【課題】電源回路における出力電圧の目標値が比較的高い場合であっても、回路面積および消費電流の大幅な増加を招くことなく電源回路の位相補償を行うことを可能にする。
【解決手段】誤差増幅器４は、出力電圧Ｖoutに応じた検出電圧Ｖdetおよび出力電圧Ｖoutの目標値対応した基準電圧Ｖrefに基づいて、出力電圧Ｖoutが目標値に一致するように主トランジスタＴ１の駆動をフィードバック制御する。レベルシフト回路９は、出力電圧Ｖoutを入力し、その出力電圧Ｖoutを直流的に接地電位側に所定レベルだけシフトしたシフト電圧ＶｓをノードＮ２から出力する。位相補償用のキャパシタＣ２は、レベルシフト回路９の出力端子であるノードＮ２と、誤差増幅器４の非反転入力端子との間の経路に介在する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置が動作状態から待機状態に移行するとき、内部電源電圧の目標電圧からの上昇を抑制する。
【解決手段】非動作状態の負荷回路への電源電流の供給に用いられる電源回路１５において、トランジスタＰＴＲＳ１は、外部電源電圧を受ける電源ノードと出力ノード１８との間に接続される。比較器５０は、第１の入力端子および参照電圧が入力される第２の入力端子を有し、第１および第２の入力端子間の電圧差に応じた制御電圧をトランジスタＰＴＲＳ１の制御電極に出力する。分圧回路４０は、出力ノードの電圧を分圧した電圧を比較器５０の第１の入力端子に出力する回路であり、分圧比を変更可能である。電源回路１５は、負荷回路が動作状態のときに、分圧回路４０の分圧比を第１の分圧比から第１の分圧比よりも高い第２の分圧比に変更する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は，論理回路に電源電圧を供給するレギュレータを有する半導体集積回路において，C端子の数を削減する。
【解決手段】
半導体集積回路30は，第1，第2の出力端OTa，OTbと，外部容量C4に接続する外部接続端子CT4との間に設けられたスイッチ回路35を有し，
スイッチ回路35の一端は第1の出力端OTaに接続され，スイッチ回路35の他端は外部接続端子CT4および第2の出力端OTbに接続され，
スイッチ回路35は，第1のレギュレータA31が第1の電源電圧Vaを第1の論理回路A32に対して供給する期間はオンし，第1のレギュレータA31が第1の論理回路A32に対する電源電圧供給を停止する期間はオフする。 （もっと読む）

【課題】内部電源が送られる外部端子を有するものでありながら、内部電源生成回路の過熱をより確実に抑えることが容易となる半導体装置を提供する。
【解決手段】供給される外部電源を用いて駆動する半導体装置であって、前記外部電源を用いて第１内部電源を生成する第１内部電源生成回路と、第１内部電源が送られる外部端子と、第１内部電源を用いて駆動する第１サーマルシャットダウン回路と、第１内部電源とは異なる電源を用いて駆動する第２サーマルシャットダウン回路と、を備え、第２サーマルシャットダウン回路は、過熱を検出したときに、第１内部電源生成回路の動作を停止させる半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 過電流保護のための出力電流−出力電圧特性として所望の特性が得られ、通常動作領域において負荷電流が多くなった場合にも過電流保護ポイントまで正常な出力電圧制御動作が行えるレギュレータ用の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 電圧入力端子と出力端子との間に接続された制御用トランジスタ（Ｍ１）によって流される出力電流に縮小比例した電流を流す電流監視用トランジスタ（Ｍ２）と、該電流監視用トランジスタに流れる電流を電圧に変換する電流−電圧変換手段（Ｒ３）とを備え、通常動作状態では前記電流監視用トランジスタに流れる電流を電流−電圧変換手段へ流さないようにし、電流監視用トランジスタに流れる電流が所定値以上になった場合には、電流監視用トランジスタに流れる電流を電流−電圧変換手段へ流し、該電流−電圧変換手段により変換された電圧に基づいて制御用トランジスタをオフさせるように過電流保護回路（１３）を構成した。 （もっと読む）

【課題】定電圧電源回路の消費電力を低減し、且つ、定電圧電源回路の動作を安定させる。
