【課題】少ない数のコマンド端子を用いて、半導体メモリを効率よくアクセスする。
【解決手段】半導体メモリＭＥＭは、選択信号に応じて選択される１つが動作し、複数の第１コマンド端子ＣＭＤ０、ＣＭＤ１にそれぞれ供給される複数の第１コマンド信号を受け、受けた第１コマンド信号を出力する複数の第１選択部ＳＥＬ０、ＳＥＬ１と、第１選択部の出力に接続され、第１コマンド端子の数より多く、少なくとも１つが第１選択部の複数に共通に接続され、第１選択部の１つから出力される第１コマンド信号を、第１同期信号ＳＹＮＣ１に応答して保持し、第２コマンド信号として出力する複数の保持部ＨＬＤ０、ＨＬＤ１、ＨＬＤ２と、第２コマンド信号に応じた動作制御信号ＣＮＴを、第１同期信号に比べて発生頻度が低い第２同期信号ＳＹＮＣ２に応答して出力する動作制御部ＯＰＣと、動作制御信号に応じてアクセスされるメモリセルＭＣとを有している。 （もっと読む）

【課題】小規模な論理回路によって基準レイテンシとオフセットレイテンシを用いた演算を行う。
【解決手段】例えば、基準レイテンシＣＬの値を示す複数のビットＡ０〜Ａ３のそれぞれと、オフセットレイテンシＳＲＬの値を示す複数のビットＣ０〜Ｃ２のそれぞれと、を論理合成して複数の制御信号Ｅ０〜Ｅ３を生成する論理回路１００と、複数の制御信号Ｅ０〜Ｅ３をデコードして複数の制御信号ＵＬＰＣＬ４〜ＵＬＰＣＬ１５を生成する論理回路２００とを備える。本発明によれば、基準レイテンシＣＬの値とオフセットレイテンシＳＲＬの値をデコードする前に演算していることから、より小規模な論理回路によって調整レイテンシＵＬＰＣＬを算出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】独立パーシャルアレイリフレッシュ機能を有する改善されたダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を提供する。
【解決手段】DRAMデバイスが、複数のメモリサブブロックを有する。各サブブロックは、複数のワード線を有し、これらのワード線に、複数のデータ記憶セルが接続される。パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)構成セッティングが、独立に作られる。PASRセッティングに従って、メモリサブブロックが、リフレッシュのためにアドレッシングされる。PASRセッティングは、メモリコントローラによって作られる。サブブロックアドレスのすべての種類の組合せを選択することができる。したがって、メモリサブブロックは、完全に独立にリフレッシュされる。データ保持に関するユーザ選択可能メモリアレイは、特に低消費電力モバイル応用の有効なメモリ制御プログラミングをもたらす。 （もっと読む）

