説明

Fターム[5H323EE06]の内容

温度の制御 (3,112) | 目標値の内容、設定方法、設定手段 (204) | 温度目標値が変動するもの (73) | 所定の基準によって変動するもの (38) | 対象の温度を基準にしたパターンであるもの (6)

Fターム[5H323EE06]に分類される特許

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【課題】装置内における柔軟な温度制御を実現可能な温度制御装置を提供する。
【解決手段】複数の温度制御部100を具備する。複数の温度制御部100の各々は、冷却ファン109と、温度を測定する温度測定部102と、測定済みの複数の温度の値を時系列に記憶する温度履歴部103と、測定済みの複数の温度の値の中から読み出された第1温度を、再現閾値温度として設定し、第1温度を設定した後に温度計測部102で測定される第1測定温度が第1温度に一致するように冷却ファンを制御する制御部110とを備える。 (もっと読む)


【課題】低温環境で起動可能な電子装置と、低温環境における安定な動作温度を提供する電子装置起動方法とを提供する。
【解決手段】本電子装置は温度検出ユニットと、複数の電子素子と、記憶ユニットと、制御ユニットとを備える。該複数の電子素子は該温度検出ユニットに接続され、該記憶ユニットは温度監視プロセスとオペレーティングシステムとを格納する。制御ユニットは該温度検出ユニットと該複数の電子素子と該記憶ユニットとに電気的に接続されている。該制御ユニットは該各電子素子の動作温度を該温度検出ユニットを介して取得し、該温度監視プロセスを実行して該複数の電子素子を駆動し、該複数の電子素子の動作温度を上昇させ、該電子装置の使用温度が第1定格温度より高くなると、該オペレーティングシステムを実行する。 (もっと読む)


【課題】膜堆積、生産ウエハ枚数の変化等による炉内温度安定性悪化を抑える。
【解決手段】基板を処理する処理室内を加熱する加熱手段1と、加熱手段を制御する加熱制御部71と、処理室内の温度を検出する第一および第二の温度検出手段とを備え、第一の温度検出手段3は第二の温度検出手段2よりも基板に近い位置に配置され、第二の温度検出手段2は第一の温度検出手段3よりも加熱手段に近い位置に配置される熱処理装置であって、加熱制御部は、第二の温度検出手段2による検出温度の最大温度時点から第一の温度検出手段3による検出温度の最大温度時点との時間差を求め、この時間差が予め定めた時間差以上であった場合には、この時間差が予め定めた時間差以下となるように、加熱手段を制御することを特徴とした熱処理装置。 (もっと読む)


【課題】 複数の制御チャンネルを有する装置に対し、各制御チャンネルの各プロセス量を同期させて目標値変更ができるようにする。
【解決手段】 マスタ制御部1は、昇温管理部9からの制御目標値SVc1とマスタプラントPR1からの測定値PV1とからPID制御する。 スレーブ制御部3、5、7は、昇温管理部9からの制御目標値SVc2〜SVc4とスレーブプラントPR2〜PR4からの測定値PV2〜PV4とからPID制御する。昇温管理部9は、マスタチャンネルCH1に対しては、設定目標値SV1を制御用目標値SVc1とし、スレーブチャンネルCH2〜CH4に対しては、マスタチャンネルのプロセス量PV1にバイアス量を加算したプロセス量を制御用のスレーブチャンネルの目標値SVc2〜SVc4としてスレーブ制御部3、5、7に加えて昇温管理する。 (もっと読む)


【課題】光学部品の種類によらず、その温度制御が適切にできるようにする。
【解決手段】光学部品11は、光源12からの入射光21により動作する。光量センサ31は、光源12からの不要光22や、図示せぬ光学部品11からの漏洩光等の光量を検出する。制御機32は、光量センサ31の検出光量に基づいて制御指令を生成する。温度調整機15は、その制御指令に従って、光学部品11に対して加熱動作や冷却動作を行う。このようにして、光学部品11の温度制御が行われる。本発明は、例えば、光量が集中する中央付近と温度検出が可能な周辺部分との温度差が大きい種類の光学部品や、温度検出自体が不可能な種類の光学部品等、様々な種類の光学部品に対して温度制御を行う必要があるシステムに適用可能である。 (もっと読む)


【課題】 処理対象にセンサを直接配置しなくとも、処理対象の温度を適切、正確に推定できるようにする。
【解決手段】 システム同定部33は、熱処理される処理対象19に加えられる第1の制御量PV1と、予め第1の制御量PV1が加えられて処理対象19から直接得られる第2の制御量PV2との関係から、第1の制御量PV1に基づき第2の制御量PV2の得られるシステムを同定する。システム同定部33は第2の制御量PV2が得られる第1の制御量PV1の演算に用いられる推定パラメータを導出する。処理状態検出部35は処理対象19が熱処理可能状態であれば検出信号を出力する。初期値設定部37は処理対象19の推定温度演算に用いる推定初期値を有する。推定演算部21は検出信号が入力されると、推定初期値、推定パラメータ、第1の制御量PV1に基づき処理対象19の温度を推定演算する。 (もっと読む)


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