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Fターム[5J081HH03]の内容

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【課題】発振器の発振周波数、又は負荷の大小によるバッファー回路の出力レベル変動を抑制して、バッファー回路の消費電力を低減する発振器を提供する。
【解決手段】この発振器100は、発振回路18と、発振回路18の発振信号を増幅するプリバッファー回路19と、最終段のバッファー回路11と、バッファー回路11の出力電圧レベルを検出するレベル検出回路8と、レベル設定2に応じてレベル検出回路8のレベルを増幅する増幅回路1と、増幅回路1から出力したレベル検出回路8の検出レベルに基づいて出力信号(OUT)の電圧、又は電流を制御してバッファー回路11の出力レベルを調整するレベル調整回路5と、を備えて構成されている。 (もっと読む)


【課題】小型化及び低消費電力化を図ることができる磁気同調デバイス駆動回路及びそれを備えた測定装置並びに磁気同調デバイス駆動方法を提供する。
【解決手段】磁気同調デバイス駆動回路10は、固定電圧を出力する電源に接続され、印加された出力電圧制御信号に応じた電圧を出力するスイッチング電源回路11と、スイッチング電源回路11の出力電圧を所望の同調周波数に応じた電流に変換して同調コイル51に供給する定電流回路12と、同調コイル51の電圧の絶対値を所定値だけ大きくするシフト電圧を供給するシフト電圧供給部13と、電流が供給された同調コイル51の電圧とシフト電圧とを加算し、加算後の電圧を出力電圧制御信号としてスイッチング電源回路11に出力する加算回路14と、を備える。 (もっと読む)


温度補償CMOS RC発振回路は、抵抗と温度相関バイアス電流とを用いてソースバルク電圧を変化させて、温度に対するMOSFETの閾値電圧の変動を安定させる。この温度層間バイアス電流はまた、抵抗を流れる。温度が上昇すると、バイアス電流も増え、MOSFETのソースバルク電圧を上昇させる。上昇したソースバルク電圧は、高い温度にてMOSFETの閾値電圧を安定させるのを補助する。この発振器には省電力ロジックも組み込まれており、低い電力消費で高い周波数が得られる。本発明では、得られる発振器が低出力設計となってしまう高利得オペアンプや高速比較器はなく、他のシステムとともにシングルチップに組み込むことができる。 (もっと読む)


【課題】チャージポンプを用いずに、出力周波数の精度を高くすることのできる自動調整発振器を提供する。
【解決手段】発振器10は、発振回路11、第1電圧供給回路13、第2電圧供給回路14及び調整値生成回路16を備えている。第1電圧供給回路13は、基準時間で第1電圧V1が基準電圧Vrefに到達するような時定数となる抵抗値の抵抗器R1とキャパシタン
スのキャパシタC1とを備える。第2電圧供給回路14は、発振回路11の周波数に応じたパルス信号S1,S2によってスイッチングを行なう第1及び第2スイッチング手段SW1,SW2によって第2電圧V2を上昇させる。調整値生成回路16は、第2電圧V2が第1電圧V1よりも先に基準電圧Vrefになった場合には、周波数を低くする調整値を
発振回路11に供給し、第2電圧V2が第1電圧V1よりも遅れて基準電圧Vrefになっ
た場合には、周波数を高くする調整値を発振回路11に供給する。 (もっと読む)


【課題】信号に対するノイズの増加がなく安定したPLL周波数シンセサイザ回路及びその制御方法を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器の制御電圧をモニタし、制御電圧に応じて前記電圧制御発振器の変調感度との間で安定に動作するように設定されたループフィルタを切り替えるようにした。 (もっと読む)


【課題】VCOを備える周波数シンセサイザに関し、VCOのf−V特性のばらつきに対処する手法を提案する。
【解決手段】制御電圧V1に応じて発振周波数f1が変化する第1の電圧制御発振器を備え、基準周波数に応じた周波数の信号を発振する第1の周波数シンセサイザと、制御電圧V2に応じて発振周波数f2が変化する第2の電圧制御発振器を備え、前記第1の周波数シンセサイザと同じチップ上に設けられており、前記基準周波数に応じた周波数の信号を発振する第2の周波数シンセサイザと、前記第1の電圧制御発振器の制御電圧V1をモニタし、前記第1の周波数シンセサイザの周波数がロックしているときにモニタされた前記制御電圧V1と基準電圧とを比較し、前記制御電圧V1と前記基準電圧との比較結果に基づいて、前記第2の電圧制御発振器のf2−V2(発振周波数−制御電圧)特性を変化させるコンパレータとを備えることを特徴とする集積回路装置。 (もっと読む)