【課題】１つのコントローラに共通接続された複数の半導体装置のモードレジスタに個々の設定値を書き込む。
【解決手段】例えば、モードレジスタ設定信号ＭＲＳ１を活性化させるコマンドデコーダ８２と、モードレジスタ設定信号ＭＲＳ１を遅延させることによってモードレジスタ設定信号ＭＲＳ２を生成するレイテンシシフタ８３と、データ信号Ｄ０がローレベルである場合にはモードレジスタ設定信号ＭＲＳ２に基づいてモードレジスタ設定信号ＭＲＳ３を活性化させ、データ信号Ｄ０がハイレベルである場合にはモードレジスタ設定信号ＭＲＳ３を非活性状態に保持する論理ゲート回路Ｇ２，Ｇ３と、モードレジスタ設定信号ＭＲＳ３の活性化に応答してモード信号が設定されるモードレジスタ８４を備える。これにより、１つのコントローラに共通接続された複数の半導体装置のモードレジスタに個々の設定値を書き込める。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードにエントリしている期間中においてもデータ端子のインピーダンス制御を可能とする。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置１０は、インピーダンス制御信号ＯＤＴを受信する入力バッファ回路７２をセルフリフレッシュモード中においても常時活性化させるとともに、セルフリフレッシュモード中においては、内部クロック信号ＩＣＬＫ０に同期してインピーダンス制御信号ＩＯＤＴ０をラッチするラッチ回路８４をバイパスさせる。これにより、外部クロック信号ＣＫを使用することなく、セルフリフレッシュモード中におけるインピーダンス制御信号ＯＤＴの入力が可能となる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置１０は、セルフリフレッシュモードにエントリすると、オシレータ１５０を用いてリフレッシュ動作を周期的に実行する。セルフリフレッシュモードにおいて１回のリフレッシュ動作に要する時間をオートリフレッシュの１／４に短縮するとともに、リフレッシュ動作の実行頻度を４倍とする。これにより、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを発行した後、ロウ系のコマンドの投入が禁止される期間を短縮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】コア速度に過度にストレスをかけずに、広いデータ転送範囲に応じるメモリ装置を提供する。
【解決手段】記憶アレイからリトリーブされたデータの第１の部分またはより小さな第２の部分のどちらかが、プリフェッチモード選択に従ってデータバッファにロードされ、次に、信号インタフェースを介してメモリ装置から出力される。記憶リソースのいずれか１つに連続アクセスを行う間に生じることになるクロック信号の最小サイクル数を示す値は、メモリ装置の構成回路内で受信および記憶する。この値が、閾値数未満であるクロックサイクル数Ｎを示す場合には、メモリ装置は、クロック信号のＮサイクルのそれぞれの間に、信号インタフェースとデータバッファとの間で、第１のアドレスに関連するデータを転送する。Ｎが閾値数を超えるか等しい場合には、メモリ装置は、別の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 外部からメモリコアを指定することなく動作の停止が必要なメモリコアのみ動作を停止する。
【解決手段】 動作制御回路は、第１動作コマンドに応答してメモリコアのいずれかの第１動作を開始し、第２動作コマンドに応答してメモリコアのいずれかにおいて所定時間で完了する第２動作を開始し、複数のメモリコアの動作を停止するための停止コマンドに応答して、第１動作を停止するとともに所定時間が経過していない第２動作を継続する。活性化回路は、第１または第２動作コマンドに応答してアクセス信号を活性化する。第１の非活性化回路は、第１動作を停止するために停止コマンドに応答してアクセス信号を非活性化する。非活性化禁止回路は、第２動作を停止するための停止コマンドに応答するアクセス信号の非活性化を禁止する。第２の非活性化回路は、第２動作の完了に同期してアクセス信号を非活性化する。 （もっと読む）

【課題】アドレスピンを追加せずに複数のＭＲＳコマンドを生成することができるモードレジスタセットを備えた半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】データバッファ制御信号ＤＱＢＵＦ＿ＥＮＤＢを生成する制御部２３０と、データバッファ制御信号ＤＱＢＵＦ＿ＥＮＤＢに応じて、データパッドＤＱを介して入力される複数のＭＲＳコードＡ＜０：１２＞，ＢＡ＜０：２＞をバッファリングして出力するデータバッファ部２５０と、データバッファ部２５０から出力される複数のＭＲＳコードＡ，ＢＡをデータラインＧＩＯ，ＬＩＯを介して受信し、受信した複数のＭＲＳコードＡ，ＢＡを用いて複数のＭＲＳコマンドＮＭＲＳ＿ＣＭＤ＜０：１２＞、ＥＭＲＳ＿ＣＭＤ＜０：１２＞、ＥＭＲＳ２＿ＣＭＤ＜０：１２＞、ＥＭＲＳ３＿ＣＭＤ＜０：１２＞、ＴＭＲＳ＿ＣＭＤ＜０：１２＞を生成する複数のＭＲＳコマンド生成部２９０Ａ〜２９０Ｅとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＤＲＡＭモジュールにおいて、ＳＤＲＡＭに記憶されていないモードレジスタ等の保持情報をＳＤＲＡＭに記憶されているデータと同期して読み出すことを可能にする。
【解決手段】ＤＲＡＭ配列に記憶されているデータに対して指示される読み出しコマンド／動作と同等のタイミングおよび動作をするレジスタ読み出しコマンド／動作と呼ばれるデータ転送モードを有する。レジスタ読み出しコマンドは、ＭＲＳまたはＥＭＲＳコマンドと同じ制御信号状態を含み、固有値に設定されたバンクアドレスをもつ。レジスタ読み出しコマンドは、１つのデータのみを読み出すか、またはアドレスバスを利用して、ＤＲＡＭ配列に記憶されていない複数のデータをアドレス指定し得る。レジスタ読み出し動作は、バースト読み出しであり、バースト長は、種々のやり方で定められ得る。 （もっと読む）

