【課題】半導体装置のソース領域とドレイン領域との間のオン抵抗を低減させる。
【解決手段】第１導電型のソース領域と第１導電型のドレイン領域とが表面に選択的に形成された第２導電型のベース層と、前記ベース層内に設けられ、前記ソース領域から前記ドレイン領域の方向に延在する素子分離層と、前記素子分離層の上側に設けられ、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の電流経路を制御する制御電極と、前記ベース層の上側の少なくとも一部または前記素子分離層内の少なくとも一部に配置され、前記素子分離層の比誘電率よりも高い比誘電率を有する高誘電体層と、前記ソース領域に接続された第１の主電極と、前記ドレイン領域に接続された第２の主電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）