【解決手段】定電圧電源回路１０は、バイアス生成部１１と、基準電圧生成部１３と、定電圧生成部１４と、バイアススイッチ１６と、定電圧制御部１５と、を備える。バイアス生成部１１は、バイアス電圧を生成する。基準電圧生成部１３は、バイアス生成部１１に接続され、バイアス電圧に基づいて基準電圧を生成する。定電圧生成部１４は、バイアス電圧及び基準電圧に基づいて定電圧を生成する。バイアススイッチ１６は、定電圧生成部１４のバイアスを切り替える。定電圧制御部１５は、定電圧又は電源電圧に応じた検出電圧を取得し、基準電圧と検出電圧との差に応じて、定電圧生成部１４の動作状態を、イネーブル状態又はディスエーブル状態に設定する定電圧制御信号と、バイアススイッチ１６を制御するスイッチ制御信号と、を生成する。バイアススイッチ１６は、スイッチ制御信号により、定電圧生成部１４のバイアスを切り替える。 （もっと読む）

【課題】外付けされるキャパシタを内蔵した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０では、絶縁性フィルム１２が、第１の面１１ｃと第２の面１１ｄを有する導電性部材１１ａの第１の面１１ｃに設けられている。第１の面３１ａと第２の面３１ｂを有する第１導電型の半導体基板３１が、第２の面３１ｂが絶縁性フィルム１２側になるように設けられている。半導体基板３１の第１の面３１ａ側に、ゲート絶縁膜３４を介して形成されたゲート電極３５と、ゲート電極３５を挟むように形成された第２導電型の第１および第２不純物拡散層３６、３７とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ２１が設けられている。第１不純物拡散層３６が半導体基板３１に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】出力電流にかかわらず、一定の出力電圧を負荷に供給することができる定電圧回路を提供する。
【解決手段】直列接続された各抵抗に印加される電圧が出力電圧の増減に応じて変化する主分圧抵抗回路Ｒ₁、Ｒ₂と、主分圧抵抗回路Ｒ₁、Ｒ₂の分圧点（点ｅ）にリファレンス端子が接続された主シャントレギュレータＩＣ₁と、主シャントレギュレータＩＣ₁のカソードに流れ込む電流Ｉ_Kに応じて電圧降下を生じさせる電圧降下用抵抗Ｒ_Bと、電圧降下用抵抗Ｒ_Bの電圧降下の減少に応じて出力電圧Ｖ_OUTを上昇させる一方、電圧降下の増加に応じて出力電圧Ｖ_OUTを降下させる出力電圧補正部２と、を備え、主シャントレギュレータＩＣ₁のカソードに流れ込む電流Ｉ_Kは、出力電流の増加分だけ減少する一方、出力電流の減少分だけ増加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタで発生するラッシュ電流を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体集積回路は、第一及び第二の出力トランジスタ、第一の遅延発生部が設けられる。第一及び第二の出力トランジスタは並列的に配置される。第一の出力トランジスタは、制御端子に第一の制御信号が入力され、第一の制御信号に基づいてオンして低電位側電源側に第一の電流を流し、第一の電流が流れ始めてから一定な電流になるまでに第一の時間を要する。第一の遅延発生部は、第一の制御信号が入力され、第一の制御信号を第一の時間よりも短い第二の時間だけ遅延させた第二の制御信号を出力する。第二の出力トランジスタは、制御端子に第二の制御信号が入力され、第二の制御信号に基づいてオンして低電位側電源側に第二の電流を流す。 （もっと読む）

【課題】 無駄な電流を流すことなく出力電圧補正機能を実現できるレギュレータ用の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 入力端子と出力端子との間に接続された電圧制御用トランジスタ（Ｍ１）と、分圧回路により生成されたフィードバック電圧と所定の基準電圧との電位差に応じて出力電圧が一定になるように制御用トランジスタを制御する制御回路（１１）とを備え、出力電圧切替え制御信号に応じて分圧回路における分圧比を変化させることで前記出力電圧を切り替えるレギュレータ用半導体集積回路において、出力端子と回路の基準電位点（ＧＮＤ）との間に接続された放電用トランジスタ（Ｍ４）と、フィードバック電圧と所定の基準電圧とを比較して、前記制御信号の変化後、出力電圧が所望の電位に下がるまでの間、前記放電用トランジスタをオン状態にさせる信号を出力する切替え時出力立下り制御回路（１６）とを設けるように構成した。 （もっと読む）

