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Fターム[5H420NE27]の内容

電気的変量の制御(交流、直流、電力等) (13,664) | 機能 (487) | その他の機能 (340) | 消費電力低減 (57) | スタンバイモードを有するもの (8)

Fターム[5H420NE27]に分類される特許

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【課題】最適な充電状態を維持するように、電池の充電を管理することができ、バッテリが電力供給を要求される場合、中断することなく電力を高い信頼性で確実に放電することができるバッテリ用の電子システムを提供する。
【解決手段】バッテリ用の電子システムであって、充電器K3Cを備えるバッテリ充電回路30と、放電スイッチK2を備える第一のバッテリ放電回路20と、放電の持続性を確実にする構成部品D3と、放電スイッチK2の開動作・閉動作を制御し、また、充電器K3Cを制御する電子制御ユニットとを備え、制御ユニットは、放電を要求されない限りバッテリの充電を維持し、適用装置から電力要求が検出されると、バッテリ充電を中止して放電スイッチK2を閉位置に設定し、構成部品D3は放電スイッチK2を閉じる移行段階において放電電流を流す。 (もっと読む)


【課題】安定化キャパシタの容量を削減しながら、降圧トランジスタのゲート電圧変動を抑制する。
【解決手段】電圧発生回路30には、差動増幅回路1、ゲート電圧安定化回路2、Nch MISトランジスタNT1、Nch MISトランジスタNT2、Nch MISトランジスタNT11乃至13、Nch MISトランジスタNTT1、Nch MISトランジスタNTT2、Pch MISトランジスタPT11乃至13、Pch MISトランジスタPTT1、Pch MISトランジスタPTT2、抵抗RA1乃至RA4、抵抗RS1乃至RS4、及びキャパシタC1が設けられる。ゲート電圧安定化回路2は、スタンバイ状態からアクティブ状態、或いはアクティブ状態からスタンバイ状態に変化するとき降圧トランジスタであるNch MISトランジスタNTT1のゲート電圧の変化を抑制する。 (もっと読む)


【課題】 半導体メモリのスタンバイ状態での消費電力を増大させることなく、出力電圧の変動に対する応答速度および発振に対する安定性を確保したうえで、半導体メモリの動作状態に応じてプリチャージ電圧用の電圧供給回路の駆動能力を制御する。
【解決手段】 第1電圧供給部にて、第1差動増幅器は、出力ノードの電圧が第1電圧より低いときに出力信号を活性化させ、第2差動増幅器は、出力ノードの電圧が第2電圧より高いときに出力信号を活性化させ、第1駆動回路は、第1差動増幅器の出力信号の活性化に応答して出力ノードを高電源線に接続し、第2差動増幅器の出力信号の活性化に応答して出力ノードを低電源線に接続する。第2電圧供給部にて、第3差動増幅器、第4差動増幅器および第2駆動回路は、駆動能力制御信号の活性化期間にのみ、第1差動増幅器、第2差動増幅器および第1駆動回路と同様に動作する。 (もっと読む)


【課題】コスト増を伴うことなくセラミックコンデンサを使用した電源回路において位相補償を可能とする電源装置を提供する。
【解決手段】回路基板70は、電源回路72の出力側に接続され、負荷回路71に対して並列的に配設されるセラミックコンデンサ73と、セラミックコンデンサ7の一方端側に接続され、負荷回路71に対して並列的に配設される配線抵抗74と、により構成される。また、配線抵抗74は、所定領域内に収めるために、屈曲形状により形成する。 (もっと読む)


【課題】 低コストで、基準電圧発生回路の出力基準電圧を精度よく補正するための回路を提供する。
【解決手段】 本発明では、基準電圧発生回路は、温度に比例して増加するPTAT電流を生成するトランジスタPM2、温度に比例して減少するCTAT電流を生成するトランジスタPM4、生成した電流を可変抵抗VR1にそれぞれ流すトランジスタPM3およびPM5、CTAT電流を調整する可変抵抗VR2、トランジスタPM3と可変抵抗VR1との間に配置されたスイッチSW1、トランジスタPM5と可変抵抗VR1との間に配置されたスイッチSW2を有している。スイッチSW1は、第1動作モードと第3動作モードでオンし第2動作モードでオフする。また、スイッチSW2は、第1動作モードと第2動作モードでオンし第3動作モードでオフする。各動作モードを切り替えることにより、PTAT電圧あるいはCTAT電圧を独立に出力できる。 (もっと読む)


【課題】メモリデバイス上に配置された基準電圧発生器によって生成された出力基準電圧を制御するための方法および装置。
【解決手段】メモリデバイスのクロックト待機モードを有効にするための信号が受信される。この信号が、上記メモリデバイスがクロックト待機モードにあることを示した場合は、第1の電圧を用いて、上記基準電圧発生器の出力基準電圧として第1の基準電圧が生成される。上記信号が、上記メモリデバイスがクロックト待機モードにないことを示した場合は、第2の電圧を用いて、上記基準電圧発生器の出力基準電圧として第2の基準電圧が生成される。 (もっと読む)


実質的に一定なトリップポイントを提供するパワー検出回路構成を提供する。回路構成は温度とプロセスの変化の影響を受けない。それにより利用回路構成(例えばメモリ)の早すぎる使用可能および遅れた使用可能を防ぐ。さらに、トリップポイントは、ゆっくりとした、および早いパワーアップとパワーダウン条件の両方に対して、一定であり続ける。このことは、その安定動作領域において動作しているとき安定したバンドギャップ参照電圧を供給するバンドギャップ参照回路構成の使用により、達成され得る。バンドギャップ回路構成はスタートアップ回路構成と協働して動作し、スタートアップ回路構成は、バンドギャップ回路構成が非安定動作領域で動作することを可能にする。非安定領域にあるとき、バンドギャップ回路構成は、ソース電圧がバンドギャップ電圧に近付き始めるまで、ソース電圧を参照電圧として供給する。
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【課題】 消費電流を低減させた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 外部端子から供給された電源電圧よりも小さな内部電圧を定常的に形成する第1降圧回路の第1出力端子と、上記外部端子から供給された電源電圧より上記内部電圧を形成して第2出力端子から出力する第1モードと、上記内部電圧を形成する制御系の動作電流が遮断されて出力ハイインピーダンス状態にする第2モードとが制御信号に対応して切り替えられる第2降圧回路の第2出力端子を共通接続して上記内部電圧を内部回路に供給する。 (もっと読む)


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