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Fターム[5J056DD28]の内容

論理回路 (30,215) | 構成要素(素子) (5,667) | トランジスタ(UJT、IGBT他) (4,294) | トランジスタの組合せ (2,266) | P型FETとN型FETの組合せ (1,723)

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Fターム[5J056DD28]に分類される特許

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【課題】 高レベルの電圧耐性および伸展性双方を有し、電源ピンが2本で済む入出力ドライバ回路を提供する。
【解決手段】 入出力ドライバ回路は、回路の出力ライン(30)と出力電源端子(42)との間に、1つのみの代わりに、2つのPMOSスイッチング・トランジスタ(T1A,T1B)を用いることによって、機能性デジタル回路(14)と他のデジタル回路のための共通バス(18)との間に、バッファ・インターフェースを備え、高いレベルの電圧耐性および伸展性を達成しつつ、必要な電源ピン(38,42)を2つのみに抑えた。トランジスタをオフに切り替えるには、出力電源(40)の電圧をそれらの一方のゲートに印加し、出力ライン電圧を他方のゲートに印加する。これによって、出力ライン電圧が出力電源レベルを超過したか否かには係らず、必要なときに、確実にトランジスタの少なくとも一方を最大限オフにする。 (もっと読む)


【課題】順方向基板バイアスを印加する場合に、動作温度の上昇にともなうリーク電流の増加を防止する。
【解決手段】順バイアス制御回路FBBが出力するバイアス信号は電流クランプ回路CLMPを通してCMOS回路LSIの基板へ供給される。電流クランプ回路CLMPは不純物濃度の低い拡散層を利用して構成され、温度変化に対して不変な定電流を供給する。
【効果】CMOS回路の低電圧駆動時、動作速度を順バイアスにより向上するとともに、温度上昇時、順バイアス印加にともなうリーク電流の増加を抑制し、高速かつ高信頼性を持った半導体集積回路装置を実現する。 (もっと読む)


【課題】 半導体回路において、回路動作の履歴により動作速度が変化しないようにすること、寄生バイポーラトランジスタがオンするのを防止すること、及び設計データの共通化を図ること。
【解決手段】 電界効果形トランジスタのボディーと電源とを抵抗(RBMP1,RBMN1)を介して接続する。
【効果】 本発明を用いると、切り換わり後、ボディーの電位が初期状態に復帰するので、上記課題を解決できる。 (もっと読む)


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