【課題】 回路の占有面積をそれほど増加させることなく、また無駄な電流を流すことなく出力電圧補正機能を実現できるレギュレータ用の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 入力端子と出力端子との間に接続された電圧制御用トランジスタ（Ｍ１）と、出力電圧に比例したフィードバック電圧と所定の基準電圧との電位差に応じて出力電圧が一定になるように制御用トランジスタを制御する制御回路（１１）と、基準電圧を生成する基準電圧回路（１２）と、前記電圧制御用トランジスタにより流される出力電流に縮小比例した電流を流すカレントミラー回路（Ｍ１，Ｍ２）とを備えたレギュレータＩＣにおいて、前記基準電圧回路の動作電流出力点と回路の基準電位点（ＧＮＤ）との間に接続された抵抗素子（Ｍ０）を設け、カレントミラー回路により生成された電流が、前記基準電圧回路の動作電流出力点と前記抵抗素子との接続ノードに流されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】出力電圧が１Ｖよりも低い電圧に設定された場合でも所望の電流制限ポイントで電流制限をかけることができるレギュレータ用半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電圧制御用トランジスタとカレントミラー回路を構成する電流検出用トランジスタ(Ｍ１)と、該電流検出用トランジスタと直列に接続された電流−電圧変換手段（Ｒ３）と、該電流−電圧変換手段と直列に接続された受動素子(Ｍ３)と、入力端子と電圧制御用トランジスタの制御端子との間に接続された電流制限用のトランジスタ（Ｍ６）と、電流−電圧変換手段と受動素子との接続ノードと回路の基準電位端子との間に受動素子と並例に設けられた電流バイパス回路を設け、該電流バイパス回路はデプレッション型ＭＯＳトランジスタおよびエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタの直列回路を備え、電流−電圧変換手段により変換された電圧に応じて電流制限用のトランジスタが制御されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】複雑な制御を必要とせず、集積回路のトランジスタの閾値電圧バラツキに応じて所望の動作速度に適した電源電圧を提供することができる。
【解決手段】被安定電圧が入力される入力端子１と、安定化された電圧が出力される出力端子２と、入力端子１および出力端子２と電位差を有する一定電圧に設定される共通端子３と、正入力端子および負入力端子を有する差動増幅器４と、差動増幅器４の出力に基づいて入力端子１から出力端子２に流れる電流を制御する電流制御素子５と、出力端子２と共通端子３との間の電位差を分圧し、差動増幅器４の正入力端子に帰還させる分圧回路６と、出力端子２から電力を供給されるが出力端子２の電圧に依存せず、共通端子３の電圧を基準とする当該集積回路のトランジスタの閾値電圧に比例した電圧を差動増幅器４の負入力端子に出力する閾値参照電圧源７とを備える。 （もっと読む）

【課題】センサに給電する第１の電源部と、制御回路に給電する第２の電源部とを分離するとともに、温度変化や電流変化による出力電圧の変動を確実に抑制することのできる電源回路、およびこれを備えた給湯機を提供すること。
【解決手段】本発明の電源回路は、定電圧を出力する定電圧出力部（リニアレギュレータ１）と、定電圧出力部から出力された電力を、所定の検出対象を検出するセンサに供給する第１の電源部（外部ＩＣ・センサ用電源１２）と、定電圧出力部から出力された電力を、センサにより検出された信号に基づく演算処理を行う制御回路に供給する第２の電源部（マイコン用電源１３）と、定電圧出力部の停電時に制御回路に給電するべく、第２の電源部に接続されたバックアップ用電源（コンデンサ３）と、バックアップ用電源から定電圧出力部側へ電流が流れることを阻止する逆流阻止手段としてのＭＯＳ−ＦＥＴ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】検出閾値を設定するために別途の基準電圧源ＲＥＦを必要としたが、基準電圧源を必要とせず、かつ、回路規模の縮小と消費電流の低減を実現する。