【課題】レイテンシカウンタの制御に必要な制御信号のビット数を低減する。
【解決手段】内部コマンド信号ＩＣＭＤに奇数サイクルのレイテンシを与えるか否かを選択する第１のレイテンシカウンタ１１０と、内部コマンド信号に２サイクル単位でレイテンシを与える第２のレイテンシカウンタ１２０とを備え、これらレイテンシカウンタ１１０，１２０が直列接続されている。これにより、設定可能なレイテンシの種類よりもレイテンシを設定するための制御情報のビット数が少なくなることから、配線密度を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レプリカ回路の精度を抜本的に向上する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくともフィードバッククロック信号ＲＣＬＫ１に基づいて外部クロック信号ＣＫ，／ＣＫを遅延させてなる内部クロック信号ＲＬＣＬＫを出力するＤＬＬ回路７０と、内部クロック信号ＲＬＣＬＫに同期してデータを出力する複数の出力バッファ６４ａと、出力バッファ６４ａのレプリカであり、内部クロック信号ＲＬＣＬＫに同期してフィードバッククロック信号ＲＣＬＫ１を生成し、ＤＬＬ回路７０に供給する出力レプリカ７３と、ＤＬＬ回路７０から内部クロック信号ＲＬＣＬＫを受け、複数の出力バッファ６４ａ及び出力レプリカ７３に伝送するクロックツリー７２とを備え、クロックツリー７２は、それぞれＤＬＬ回路７０から複数の出力バッファ６４ａ及び出力レプリカ７３に至る内部クロック信号ＲＬＣＬＫの複数の伝送経路の信号線負荷が互いに実質的に等しくなるよう構成される。 （もっと読む）

【課題】並列接続された複数の入力回路のうち使用する入力回路を切り替える際に生じる出力ノードの信号ノイズ（ハザード）を防止する。
【解決手段】それぞれが、入力信号ＩＮが供給される一つの入力ノードＮ１０に接続し、出力信号ＯＵＴを供給する一つの内部出力ノードＮ１１に接続し、互いに電気的特性が異なる第１及び第２の入力回路１００Ａ，１００Ｂと、切り替え信号ＳＥＬを生成し、切り替え信号ＳＥＬによって、入力回路１００Ａ，１００Ｂを制御する入力制御回路３００とを備える。入力制御回路３００は、入力回路１００Ａ，１００Ｂのいずれか一方を活性から非活性へ、いずれか他方を非活性から活性へ切り替えるとき、入力回路１００Ａ，１００Ｂが同時に活性状態となる時間を含むように制御する。これにより、入力回路１００Ａ，１００Ｂの切り替えに伴う信号ノイズ（ハザード）の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリをアクセスするときに、消費電流が一時的に増加するピーク電流を低減する手段を提供する。
【解決手段】半導体メモリ１０は、メモリセルアレイ１１とデータマスク制御部１０１とを備える。データマスク制御部１０１は、メモリセルアレイ１１とデータ入出力接点とのデータ授受を制御する内部マスク信号を出力する。データマスク制御部１０１は、外部から入力または内部で生成されるデフォルトマスク信号に応じて内部マスク信号の待機状態の論理値を可変とする。 （もっと読む）

