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Fターム[5J500DN16]の内容

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Fターム[5J500DN16]に分類される特許

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【課題】負荷電流が小さいときに差動回路のゲイン(電圧利得)を下げ、負荷電流に依存しない安定した周波数特性が得られる差動増幅回路及びボルテージレギュレータ回路を提供する。
【解決手段】差動入力信号の電位差を増幅して出力する差動回路と、差動回路の出力信号を受けて負荷を駆動する出力回路と、出力回路の負荷電流に基づいて負荷電流が小さいときにゲインが小さくなるように差動回路のゲインを制御するゲイン制御回路と、を設ける。 (もっと読む)


【課題】 広範囲な電源電圧仕様に対して、安定した出力振幅およびその出力振幅の中心電圧を出力することができる差動出力バッファを提供する。
【解決手段】 ドレインが電源電圧VDDに接続されるとともにゲートに出力差動信号OUTP,OUTNの出力コモンモード(VOC)を規定する第1の基準信号VREF1が入力されるデプレッション型NMOSトランジスタ11と、ソース双方がデプレッション型NMOSトランジスタ11のソースに接続されるとともに各ゲートに各差動信号INN,INPが入力されるPMOSトランジスタ12,14と、各ゲートおよび各ドレインが各PMOSトランジスタ12,14の各ゲートおよび各ドレインにそれぞれ接続されるとともに各ゲートに各差動信号INN,INPが入力されるNMOSトランジスタ13,15と、NMOSトランジスタ13,15双方のドレインとグランドGNDとの間に接続されたNMOSトランジスタ16とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 出力インピーダンスの設定の自由度を増し、50mA以上の大きな出力電流でも安定に動作することができる差動増幅回路を実現する。
【解決手段】 差動入力端子INP,INNから入力する差動信号を増幅し、差動出力端子LDP,LDNからレーザダイオードの駆動信号を出力する差動増幅回路において、差動入力端子INP,INNに第1のバッファ回路を接続し、その差動出力をエミッタフォロワ回路を介して第2のバッファ回路に接続し、第2のバッファ回路の差動出力を差動出力端子LDP,LDNに接続するとともに、フィードバック素子を介して第1のバッファ回路11の差動出力に負帰還接続した構成であり、負帰還による帰還量は、差動増幅回路の出力インピーダンスが差動出力端子LDP,LDNに接続される伝送線路のインピーダンスに整合するように設定される。 (もっと読む)


【課題】エラーレートを低減する。
【解決手段】TMDSドライバ10は、差動信号を一対の差動信号線20を介して出力する。入力差動対12は、一端が共通に接続された第1トランジスタM1、第2トランジスタM2を含み、差動信号線20を介して接続される差動レシーバ110側の終端抵抗RTを負荷の一部として動作する。テール電流源14は、入力差動対12に定電流Icを供給する。インピーダンス調節部16は、入力差動対12と差動信号線20の間に設けられ、第1トランジスタM1、第2トランジスタM2の負荷インピーダンスを調節する。 (もっと読む)


本発明は、ソース、ドレイン、ゲート、ゲート・ソース接点、ソース・ドレイン・チャネルおよびゲート・ドレイン接点を有する少なくとも1つの電界効果トランジスタを含む、ミリメートル波を検出するための装置に関する。簡素な装置と比べて、本発明によって対処する課題は、THz周波数範囲の電磁放射の電力および/または位相を検出するための電界効果トランジスタを提供することを可能にする装置を提供することである。そのような装置を得るために、本発明によれば、アンテナ構造体を有し、前記電界効果トランジスタは、前記アンテナ構造体によって受信された前記THz周波数範囲の電磁気信号が前記ゲート・ソース接点によって前記電界効果トランジスタに供給されるように、前記アンテナ構造体に接続され、前記電界効果トランジスタと前記アンテナ構造体が、単一基板上に配列される装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】インダクタンスを外部から簡単に調整することができる差動アンプ回路を得る。
【解決手段】差動対を構成する第1及び第2のトランジスタと、第1のトランジスタの出力端子と電源との間に接続された第1のインダクタと、第2のトランジスタの出力端子と電源との間に接続された第2のインダクタと、第1のインダクタにシリアル接続された第1のトランスミッションゲートと、第2のインダクタにシリアル接続された第2のトランスミッションゲートとを有する。 (もっと読む)


【課題】 差動入力信号の電圧範囲に依存しない電圧範囲で出力信号を出力することができる簡易な回路構成の差動増幅回路を提供すること。
【解決手段】 差動増幅回路1は、差動入力電圧が入力される第1差動対をなすNMOSトランジスタN1、N2と、NMOSトランジスタN1、N2のドレイン端子間X1、X2と接続する抵抗素子Raと、ドレイン端子X1、X2が、入力端子に接続されるオペアンプOPと、オペアンプOPの出力電圧および基準電圧が入力される第2差動対をなすNMOSトランジスタN3、N4とを備えている。第1差動対のドレイン端子および第2差動対のドレイン端子はそれぞれ接続されている。 (もっと読む)


