【解決手段】主流路と副流路に分岐した被制御流体流路を有するマイクロシステムにおいて被制御流体の流れを制御する方法であって、刺激感応物質を含む制御流体を合流させ、合流後に該被制御流体と並行する該制御流体に刺激を与えることによって主流路における被制御流体の流量を一時的に制御し、それによって該被制御流体の副流路における流量を間接的に制御する方法、及び該方法を用いるマイクロシステム。 （もっと読む）

【課題】 基板処理時に実際に生じ得るサーマルサイフォン現象に基づくゼロ点シフト量を正確に検出して的確な補正をする。
【解決手段】 熱処理部１１０内にガスを供給するガス供給路２１０と，ガス供給路のガス流量を検出する検出部からの出力電圧と予め設定された設定流量に対応する設定電圧とを比較して，ガス供給路のガス流量が設定流量になるように制御するＭＦＣ２４０と，制御部３００とを備え，制御部は，基板処理を実行する前に予め，ＭＦＣ内を少なくとも基板処理時に使用するガスで置換してＭＦＣの上流側と下流側に設けられる遮断弁２３０，２５０を閉じた状態でＭＦＣからの出力電圧を検出して記憶手段に記憶しておき，基板処理を実行する際には基板処理時に使用するガスのガス流量に対応する設定電圧を記憶手段に記憶されたＭＦＣの出力電圧に基づいて補正し，補正した設定電圧をＭＦＣに設定する。 （もっと読む）

【課題】 １基の流量制御装置によってより広い流量域の流体の高精度な流量制御を可能とすることにより、流量制御装置の小型化と設備費の削減を図る。
【解決手段】 オリフィス上流側圧力Ｐ₁及び又はオリフィス下流側圧力Ｐ₂を用いて、オリフィス８を流通する流体の流量をＱｃ＝ＫＰ₁（Ｋは比例定数）又はＱｃ＝ＫＰ₂^m（Ｐ₁−Ｐ₂）ⁿ（Ｋは比例定数、ｍとｎは定数）として演算するようにした圧力式流量制御装置において、当該圧力式流量制御装置のコントロール弁の下流側と流体供給用管路との間の流体通路少なくとも二つ以上の並列状の流体通路とすると共に、前記各並列状の流体通路へ流体流量特性の異なるオリフィスを夫々介在させ、小流量域の流体の流量制御には一方のオリフィスへ前記小流量域の流体を流通させ、また大流量域の流体の流量制御には他方のオリフィスへ前記大流量域の流体を切換え流通させる。 （もっと読む）