【課題】音声信号処理回路の汎用性を向上する。
【解決手段】ゲインコントローラ１２は、音声信号の振幅をコントロールする。ＰＷＭ変換器１８は、振幅がコントロールされた信号をＰＷＭ変換する。そして、ゲインコントローラ１２は、リミッタ制御信号に応じて、音声信号の振幅を制限し、ＰＷＭ変換回路１８は、振幅コントロールされた音声信号の最大振幅の信号については、リミッタ制御信号にかかわらず、ＰＷＭ変換の変調度を制限による振幅制限を掛ける。 （もっと読む）

【課題】半導体装置への集積化に際して、クランプ電圧と電流能力の双方を幅広く設定することが可能なクランプ回路を提供する。
【解決手段】クランプ回路１０は、負荷Ｚの電流経路上に挿入されたパワートランジスタ１１と、ツェナダイオードＤ１を用いてクランプ電圧Ｖ１を設定し、負荷Ｚの一端に現れる電圧Ｖ（＝Ｖ３）がクランプ電圧Ｖ１に維持されるようにパワートランジスタ１１のゲート電圧Ｖ２を生成するバイアス部１２とを半導体装置１に集積化して成る。 （もっと読む）

【課題】 集積回路の入力端子に印加される異常な電圧から、少ないスタンバイ電流で内部回路を保護することができるクランプ回路および電子機器を提供する。
【解決手段】 クランプ回路１は、カレントミラー回路から供給される電流を、入力端子１１に接続されている抵抗素子２２に流すためのＮＰＮ型のトランジスタ２１を備えている。入力端子１１の電圧が下がり０Ｖ以下になると、トランジスタ２１によって抵抗素子２２に電流が流れ、カレントミラー回路は、同じ電流値の電流を、クランプ電圧の基準となる電圧を決める抵抗素子１９，２０に流す。抵抗素子１９，２０に電流が流れているので、入力端子１１の電圧がさらに下がり、クランプ電圧以下になったとき、トランジスタ２１は、トランジスタ１４にベース電流を供給して即座に導通状態とすることができる。入力端子１１の電圧が０Ｖよりも高いときは、トランジスタ２１は遮断状態であり、スタンバイ電流は０である。 （もっと読む）

【課題】遅延時間が短く、かつ消費電流の少ないクランプ回路を提供する。
【解決手段】クランプ回路１１は、基板端子が接地されたＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴＱｎ１と抵抗Ｒ１から構成されている。ＭＯＳＦＥＴＱｎ１は、そのドレイン端子と信号入力端子ＶＩＮとが接続され、ソース端子はインバータ回路Ｕ１の入力側に接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴＱｎ１のゲート端子はゲートバイアス信号入力端子Ｖｂと接続され、ゲートバイアス信号が供給されている。抵抗Ｒ１は、一端がＭＯＳＦＥＴＱｎ１とインバータ回路Ｕ１との接続点に接続され、他端が接地されている。外部データの入力電圧Ｖｉがクランプ回路１１でクランプされて出力電圧Ｖ１となり、直列に接続された２つのインバータ回路Ｕ１，Ｕ２からなるバッファを介して、出力電圧Ｖｏとして信号出力端子ＶＯＵＴへ出力される。 （もっと読む）

【課題】より高い周波数で動作し、物理的に小さく、また電力制限状態に迅速にセットできる能動制限器を備えた集積回路を提供する。
【解決手段】本発明の集積回路（１０３）は第１のＲＦポート（１３４）と、第２のＲＦポート（１３６）と、前記第１のＲＦポートと第２のＲＦポートの間に配置された制限器部分（１０５）と、検出器部分（１０２）とを具備する。検出器部分（１０２）は、前記制限器部分に結合され、かつ、前記第１のＲＦポートと前記第２のＲＦポートの間のＲＦ信号経路に結合されて、入力信号の電力レベルを検出するように構成されている。 （もっと読む）

クランプ回路（１）は、クランプされている信号線、すなわち、ビクティム線から入力信号（３）を受け取る。クランプ回路（１）は、ビクティム線にクロストークを誘発する可能性のある信号線であるアグレッサ線からアグレッサ信号（５，７）をさらに受け取る。ビクティム線をクランプする出力信号（９）は、入力信号（３）およびアグレッサ信号（５，７）の論理状態に基づいて選択的にイネーブル状態になる。クランプ信号を選択的に供給するのに加えて、クランプ回路（１）はさらに、アグレッサ線とビクティム線に同時に逆の変化が発生するときにビクティム線のスイッチングを加速するので、最悪ケースの遅延を減少させ、信号完全性を改善する利点がある。
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