【課題】 圧電基板の他方主面に導体層が形成された弾性表面波素子をフェースダウン実装した弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を改善する。
【解決手段】 従来、圧電基板２の励振電極形成面とは異なる他方主面の全面に、弾性表面波素子１の作製工程で発生する焦電破壊を防止するために設けていた導体層10を、フィルタ領域９の入力パッド部５および出力パッド部６の少なくとも一方に対向する領域５ａ，６ａを他の領域と分離して形成することにより、フィルタ領域９の入力パッド部５および出力パッド部６間に形成されていた寄生容量による入力パッド部５および出力パッド部６間の結合量を大幅に小さくすることができる。これにより、通過帯域外減衰量を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 通過帯域外の減衰特性を悪化させることなく、小型化を実現することができる表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】 一方が平衡信号端子とされ、他方が不平衡信号端子とされるＳＡＷチップ１１を実装基板１２にフリップチップ実装し、実装基板１２とＳＡＷチップの表面を樹脂１９により覆うようにする。またこのとき、ＳＡＷチップ１１に設けられている第１及び第２のＳＡＷフィルタ１、２のグランドを共通化すると共に、ＳＡＷチップ１１が実装される実装基板１２のＳＡＷチップ１１の信号パターンを囲むように環状電極１４を形成し、この環状電極１４をアースパターンに接続するようにした。 （もっと読む）

【課題】水晶基板上にＺｎＯ薄膜を形成することで表面に導波される縦波型漏洩弾性表面波を利用したＳＡＷデバイスにおいて更なる高周波化を図ると共に良好な特性を実現する。
【解決手段】オイラー角表示で（０，θ，０）の水晶基板１上にＩＤＴ２を形成し、該ＩＤＴ２を覆うようにＺｎＯ薄膜３を形成し、縦波型漏洩ＳＡＷを基板表面に励振させ、水晶基板１のカット角θを１２０°≦θ≦１４０°の範囲に設定し、且つ、縦波型漏洩ＳＡＷの波長λで規格化したＺｎＯ薄膜３の膜厚ＨをＨ≦０．０８λの範囲に設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 送信側フィルタおよび受信側フィルタを同一の圧電基板上に作製した弾性表面波素子ではアイソレーション特性が悪かった。
【解決手段】 圧電基板２の一方主面にそれぞれ励振電極３と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13が形成され、他方主面に導体層16が形成された弾性表面波素子１を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装しており、導体層16は、多数の導体非形成部を点在させて形成されている弾性表面波装置である。従来、圧電基板２の励振電極３の形成面とは異なる他方主面全面に、弾性表面波素子作製工程で発生する焦電破壊を防止するために設けていた導体層16を、多数の導体非形成部を点在させて形成することにより、送信側フィルタ領域12の入力パッド部５および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８間に形成されていた寄生容量を低減することができ、これにより、アイソレーション特性を改善することができる。 （もっと読む）