【課題】 ＰＩＮダイオードをスイッチ素子として用いた従来のスイッチ回路においては、バイアス供給回路とのアイソレーションが不充分であった。
【解決手段】 スイッチ回路１は、電力増幅回路７０の負荷整合回路８０を切り換えるスイッチ回路である。このスイッチ回路１は、負荷整合回路８０に一端が接続された容量素子１２と、一端が容量素子１２の他端に接続されるとともに、他端が接地されたＰＩＮダイオード１４と、容量素子１２とＰＩＮダイオード１４との間の経路に一端が接続された抵抗素子１６と、抵抗素子１６の他端に接続されるとともに、他端が接地された容量素子１８と、抵抗素子１６と容量素子１８との間の経路に一端が接続された抵抗素子２２と、抵抗素子２２と並列に接続されたＦＥＴ２４と、出力端が抵抗素子２２の他端に接続され、バイアス供給回路を構成するインバータ２６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性を向上でき汎用性のあるマルチプレックス回路を提供すること。
【解決手段】２個のロジック用ダイオードＤ２，Ｄ４によるロジック構成を含み、２チャンネルの入力信号を１チャンネルの多重化信号に多重化して出力する少なくとも１組のマルチプレックス部ＭＰＸ₁ と、少なくとも１組のマルチプレックス部ＭＰＸ₁ を多重化モードとスリープモードで切り換えて作動させるストロボ信号を供給する１つのストロボ回路２と、ストロボ回路２を制御する制御信号を供給する制御手段（マイコン）１とを備え、マルチプレックス部ＭＰＸ₁ の２個のロジック用ダイオードＤ２，Ｄ４は、ストロボ信号により、多重化モード時には交互に能動状態となり、スリープモード時には一方が非能動状態かつ他方が能動状態となるように作動する。 （もっと読む）

【課題】可変的且つ連続的に、より広範な周波数帯においてのアイソレーションが確保可能になる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】入力端Ｐ２と出力端Ｐ１との間に介設され、所定バイアス電圧に応答してオン状態になるＰＩＮダイオードＤと、ＰＩＮダイオードＤに並列接続され、オフ状態にあるＰＩＮダイオードＤの寄生キャパシタンスＣｐと所定の周波数帯で並列共振して、オフ状態における異なる周波数帯の信号の入力端Ｐ２から出力端Ｐ１への通過を阻止するバラクタダイオードＣｖ及び補償用インダクタＬｖを含む共振回路１０を有する。 （もっと読む）

本発明は、スイッチング装置及びそのような装置の製造方法であって、基本スイッチング・セルを得るために、第１及び第２の直列分路ダイオード構造体（Ｄ１／Ｄ２、Ｄ３／Ｄ４）が鏡像型構成で互いに接続される、装置及び方法に関する。この基本スイッチング・セルは、ＳＰＤＴスイッチを構築するのに用いることができ、それをＤＰＤＴスイッチ又は、より複雑なスイッチを構築するのに用いることができる。それにより、高アイソレーション及び低電力消費が、さらなるモジュール性の利点と共に実現される。
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【課題】光絶縁素子のターンオン時間及びターンオフ時間をともに短縮することで、応答性を向上することができるインタフェース回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の入力側サンプリングスイッチは、フォトモスリレーと、トランジスタと、電流制御回路とから構成されている。電流制御回路は並列接続された抵抗及びコンデンサを有している。そして、電流制御回路で、フォトモスリレーをオンさせるときには、オン電流閾値より大きいターンオン電流を、オフさせるときには、ターンオン電流より小さくオン電流閾値より大きいターンオフ電流入力端子に流す。これにより、フォトモスリレーのターンオン及びターンオフ時間を短縮して、入力側サンプリングスイッチの応答性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】共通の電源電圧に接続されるＬＥＤ等の複数の負荷を、より小規模な回路で効率よく駆動することができる電流出力型駆動装置を提供する。
【解決手段】複数の電流出力回路２−１〜２−ｎにおける駆動電流の帰還制御に共通の誤差増幅回路３を用いる。その際、誤差増幅回路３と電流出力回路２−１〜２−ｎとの接続の切り替えに伴って電流出力回路２−１〜２−ｎの出力端子電圧が過渡的に変動するが、この変動がコンパレータ１６へ伝達されないようにするため、接続切り替え後の所定期間、最低電圧検出回路１３の検出電圧を信号保持回路１５が保持する。これにより、電流出力回路２−１〜２−ｎの出力端子電圧における最低電圧をマージン分の最小限の電圧に近づける電源電圧ＶＬＥＤの帰還制御が安定に動作するため、より低い電源電圧ＶＬＥＤで効率よく負荷を駆動できる。 （もっと読む）

【課題】 送信側の挿入損失の低減と実装面積の低減を実現する高周波信号スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 共通端子１１にソースあるいはドレインのどちらか一方が接続され、第１の端子１２にドレインあるいはソースの他方が接続され、制御端子１４に抵抗４４を介してゲートが接続されたＦＥＴ２１と、共通端子１４に１端が接続され、他端が抵抗４５を介して制御端子１４に接続されたキャパシタ３１と、キャパシタ３１の他端にカソードが接続され、第２の端子にアノードが接続されたダイオード２６と、ＦＥＴ２１のソース及びドレイン、及びダイオード２６のアノードの各々に抵抗４１、４２、４３を介してバイアスを印加するバイアス端子１８とを備える。 （もっと読む）

入力端子と出力端子との間に第１、第２、第３半導体スイッチを直列接続して挿入し、入力端子に接続された第１半導体スイッチ及び出力端子に接続された第３半導体スイッチのそれぞれに第１、第２電圧印加手段を並列接続し、それぞれの電圧印加手段を、利得が約＋１の状態に設定され、入力側が入力端子及び出力端子に接続された直流増幅器と、電圧印加手段用半導体スイッチとの直列接続回路で構成し、この電圧印加手段用半導体スイッチの一端を第１と第２半導体スイッチの接続点Ｊまたは第２と第３半導体スイッチの接続点Ｋに接続し、スイッチ制御手段が第１〜第３半導体スイッチと電圧印加手段用半導体スイッチを逆モードでをオン及びオフ状態に制御し、第１〜第３半導体スイッチがオフ状態に制御されたときに、第１及び第２電圧印加手段が入力端子及び出力端子の電位を接続点Ｊ及びＫに印加するように構成した半導体スイッチ回路。 （もっと読む）

【課題】回路モジュールをメインバスに結合するまたは回路モジュールとメインバスとの結合を解除する回路システムおよびその方法を提供する。
【解決手段】回路システムは、メインバス（１０１）と、サブバス（１０７）に接続された回路モジュール（１０５）と、サブバス（１０７）とメインバス（１０１）との間に接続され、かつ、第１飽和状態では第１インダクタンスを有し、第２飽和状態では第２インダクタンスを有し、第１インダクタンスは第２インダクタンスより小さい可飽和磁気スイッチ（１０９）と、磁気スイッチ（１０９）をメインバス（１０１）にサブバス（１０７）を結合する第１飽和状態にする、または、磁気スイッチ（１０９）をメインバス（１０１）とサブバス（１０７）との結合を解除する第２飽和状態に決定する手段（１１１）と、を有する。 （もっと読む）