オプトカプラ回路１０は、フォトＬＥＤ２０と並列接続するスイッチ２２を含み、フォトＬＥＤ２０はアノード及びカソードを有する。アノードは減結合コンデンサ２８を介して電源に接続される。オプトカプラ回路は、スイッチが開放位置にあるときフォトＬＥＤをオンにするよう構成される。スイッチが閉じているときは、スイッチ２２は電流の流れの向きを、直列抵抗器３２を経由して接地へ向けるようにし、電流の流れを分流してフォトＬＥＤから離すことでフォトＬＥＤをオフにする。第２のコンデンサ３８は、フォトＬＥＤのカソードへ接続される。第２のコンデンサは、第２のスイッチ４０及び接地へ接続された電流制限抵抗器４２と直列に配線される。第１のスイッチ２２及び第２のスイッチ４０は、カソードが接続されたコンデンサ３８の放電を回避するために相補状態で動作する。開示されるオプトカプラ回路１０は、より高レベルのコモンモード電圧過渡現象で機能する性能を提供する。
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【課題】電流負荷への電流供給を適切に制御でき、電流負荷を高速に停止できて電流制限抵抗が不要な電流負荷駆動回路を提供すること。
【解決手段】この電流負荷駆動回路の場合、カレントミラー回路１ｂの電圧経路上で入力回路５ｂ、出力回路７ｃを分割し、カレントミラー回路２ｃを含む出力回路７ｃに備えられた電圧制御回路では、スイッチ回路Ｓａ、Ｓｂの働きでＭＯＳトランジスタＮ１をオフにして電流負荷のＬＥＤ４（調光可能）の消灯を行う。制御端子Ｔ１、Ｔ２に入力された低レベルの制御信号を入力したＮＯＲ回路１２からは、高レベルの制御信号がゲートバイアス電圧として高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ３に印加され、トランジスタＰ３のドレイン電圧は、ソース電圧（ＬＥＤ４の電源電圧）に一致した状態となってＬＥＤ４が高速消灯される。各カレントミラー回路及び電圧制御回路によってＬＥＤ４の駆動電流を制御するため、電流制限抵抗が不要となる。 （もっと読む）

【課題】温度変化や製造プロセスのばらつきに起因する出力の変動を抑制する。
【解決手段】温度が上昇するとバイアス電圧生成回路28からNMOSトランジスタ26のゲートに供給されるバイアス電圧Ｖ_ＧＳが低下することで参照電流Ｉrefが低下し、温度上昇に伴う電圧Ｖcの低下幅が小さくなり、温度が低下するとバイアス電圧Ｖ_ＧＳが上昇することで参照電流Ｉrefが増大し、温度低下に伴う電圧Ｖcの増加幅が小さくなる。、製造プロセスのばらつきによりトランジスタの閾値電圧Ｖtが設計値より低下した場合は、バイアス電圧Ｖ_ＧＳも低下することで参照電流Ｉrefが低下し、閾値電圧Ｖtの低下に伴う電圧Ｖcの低下幅が小さくなり、製造プロセスのばらつきによりトランジスタの閾値電圧Ｖtが設計値より上昇している場合は、バイアス電圧Ｖ_ＧＳも上昇することで参照電流Ｉrefが増大し、閾値電圧Ｖtの上昇に伴う電圧Ｖcの増加幅が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】動作特性の低下を抑制しつつ、配置の自由度を大きくできる上、電流負荷を高速停止できて電流制限抵抗が不要な電流負荷駆動回路を提供すること。
【解決手段】電流負荷駆動回路における第１カレントミラー回路１ｂの電圧経路上で入力回路５ｂ、出力回路７ｂを分割し、第２カレントミラー回路２ｂを含む出力回路７ｂに備えられた電圧制御回路では、電流負荷のＬＥＤ４の消灯を行う際、ＬＥＤ４の一端にドレイン端子が接続された高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ３が、制御端子Ｔ１に入力された信号によって、オン状態とされる。このとき、ＭＯＳトランジスタＰ３のドレイン電圧は、ほぼソース電圧（ＬＥＤ４の電源電圧）に一致した状態となるため、ＬＥＤ４は高速消灯される。各カレントミラー回路および電圧制御回路によってＬＥＤ４の駆動電流を制御するため、電流制限抵抗が不要となる。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサ制御装置は、複数の容量センサ検出手段を非同期で動作させた場合、セトリング動作が重なることにより、容量センサの検出値にノイズの影響が出るという問題があった。
【解決手段】ある容量センサ検出手段は、スイッチトキャパシタ回路が容量センサの容量を電気信号に変換するセトリング動作を開始したことを示すセトリング実行信号を生成するセトリング実行信号生成手段と、他の容量センサ検出手段のセトリング実行信号生成手段から出力されるセトリング実行信号の有無を検出するセトリング実行信号検出手段と、を備えている。制御手段は、セトリング実行信号検出手段の検出結果に基づいて、スイッチトキャパシタ回路およびＡＤ変換手段の動作を制御する。このような構成とすることで、容量センサ検出手段同士でセトリング動作が重なることがなくなり、ノイズの影響のない検出値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】受光信号に応じて適切な増幅率を迅速に設定できる構成を提供する。
【解決手段】複数の発光ダイオード２ａ〜２ｄを順次投光させる投光制御回路３及び投光回路４と、投光制御手段による各投光手段の投光動作に応じて、各投光手段と対応する各受光手段を順次受光動作させる受光制御回路１７と備えている。さらに、各フォトダイオード７より出力される受光信号を増幅した増幅信号を生成する増幅手段としての前置増幅回路９が設けられており、受光制御回路１７のメモリには、増幅信号のレベルの増大に応じて前置増幅回路９に用いる増幅率を次第に低く設定するように増幅率を決定する設定情報が記憶されている。受光制御回路１７は、所定数のフォトダイオード７と対応する増幅信号のレベルと設定情報とに基づいて前置増幅回路９の増幅率を設定するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ケーブルを必要最小限の長さで構成することができ、面倒なケーブルの引きまわしを生じることなく設置することができ、配線の自由度を向上する。
【解決手段】受光ユニット１７，１８には、ＥＥＰＲＯＭが内蔵されており、セッティングコンソールによりあらかじめ設定される順序に基づいて、受光ユニット１７，１８の受光側ＣＰＵが、投受光動作する順序を設定するため、ケーブル１９を必要最低限の長さで構成することができ、面倒なケーブル１９の引きまわしを生じることなく多光軸光電スイッチ１０を設置することができる。 （もっと読む）

