【課題】単一の誘電体基板で簡素に構成されるとともに、キャビティ共振の抑圧による安定した回路性能の維持および気密封止を両立可能な電力分配合成回路を得る。
【解決手段】くり貫き部１１０を有し、Ｍ個の結合線路型カプラ１０１〜１０４がくり貫き部１１０を囲むように環状に配置された誘電体基板１０を内部に封入する空洞２００を有する金属ケース５０は、誘電体基板１０の裏面側に配置される底面２１９、誘電体基板１０の表面側に配置される金属板５１、くり貫き部１１０の内周側面側に配置され、くり貫き部１１０を貫通するとともに、底面２１９および金属板５１と電気的に接続される金属壁２１０、並びに誘電体基板１０の外周側面側に配置され、底面２１９および金属板５１と電気的に接続される金属壁２１１〜２１８により構成され、Ｍ個の結合線路型カプラ１０１〜１０４は、多段結合線路またはテーパ結合線路により構成されている。 （もっと読む）

【課題】 コアアイソレータ素子の挿入損失の増加を抑制した、送信モジュールを提供する。
【解決手段】 回路基板２は、グランドパターン３Ａ〜３Ｄを備えた多層基板である。回路基板２には、電力増幅器１０およびコアアイソレータ素子１４が実装される。電力増幅器１０およびコアアイソレータ素子１４は、樹脂層１２によって覆われる。樹脂層１２の表面にはシールド層１３が設けられる。コアアイソレータ素子１４の天面１４Ａと、天面１４Ａと対向するシールド層１３の天面シールド層１３Ａとの間隔、コアアイソレータ素子１４の側面と、この側面と対向するシールド層１３の側面シールド層との間隔を、所定の距離だけ離間して、コアアイソレータ素子１４による挿入損失の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 高周波部品の間に高密度にシールド壁を実装することを目的とする。
【解決手段】 複数の高周波部品が実装された第１のプリント基板と、上記第１のプリント基板に対向配置され、上記高周波部品の実装領域に対向する部分に、複数の導体ビアの埋設壁面および表層または内層の導体層によって周囲が囲まれる掘り込みが設けられた第２のプリント基板と、上記第１、第２のプリント基板における、上記導体ビアに接続された対向する表層パターン同士が、半田によって電気的に接続されるとともに、上記第２のプリント基板における掘り込みを設けた空間内に上記高周波部品がそれぞれ収容され、上記高周波部品が当該掘り込みを設けたそれぞれの空間内に分離配置する。 （もっと読む）

【課題】構成簡易化、低コスト化、高性能化を実現可能なマイクロ波・ミリ波帯の極短パルス発生装置を提供する。
【解決手段】一対の軸対称な等傾斜角の先鋭部を具備する第１，第２導体パッチ２ａ，２ｂの各先鋭部を近接させ、高速変化信号発生部１を直に電気的接続して高速に変化する電圧を印加することで、第１，第２導体パッチ２ａ，２ｂが放射パルス形成回路と放射アンテナとを兼ねて機能させ、第１，第２導体パッチ２ａ，２ｂの両側方に対称軸と平行に配置した第１，第２導体壁３ａ，３ｂの間隔ａを、不要信号の波長λａの１／２未満に、第１，第２導体パッチ２ａ，２ｂの各端部から第１，第２導体壁３ａ，３ｂの各端部までの距離Ｌw1，Ｌw2および誘電体基板４の導体パッチ面から第１，第２導体壁３ａ，３ｂの突出端部までの距離Ｌw3を全てλａ／２以上にすることで、不要信号抑制手段を構成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロストリップラインの小型化を容易にかつ低コストで実現することが可能な高周波回路、低雑音ダウンコンバータおよびアンテナ装置を提供する。
【解決手段】高周波回路１０１は、誘電体基板１３の第２主表面Ｓ２に設けれらた第１のアースパターン１６と、誘電体基板１３の第１主表面Ｓ１に設けられ、誘電体基板１３および第１のアースパターン１６とともにマイクロストリップラインを構成する信号パターン１１と、第１主表面Ｓ１に設けられ、信号パターン１１と間隔を隔てて設けられた第２のアースパターン１５と、第２のアースパターン１５と電気的に接続され、信号パターン１１と隙間を設けて対向する金属部材１２と、第１のアースパターン１６および第２のアースパターン１５と電気的に接続され、誘電体基板１３、マイクロストリップラインおよび金属部材１２を収容する金属筐体とを備える。 （もっと読む）

【課題】埋込グランド配線１５同士の間隔が信号配線１０を伝送する高周波の波長の１／４となる時に発生する共振現象を抑制する。
【解決手段】伝送線路は、対向する表面及び裏面を有する誘電体基板２１と、この表面上に配置され且つ高周波を伝送する信号配線１０と、表面上に配置され且つ信号配線１０から絶縁された表面グランド電極１１と、誘電体基板２１の表裏面を貫通し且つ信号配線１０に接続された貫通信号配線１２と、基板裏面上に配置された裏面グランド電極１４と、誘電体基板２１に埋め込まれ且つ貫通信号配線１２の周囲に円弧状且つ等間隔に配置された複数の埋込グランド配線１５ａ〜１５ｇとを有する。各埋込グランド配線１５ａ〜１５ｇが、表面グランド電極１１及び裏面グランド電極１４の少なくともいずれか一方に接続され、複数の埋込グランド配線１５ａ〜１５ｇが、前記した高周波の波長の１／４未満の間隔で配置されている。 （もっと読む）

【課題】前記のような課題を解決するためになされたものであり、製造が容易な構成を備え、かつ、空洞共振を抑圧することのできる高周波モジュールを得る。
【解決手段】高周波素子を内部に実装する筐体構造を備えた高周波モジュールにおいて、筐体構造の空洞共振周波数と同じ周波数で共振する共振構造６を筐体構造内部に設けている。これにより、共振構造６と金属製の蓋４とが結合し、共振構造６と金属製の蓋４を結ぶ面８の近辺に、電気壁が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを埋め込んだマルチポートの半導体チップ実装基板において、ポート間のアイソレーションを向上させること。
【解決手段】この半導体チップ１００の１辺の長さは約２．５ｍｍであり、この長さは、目的の高周波の環状溝２１０内における環方向の波長の半分余りに相当している。この半導体チップ１００の周囲には、空洞部２２０に半導体チップ１００を搭載した後の残りの空間によって、平面視時の輪郭が略正方形のリング形状の環状溝２１０が形成されている。そして、この環状溝２１０の４隅にはそれぞれ、銀ペーストからなる柱状導体１が埋め込まれている。即ち、この柱状導体１は、上記の空洞部２２０の内壁面と上記の半導体チップ１００の側壁面との間の隙間から形成される環状溝２１０の４隅に配置されており、半導体チップ１００の裏面に配置される共通グランドの上に直接立脚している。 （もっと読む）