【解決手段】レギュレータ回路１００は、入力電圧Ｖｉｎの印加端と出力電圧Ｖｏｕｔの印加端との間に接続されたＰチャネル型の出力トランジスタ１０６と、出力電圧Ｖｏｕｔに応じた帰還電圧Ｖｆｂを生成する帰還電圧生成回路（１１０及び１１１）と、エミッタ面積の異なるトランジスタ対（１０４及び１０５）の共通ベースで帰還電圧Ｖｆｂの入力を受けて各トランジスタに流れるコレクタ電流Ｉ１１及びＩ１２の大小関係に応じた電圧信号Ｖ１１を出力する増幅回路（１０１、１０２、１０４、１０５、１０７、１０８）と、エミッタ接地型の増幅段により電圧信号Ｖ１１を増幅して出力トランジスタ１０６の駆動信号Ｖ１２を生成する駆動信号生成回路（１０３、１０９、１１２）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低電力動作モードから高電力動作モードへの切り換え時の電源リップルを軽減する。
【解決手段】シリーズレギュレータは、基準電圧発生回路１０と誤差増幅器１１と出力トランジスタ１２と出力分圧回路１３と動作電流設定部１４とコントローラ１５を具備する。１２は、入力端子Ｖinと出力端子Ｖoutの間に並列接続された第１と第２の出力トランジスタＭ１、Ｍ２を含み、Ｍ１の素子サイズはＭ２の素子サイズよりも小さい。低電力動作モードでコントローラ１５は動作電流値を小さな値Ｉ１に制御して、Ｍ１とＭ２は活性状態と非活性状態とに制御する。高電力動作モードでコントローラ１５は動作電流値を大きな値Ｉ１＋Ｉ２に制御して、Ｍ１とＭ２の両者を活性状態に制御する。低電力動作モードから高電力動作モードへの変化後の所定期間ｔ２に瞬時的に動作電流値を更に大きな値Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３に制御する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタのリーク電流抑制と低消費電流化とのトレードオフや、内部電源電圧生成ブロックの小型化と低消費電流化とのトレードオフなどがある。
【解決手段】基準電流生成回路Ｘ１０は、デプレッション型トランジスタＮ１を用いて基準電圧Ｖ１を生成する基準電圧生成部Ｘ１１と、基準電圧Ｖ１から基準電流Ｉ２ａ及びＩ２ｂを生成する電圧／電流変換部Ｘ１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レギュレータの出力電圧がチャージポンプ回路だけでなく他の回路に供給される場合において他の回路の動作を不安定にすることなくチャージポンプ回路がポンプ動作を行うことができる昇圧システム及び半導体チップを提供する。
【解決手段】レギュレータ１１と、チャージポンプ回路１２と、を備え、レギュレータ１１の出力段は電源電圧の印加端子から第１コンデンサＣ１へ流れる電流を制限し、チャージポンプ回路１２は昇圧動作として実行し、第１スイッチ手段ＳＷ１は昇圧動作の開始から所定時間経過するまでは所定時間経過後に比してオン抵抗を高くして出力端子から第２コンデンサＣ２へ流れる電流を制限する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタのリーク電流抑制と低消費電流化とのトレードオフを解消することのできる電源装置を提供する。
【解決手段】電源装置１００は、出力トランジスタ１０５と、出力トランジスタ１０５を用いて電源電圧ＶＣＣから出力電圧Ｖｏｕｔを生成する電源回路（帰還抵抗１０６及び１０７を含む）と、デプレッション型トランジスタＭｄ１を用いて出力トランジスタ１０５のリーク電流Ｉａを吸収するリーク電流吸収回路１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】バッテリ１１０が誤って正負を逆に接続された時にも、大きな電流が流れることのないボルテージ・レギュレータを提供する。
【解決手段】ボルテージ・レギュレータの出力トランジスタ１０３の基板電位（ｎ−ｗｅｌｌ）を、ＶＤＤ端子固定とせず、かつ、基準電圧回路１０１と誤差増幅器１０２の電源を、ＶＤＤ端子固定としない回路構成とすることで、上記課題を解決した。 （もっと読む）