従来の電力増幅技術は、かなりのチップ面積を使用し、より高い製造費用および大きなパッケージ面積を伴う多重集積回路技術を用いている。新しい構造が提示され、そこではいくつかの検知信号および制御信号が用いられて、集積半導体電源増幅に伴う基本的な性能指数についての精密で著しい制御を提供する。これらの検知信号および制御信号がどこにかつどのように用いられるかは、最も製造し易くかつ最も経済的な集積増幅器を達成するために決定的である。本発明の第１の実施の形態によると、３段階電力増幅用集積回路に係る二重のフィードバック低電力調整回路が提供されている。本発明の第２の実施の形態によると、３段階電力増幅集積回路に係る低ＲＦ出力信号電力調整を行う電流源フィードバック回路が提供されている。本発明の第３の実施の形態によれば、３段階電力増幅集積回路に係る集積対数電流検出回路の形態の検出回路が提供されている。本発明の３つの実施の形態では先行技術の限界を乗り越えて利益がある。 （もっと読む）

本明細書の開示はＲＦ出力半導体デバイスに関する。本明細書に開示の一実施形態において、ＲＦ出力プラスチック半導体デバイス（１０）は、半導体（ＲＦ）デバイス（１２）、ＲＦデバイスに電気的に接続されている低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）インピーダンスマッチング構造体（１４）、並びにＲＦデバイス及びインピーダンスマッチング構造体の上方に形成されているプラスチックパッケージ本体（２２）を備える。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体は、インピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層（２８，３６）と、金属化層上のパッシベーション層（４４）からなる。パッシベーション層により、金属化層に対するプラスチックパッケージ本体の金型成形コンパウンドの結合強度が増大する。ＬＴＣＣインピーダンスマッチング構造体とＲＦデバイスとの間に電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出される。好適には、本明細書に開示の実施形態によるＲＦ出力プラスチックパッケージは、従来のＲＦ出力プラスチックパッケージの終端インピーダンスの約２倍以上の終端インピーダンスを示す。
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送信素子のアレイに接続された複数の増幅部を有するビーム形成ネットワークを含む、波動エネルギーのコリメートされた指向性ビームを送信するための装置。増幅部のそれぞれは、波動エネルギーのデジタルサンプル源、デジタルサンプルの供給を受けて、時間遅延をその複製に提供するためのデジタルフィルタ、及び増幅システムを含む。増幅システムは、ブリッジ回路を流れる電流を表すフィードバック信号を生成するブリッジ増幅器、対応するデジタルフィードバック信号を生成するためのアナログ−デジタル変換部、増幅される信号のデジタルサンプル及びデジタルフィードバック信号の供給を受けて合成デジタル信号を生成するためのデジタル加算器、並びに、合成デジタル信号及び搬送波信号源が生成した信号の供給を受けて、増幅素子の複数のスイッチング信号を生成するための変調部、を含む。

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【課題】本発明は携帯電話などの各種高周波機器に用いられる高周波電力増幅器及びそれを用いた高周波電力増幅モジュールに関するもので、電力効率の高い高周波電力増幅器及びそれを用いた高周波電力増幅モジュールを提供するものである。
【解決手段】ガリウム砒素からなるヘテロ・バイポーラ・トランジスタ素子１からなる高周波電力増幅器において、エミッタ電極４に接続される保護抵抗５にコンデンサ７を並列接続したことで、この保護抵抗の持つインダクタ成分とコンデンサの並列共振作用により使用周波数帯域における高周波信号の漏洩を抑制し、高周波電力増幅器の電力効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】プレディストータ法により歪み補償を行う場合に、複雑な複素積演算と高速な処理を不要とし、簡単な構成で歪み補償を実現し、消費電力も低減可能とする。
【解決手段】演算部３０は、直交ベースバンド信号Ｉ，Ｑから｛Ｉ(t)^２＋Ｑ(t)^２｝＊Ｉ(t)及びＱim＝｛Ｉ(t)^２＋Ｑ(t)^２｝＊Ｑ(t)の演算により、歪み成分の直交ベースバンド信号Ｉim，Ｑimを求める。直交ベースバンド信号Ｉim，Ｑimは、直交変調部４１により直交変調され、高周波信号ＲＦimとなされる。高周波信号ＲＦimは、電力増幅器５０の非線形歪みを打ち消すための減衰量と移相量で可変減衰器７１と移相器７２により調整された後、加算器７０で高周波信号ＲＦと加算される。その加算後の高周波信号を電力増幅器５０へ入力することで、電力増幅器５０からは非線形歪みがキャンセルされた高周波信号が出力される。 （もっと読む）

【課題】従来の技術による諸問題を解決するため、高放熱効能の電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅集積回路１０は、基板５０と、放熱するためのヒートシンクと、基板５０に設けられてコレクター１２と、ベース１６と、少なくとも１個のエミッター１４ａ、１４ｂとを含むトランジスターと、ヒートシンクとエミッター１４ａ、１４ｂと直接に電気的に接続されるエミッター電極２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高周波の電力増幅器とその周辺回路を設計するには、高周波回路専門の技術者が必要であった。
【解決手段】 入力端子１１と、この入力端子１１の信号が供給される電力増幅器１３と、この電力増幅器１３の出力が供給される方向性結合器１５と、この方向性結合器１５の出力が供給される出力端子１６と、方向性結合器１５の結合出力端子１５ａが入力１７ａに接続されるとともに、その出力１７ｂが電力増幅器１３の電力制御端子１３ａに接続された自動電力制御回路１７とが一つの多層基板に形成されたものである。これにより、高周波回路専門の技術者を必要としない電力増幅器モジュールが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来より著しく小型で、伝送信号の波長によっては、定在波が発生することのない特性の安定した高信頼度の電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】伝送信号の周波数ｆ（Ｈｚ）、真空中での波長λ０（ｍ）、光速Ｃｏ（ｍ／ｓ）、誘電体基板１５の比誘電率εｒに関して、｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４に対応する長さを持つ導体パターン２０を含む。導体パターン２０は誘電体基板１５によって支持されている。誘電体基板１５は、その最大差し渡し寸法をＬｍ（ｍ）としたとき、Ｌｍ＜｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４を満たす。誘電体基板は、エポキシ樹脂材料とセラミック材料とを含む複合材料でなる。 （もっと読む）