【課題】フィルタの全長を長くすることなく所要の周波数帯域外の広範な周波数帯域に渡ってスプリアス抑圧に必要な充分な減衰特性が得られる導波管フィルタの実現。
【解決手段】矩形導波管の広壁面に、伝送方向と直交する方向で広壁面の両縁間に渡る溝状の空洞スロットを伝送方向に渡って複数個設け、１つのスロットの溝幅、深さおよび隣り合うスロットの間隔がそれぞれ伝送特性に影響を及ぼすことに着眼して、空洞スロットの溝幅、深さおよび隣り合う空洞スロット間の間隔のそれぞれの寸法を、複数の溝幅寸法、複数の深さ寸法、複数の間隔寸法に分散させることにより所望の減衰特性に近付ける。 （もっと読む）

【課題】自動車用レーダに採用して好適な高周波半導体装置における高周波フィルタを低コストで、温度変動等の外部環境に対するフィルタ性能の高ロバスト性を得る。
【解決手段】内部に動作周波数をカットオフ（伝播抑制）する金属メッキした樹脂製の周期構造体（３２）を持つフィルタカバー３０を、高周波回路１０を搭載する回路基板２０に被せ、アンテナ２１，２２を有するレーダ筐体６０において、（１）高周波回路１０に対向し，周期構造体３２を持つカバー３０面上に、回路基板２０に近い熱膨張係数を持つ補強部３３を設け、あるいは（２）伝播抑制部（３２等）を有する隣接キャビティ８１，８２間に、動作周波数をカットオフする高さＨと幅Ｗ（≦λ／４）の連通孔を設ける。
【効果】フィルタの変位を防ぎ、環境変化へのロバスト性高い高周波半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】シンプルな構成で小型化が可能となり、また遮断周波数の高域側と低域側を個別に設定でき、更には発振周波数より低い周波数側に発生する不要エミッションを低減する。
【解決手段】高域側周波数帯を遮断するために、矩形導波管１２内の第１面Ｓ1（矩形長辺側の面）に３段のスロット１４を形成したコルゲート型フィルタを用い、このコルゲート型フィルタのスロット１４間の導波管１２内の第１面Ｓ1に垂直な第２面Ｓ2（矩形短辺側の面）を伝送路中心側へｔａだけ突出させ、即ち対向する第２面Ｓ2間の幅を短くすることにより、低域側周波数帯を遮断するようにする。また、ワッフルアイアン型フィルタを用い、このワッフルアイアン型フィルタの矩形導波管内の第２面Ｓ2の一部をスタブ側面へ向けて突出させ、この第２面の一部とスタブとの間隔を短くして低域側周波数帯を遮断する構成にすることもできる。 （もっと読む）

【課題】従来の組合わせ導波管フィルタに較べて反射特性、通過特性、スプリアス抑圧特性を維持しつつ小型化を図る。
【解決手段】第１手段は、ワッフル型導波管フィルタの開口部とコルゲート型導波管フィルタの共振空洞を、両広壁面又は両狭壁面が中心面に関して面対称に段差を有する窓構造で結合する、窓の高さ、長さは予めシミュレーション又は実験により所定値を定めておく。第２手段は、ワッフルフィルタのボス列が管軸方向一方へ片寄ったものの他方開口部分をコルゲートフィルタの窓と同様の窓でコルゲートフィルタの直近の共振空洞へ連結する。 （もっと読む）

【課題】従来のワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器では、構造上ＴＥＭモードが発生しやすく、３倍波以上になると十分に高域スプリアスモードを減衰することが出来なくなるという問題点があった。
【解決手段】ワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器の上下のブロック３の間の中空部に薄い金属板５を挟み込む構造としたことにより、ワッフルアイアン型導波管低域通過ろ波器内部で発生する横方向の電界成分を打ち消すことができ、３倍波以上の高域スプリアス抑圧性能を向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】カットオフ周波数とＶＳＷＲの微調整ができ、通過周波数帯域に異常共振を発生させず、安価に製作することができるワッフルアイアン型フィルタを提供する。
【解決手段】 矩形導波管をその内側４面毎にそれぞれ分割し、上下の広面部にワッフル部本体１，２を配置する。ワッフル部本体１，２のそれぞれの両側面部には、それぞれ矩形導波管の内壁面から外壁面の方向に始終端を持つ第１空洞部と、この第１空洞部の終端からワッフル部本体の中心部に向かう始終端を持つ第２空洞部とが形成されており、第１空洞部は、その始端において電気的な短絡状態をなしており、第１空洞部の終端を始端とする第２空洞部は、その始端において電気的に開放状態をなしており、その終端部が電気的に短絡状態をなしている。 （もっと読む）