【課題】高周波帯域でのゲインを損なわない位相補償器を備えたトランスコンダクタを提供する。
【解決手段】トランスコンダクタは、第1の入力信号が入力端Vin+へ入力される増幅器A1と、第2の入力信号が入力端Vin−へ入力される増幅器A2と、増幅器A1、A2の出力が入力される電圧電流変換器Gm1と、電圧電流変換器Gm1の出力端間に接続される抵抗R1と、増幅器A1の出力と増幅器A2の出力から同相信号を検出する同相信号検出器CMと、同相信号検出器CMの出力を入力とし、電圧電流変換器Gm1へ電流を出力する電圧電流変換器Gm2、Gm3と、同相信号検出器CMの出力端と増幅器A1の出力端との間に接続される位相補償器PC1と、同相信号検出器CMの出力端と増幅器A2の出力端との間に接続される位相補償器PC2と、増幅器A1の出力および増幅器A2の出力を入力とする第4の電圧電流変換器Gm4と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】マッチング状態設定時の困難性を排除し、出力信号の振幅調整を容易に行うことができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】スイッチング動作により出力信号を形成する信号出力回路1と、信号出力回路1に制御信号を供給して出力信号振幅を制御する制御回路2からなり、制御回路2は信号出力回路1を模した疑似回路部3を有し、疑似回路部3は抵抗R2が接続される一対の接続端子T21、T22を有し、高電位電圧が得られる接続端子T21の電圧レベルと信号出力回路1の高信号レベルを比較し、それらのレベルが同じになるように制御回路2を制御する第1信号レベル制御回路4と、低電位電圧が得られる接続端子T22の電圧レベルと信号出力回路1の低信号レベルを比較し、それらのレベルが同じになるように制御回路2を制御する第2信号レベル制御回路5を有する。 (もっと読む)


【課題】低電源電圧時にも適切に動作可能な差動増幅器およびアナログデジタルコンバータを実現する。
【解決手段】アナログデジタルコンバータCVにおける比較器CP1〜CPn内初段の差動増幅器A1〜Anに対し、その制御部として機能するレプリカ部RPを設け、レプリカ部RPから制御信号S4を印加し、基板バイアス効果に則って差動増幅器A1〜An内の負荷MISFETの閾値電圧を変更する。これにより差動増幅器A1〜An内の負荷MISFETの閾値電圧を低くして、当該閾値電圧の電源電圧内に占める割合を低下させることができる。よって、差動増幅器A1〜An内の差動対を構成するMISFETの閾値電圧およびオーバードライブ電圧を十分に確保することができ、低電源電圧時にも同相出力信号を適切な値に保持することにより、適切に動作可能な差動増幅器を実現可能である。 (もっと読む)


トランジスタ増幅回路は、帰還キャパシタンスを中和し且つ増幅器の入力インピーダンスを設定するための電流‐電流変成器を有している。IM3の除去は入力端での帯域外成端によって行なわれ、これは増幅器の出力端のローディングには依存しない。IM3の除去は、直線性を良くすることに寄与し、キャパシタンスの中和は、高くて、安定な利得に寄与する。これらの特徴は、広いダイナミックレンジに亘る利得及び直線性の点からみて、従来の技法よりも遥かに直交性である。従って、所望される高い利得特性と良好な直線性の特性との間にトレードオフは殆どない。特に、斯様な特徴は、効率良く、しかも高い集積化レベルによって実現することができ、このようなことは携帯デバイス又はコンシューマ機器用のワイタレストランシーバのような多くの用途にとって重要なことである。増幅器はシングルエンデッド又はエミッタ接地の差動増幅器とすることができる。それにはRFアプリケーション用のGaAs HBT又は他のバイポーラ技法(SiGe HBT,GaAs HBT, Si BJT)を用いることができる。
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レールツーレール同相モード電圧を有する小さな差動電圧を受けて増幅するための新たな方法および装置を提供する、新規な高速差動レシーバ(100)が開示される。レシーバの出力信号は、低いスキューと高い対称性を有する差動信号である。この高速差動レシーバ(100)は、結果として生じる信号が再結合され、標準化され、増幅される前の、差動位相分割方法論に基づく同相モード電圧の標準化に基づいている。方法は、差動信号分割ステージ(110)、これに続く同相モード電圧標準化ステージ(130)、そして制御された利得のトランスインピーダンスステージ(150)の使用と、次いで、対称であり性質的にバランスの取れた1つまたは2つのレールツーレール増幅ステージ(170)を用いた増幅と、を含む。
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