【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ４の一端がスイッチＳＷ２の他端に接続され、整合回路Ｍ４の他端が増幅素子Ｔｒ２の出力に直接に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高い歩留りを得ながらゲートスロープを抑制することができるアナログ回路を提供する。
【解決手段】アナログ回路には、発振トランジスタ２７と、発振トランジスタ２７に対する負性抵抗を変更する負性抵抗変更回路と、が設けられている。負性抵抗変更回路には、可変抵抗回路及び可変容量回路が含まれている。可変抵抗回路には、抵抗体２９、抵抗体３１及びトランジスタ（スイッチ）３５が含まれ、可変容量回路には、キャパシタ３０及び可変容量ダイオード３６が含まれている。 （もっと読む）

【課題】差動信号の増幅および合成を行ない、かつ高調波を抑制することが可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１０１は、差動信号である第１の入力信号および第２の入力信号を増幅する第１の増幅器１１，１２と、第１の増幅器１１，１２によって増幅された第１の入力信号および第２の入力信号を受ける第１のコイル２１と、第１のコイル２１と磁気的に結合され、増幅された第１の入力信号および第２の入力信号の合成信号が出力される第２のコイル２２と、第２のコイル２２と磁気的に結合された第３のコイル２３と、第３のコイル２３の両端間に接続された第１のキャパシタ４１とを備え、第１のキャパシタ４１の一端が接地ノードに接続されている。 （もっと読む）

【課題】増幅されるＲＦ信号の電力出力を効率的及び経済的に増加させる、分布型電力増幅器のトポロジー及びデバイスを提供する。
【解決手段】電力増幅器は、新規の環状で相互に接続された複数のプッシュプル増幅器を具えており、等しい大きさ及び逆相の入力信号で駆動される隣接する増幅デバイスの信号入力を有する能動素子の１次巻線として機能することが好ましい。また、そのトポロジーは、１次巻線の形状に適合する２次巻線１５０の使用と、個々の電力増幅器の電力を効率的に合成する働きをする変化に適応する変化を開示している。新規の構造は、ＲＦ、マイクロ波、ミリ波の周波数で低コストで、高集積で、ハイパワーである増幅器のデザインを可能としている。 （もっと読む）

【課題】高周波数帯で高出力及び高効率な特性並びに低消費電力の半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器であって、III−Ｖ族窒化物半導体から構成された高周波電力を増幅するＦＥＴを有する最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３と、商用電源１０５から供給される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路１０６を有し、直流電圧を最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３のＦＥＴのドレインに印加するドレイン電圧源１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器における渦電流損失を、回路占有面積を増大させることなく低減する。
【解決手段】２つのゲインブロック（３ａａ，３ａｂ−３ｄａ，３ｄｂ）が各々に接続される１次インダクティブパス（２ａ−２ｄ，４ａ−４ｄ）および１次インダクティブパスと磁気結合する２次インダクティブパスに屈曲部（５）を設け、この屈曲部が中心を向くように配置する。２次インダクティブパス（４ａ−４ｄ）を、順次配線（１１ａ−１１ｃ）により相互接続し、未接続の２次インダクティブパス端部を出力端（１５ａ、１５ｂ）として利用する。 （もっと読む）

【課題】 増幅すべき電力を分配器により分配して並列に電力増幅して合成器にて合成する際、電力増幅器を外して分配器や合成器の出力や入力端子が開放になった場合にも、分配・合成器の内部の短絡点の発生を防ぐ。
【解決手段】 電力増幅器１３０が分配器１００から外されると、分配器の端子１９，２０は開放になって全反射が起きる。反射した電力は全て終端抵抗１１に吸収され、ストリップライン１４は抵抗１１で終端される。電力増幅器１１０が合成器１２０から外されると、合成器１２０の端子３２，３３が開放されて、ストリップライン４０から回り込んできた電力が端子３２，３３で反射するが、反射した電力は終端抵抗３８に吸収されて、ストリップライン４０は抵抗３８で終端される。電力増幅器を外しても分配器や合成器の出力や入力端子を終端でき、分配器及び合成器の他の端子が開放になるのを防ぎ、高周波電力増幅装置の出力を継続できる。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ増幅回路では、ＡＭ−ＰＭ特性（振幅−位相特性）の変動が複雑であって、十分な歪補償を行うのが困難であるという問題点があり、本発明は、ＡＭ−ＰＭ特性を改善し、歪の小さいドハティ増幅回路を提供する。
【解決手段】 互いにＡＭ−ＰＭ特性の異なる複数のドハティ増幅部を縦続接続したものであって、例えば、ＡＭ−ＰＭ特性が逆特性となるＧａＡｓＦＥＴを用いた成るドハティ増幅部２０と、ＬＤ−ＭＯＳＦＥＴを用いたドハティ増幅部３０とを縦続接続したものであり、それぞれのドハティ増幅部で発生する位相変化を相殺して、全体として良好なＡＭ−ＰＭ特性を実現し、歪を低減するドハティ増幅回路である。 （もっと読む）