【課題】光同期方式にて構成してノイズ等の不具合を防止しつつも、投光器及び受光器が共に連携して作動可能な構成をなす多光軸光電センサを提供する。
【解決手段】多光軸光電センサ１において、受光器２０は同期用投光素子１５備えて構成されており、投光器１０は、同期用投光素子１５と対をなして設けられた同期用受光素子２７を備えている。そして、同期用受光素子２７の出力に基づく同期信号に応じて各検出用投光素子１１を順次駆動する。一方、受光器２０では、この受光器２０で生成された同期信号に基づいて各検出用受光素子２１からの検出用受光信号を順次有効化し、この有効化された検出用受光信号に基づいて受光状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題を解決することが可能な温度検知回路等を提供する。
【解決手段】温度検知回路が本願では開示される。いくつかの実施例で、それらは、電流ミラー構造において連結された第１及び第２のトランジスタと、第１及び第２のダイオードとを有する。第１のダイオードは、第１のトランジスタへ結合され、第２のダイオードは、第２のトランジスタへ結合されている。温度検知信号は、当該回路が動作しているときに、第１及び第２のダイオードの間で発生する。他の実施例についても、本願で開示及び／又は請求をなされている。 （もっと読む）

【課題】電力消費を節減することができる表示装置、その駆動方法及び表示装置用駆動装置を提供する。
【解決手段】本発明は表示装置、その駆動方法及び表示装置用駆動装置に関し、この駆動装置は光感知部からの光感知信号及び接触感知部からの接触感知信号を増幅する増幅部と、増幅部からの増幅された光感知信号及び増幅された接触感知信号を直列感知信号に変換する並列−直列変換器と、直列感知信号をデジタル感知信号に変換するアナログ−デジタル変換器とを備える。この時、増幅部、並列−直列変換器、及びアナログ−デジタル変換器は接触感知信号によって正常モードと節電モードに分けて動作する。本発明によれば、接触がなければ節電モードで動作して信号読取部の一部に電源を供給しないことによって、電力消費を減らすことができ、低い周波数を有するクロック信号に同期して動作するためにさらに消費電力を減らすことができる。 （もっと読む）

半導体試験装置に使用されるプログラマブル電源において、電流レンジや出力リレーにおける大電流の高速切り換えを可能とする。
半導体試験装置１のプログラマブル電源１０に設けられたスイッチ部２０のＭＯＳＦＥＴ駆動回路２２において、光絶縁素子２２−１の受光部２２−１２からの電流によりコンデンサ部２２−１２に電荷が蓄積される。アナログスイッチ部２２−３の切り換えによりＳＷＡがＯＮ（ＳＷＢがＯＦＦ）となると、コンデンサ部２２−１２に蓄積されていた電荷によりＭＯＳＦＥＴ部２１の各ＭＯＳＦＥＴのゲートがチャージされＯＮ状態となる。一方、アナログスイッチ部２２−３のＳＷＢがＯＮ（ＳＷＡがＯＦＦ）となると、ＭＯＳＦＥＴのゲートがディスチャージされる。

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