【課題】PLL回路の電圧制御発振器内の漏洩電流を補償する回路構成を得る。
【解決手段】ループフィルタ(20)により発振器へ加えられる制御電圧は、基準信号と電圧制御発振器(12)の出力信号との位相差の関数として位相検出器(16)により発生される。発振器(12)は、制御線(34)を介して制御電圧が加えられるバリキャップダイオード(28,30)を含み、同じ構成のバリキャップダイオード(36,38)を有する補償回路(K)が一方の出力(44)において制御電圧を再生して補償回路(K)内のバリキャップダイオード(36,38)へ加え他方の出力(46)からはバリキャップダイオード(36,38)の漏洩電流に等しい電流を供給する。電流分路分岐が制御線(34)から延びており、それを介して演算増幅器(40)により供給される電流に対応する電流が制御線(34)から流れる。 (もっと読む)


【課題】素子バラツキなどが生じた場合に、位相ノイズを効果的に低減することが困難であった。
【解決手段】電圧制御発振器は、電圧制御発振部へ動作電流を供給する可変電流生成回路と、インダクタと可変容量素子とで構成される共振回路を有し、可変電流生成回路の生成する電流に基づいた振幅の出力信号を出力する電圧制御発振部と、出力信号が入力され、可変電流生成回路の出力する電流の変化量に対する出力信号の振幅変化に基づいて電流設定信号を生成し、可変電流生成回路に供給する第1の最適化回路とを有する (もっと読む)


【課題】発振周波数を制御し、所望の周波数範囲を得ることが可能な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】本発明に係る電圧制御発振器100は、第1のインダクタ2、第2のインダクタ3、および第1の可変容量4、を有するタンク回路5と、第1のインダクタ2の他端と接地電位VSSとの間に接続され、ゲートが第2のインダクタ3の他端に接続されたn型の第1のMOSトランジスタ6と、第2のインダクタ3の他端と接地電位VSSとの間に接続され、ゲートが第1のインダクタ2の他端に接続されたn型の第2のMOSトランジスタ7と、第3のインダクタ9と、第4のインダクタ11と、第3のインダクタ9の他端と第4のインダクタ11の他端との間に接続された第2の可変容量13と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電圧制御発振器の動作電流を自動的に調整し位相雑音特性を向上することが可能な動作電流調整装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る動作電流調整装置100は、電圧制御発振器1と、発振周波数制御電圧を出力する電圧発生部14と、発振信号の発振周波数を測定する周波数検出部15と、電圧発生部14が発振周波数制御電圧Vcontを制御するための電圧設定信号Svsetを出力するとともに、周波数検出部15で測定された発振周波数に基づいて電源回路5が動作電流Iccを制御するための動作電流制御信号Scontを出力する制御部16と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを発振素子として有する発振回路を備え、ソース端子又はドレイン端子の一方とゲート端子との間を接続して、ゲート電流をゲート端子へと帰還させる帰還路を流れる電流の変化に応じて外部変化を検出する発振型近接センサにおいて、温度変化や電源変動があってもゲート電流igの値を維持して安定性の高いセンサを実現する。
【解決手段】発振型近接センサ1を、ソース端子Sとドレイン端子Dとの間に印加する電圧を変えることによって、帰還路8を流れるゲート電流の直流成分igを所定値に維持する電圧制御部20を備えて構成する。 (もっと読む)


【課題】 制御を容易にでき、信号の安定性を向上させることができるウィーンブリッジ発振回路を提供すること。
【解決手段】 負帰還回路のゲインは一定にし、正帰還回路にゲイン可変素子であるVCA119を備え、VCA119の制御電圧の出力振幅を整流した信号について高圧トランス17の二次巻線171より高電圧を発生させて両波整流し、ローパスフィルタ(コンデンサ134,136、インダクタンス135)を通してリプルを減少させ、抵抗131,132による分圧により作成した信号レベルが大きい場合はゲインを小さくし、信号レベルが小さい場合は、ゲインを大きくすることにより出力振幅が一定になるように制御した。 (もっと読む)


【課題】 水晶振動子の周波数の変化を利用して疫病マーカー物質あるいはダイオキシンなどの環境汚染物質などを感知する場合に、溶液の粘度変化に基づく水晶振動子の発振周波数の変化分の誤差をなくすこと。
【解決手段】 水晶振動子を流れる駆動電流を電流検出器により検出し、その電流検出値をアンプ及び整流回路を介して差動アンプに入力する。差動アンプでは電流検出値に対応する電圧と設定電圧V1とを比較し、その偏差分をレギュレータに供給する。このレギュレータから前記偏差分に応じた電圧を発振回路のインバータに電源電圧として供給し、これにより水晶振動子の駆動電流が設定値に維持される。 (もっと読む)


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