【課題】マックスパワーダウンモード（ｍａｘ ｐｏｗｅｒ ｄｏｗｎ ｍｏｄｅ）をサポートする半導体装置に関し、マックスパワーダウンモードの進入動作後に１つのバッファリング部のみを使用したとしても、マックスパワーダウンモードの脱出動作を可能にする半導体装置を提供する。
【解決手段】外部から入力される第１モード信号ＣＳＢをバッファリングする第１バッファリング部２２１と、第１バッファリング部２２１の出力信号ＩＣＳＢに応答して活性化され、外部から入力される第２モード信号ＣＫＥをバッファリングする第２バッファリング部２２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】データストローブ信号のスルーレートを変更することなくデータストローブ信号のクロスポイントの電位を調整可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、外部クロックに基づき第１内部クロックを発生する発生回路と、第１内部クロックに基づき第２及び第３内部クロックを生成する分割回路であり第３内部クロックの立ち上がり及び立ち下がりの少なくとも一方のタイミングを調整するエッジ調整回路を含む分割回路と、エッジ調整回路にエッジ調整信号を供給する調整情報保持部と、第２内部クロックに応じて第１データストローブ信号を発生し第３内部クロックに応じて第１データストローブ信号と位相が異なる第２データストローブ信号を発生する出力回路を備え、エッジ調整回路はエッジ調整信号に応じて第３内部クロックの立ち上がり及び立ち下がりの少なくとも一方のタイミングを可変に調整する。 （もっと読む）

【課題】一の動作の契機を他の動作の契機として利用する場合に、２つの動作が互いに影響し合うことを防止する。
【解決手段】
半導体装置は、制御回路１０７を備える。制御回路１０７は、例えば、少なくとも外部及び内部タイマのいずれか一方からコマンドデコーダ１０９を介して特定信号が供給される度に第１の動作（リフレッシュカウンタ１０５等）を引き起こし、第１の動作が所定回数に達すると、次に供給される特定信号に応じて、第１の動作に替えて第２の動作（ＤＬＬの更新１１４またはキャリブレーション１１５）を引き起こす。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ素子などの不揮発性記憶素子から記憶内容を低消費電流で読み出す。
【解決手段】タイミング制御回路は、外部リセット信号の状態遷移を契機として、内部リセット信号ＰＲＥＳＥＴ１、２を活性化させる。ヒューズ回路３０は、ヒューズ素子３１と、内部リセット信号ＰＲＥＳＥＴ１に応答して、ヒューズ素子３１の設定データを取得する読出回路ＲＤと、設定データを一時的に保持し、内部リセット信号ＰＲＥＳＥＴ２によってリセットされるラッチ回路Ｌ１を備える。タイミング制御回路は、内部リセット信号ＰＲＥＳＥＴ２を活性化させることによりラッチ回路Ｌ１をリセットし、内部リセット信号ＰＲＥＳＥＴ１を所定期間だけ活性化させることにより設定データをラッチ回路Ｌ１に保持させる。 （もっと読む）

【課題】より高速で動作するシステムに対応すべくデータストローブを改良する。
【解決手段】２種の動作モードを有するメモリ素子１３０／４４０／４５０−１〜１３０／４４０／４５０−８。第一のモードにおいて、データストローブ１７０−１〜１７０−８はソース同期されていて、データの送信中である場合、メモリ素子により駆動される。第二のモードにおいて、メモリ素子はデータストローブを駆動しない。このモードでは、データストローブ信号１７０−１〜１７０−８は、書込データをサンプリングする自由継続クロックとして用いられる。コントローラ１１０／４２５による読込みデータの取得は、システム・クロックからの較正済み内部タイミング基準を用いてコントローラ１１０／４２５により計時される。 （もっと読む）