【課題】砥石と遊離砥粒とを用いて研削を行うことにより、加工レートと良好な面粗さとを共に得ようとする技術が提案されている。しかし、従来の砥石は砥粒とボンド材とが硬く結合しているため、供給された遊離砥粒を十分に保持することができず、供給される遊離砥粒を加工レートと良好な面粗さの向上に活かすことができなかった。
【解決手段】微粒金属体と、前記微粒金属体の表面に突き刺さって配置される高硬度の微粒石と、微粒石が突き刺さった微粒金属体を分散状態で形状維持するための樹脂とからなる砥石などを提供する。 （もっと読む）

【課題】ノッチを起点に発生したクラックによってデバイスが破損される恐れを低減可能なウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】複数のバンプを有するデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周縁にウエーハの結晶方位を示すＶ字状切欠き２３が形成されたウエーハの裏面を研削して所定厚みへと薄化するウエーハの研削方法であって、ウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部としての切削溝２５を該Ｖ字状切欠きの頂点に対向させてウエーハの該外周余剰領域に形成するステップと、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで保持して裏面を露出させたウエーハの裏面を研削手段で研削して該仕上げ厚みへと薄化するステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】加工中のウェーハの割れや欠け等の破損を防ぐことができるウェーハの加工方法、電子部品の製造方法及び電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハの主面に枠状の肉厚部１２を形成する肉厚部形成工程と、肉厚部１２で囲まれた領域である肉薄部１４を研磨する研磨工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】方形ワークの３面（ＸＺ面、ＹＺ面、ＸＹ面）の直角出し研削加工をなす安価な平面研削装置を提供する。
【解決手段】中央プレーン砥石車部２ｂの両側面に１０〜４５度の傾斜角を有するアンギュア砥石車部２ａ，２ｃが一体化された外周縁断面が傾斜−平行−傾斜形状を示す複合研削砥石車２を用い、ワークテーブルを往復動させつつ、方形ワークＷのＸＹ面、ＸＺ面をアングラー砥石車部２ａ、２ｃで平面研削し、ワークテーブルを移動せず、砥石軸を上下方向移動および前後方向移動させて、方形ワークＷのＹＺ面をプレーン砥石車部２ｂで平面研削する。 （もっと読む）

【課題】研削砥石にＩＣチップを備えて砥石の初期研削条件を記憶するとともに、砥石研削時の各種砥石情報を記憶し、別の研削盤に変更しても、砥石の最適研削条件のもとに研削可能とした知能研削砥石と研削制御方法を提供する。
【解決手段】知能研削砥石１０は、砥粒層の温度、外径、振動、応力等を個別に検知する感知センサＤ１と、上記砥粒層１の温度、外径を検知する感知センサＤ１を砥粒と一体的に外径方向に向けて焼き込んだ砥粒層１を基板３の外周面に装着させた研削砥石と、上記研削砥石にこの砥石メーカー出荷時に初期研削条件を記憶させるとともに研削運転時に温度，外径，振動，応力等の各種研削状況を更新記憶し、外部のＮＣ制御部６０に対して記憶した各種研削情報を出力するＩＣチップＰと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 基板の研削が容易な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、基板の一面に半導体素子を形成する工程と、半導体素子が形成された基板の一面の反対面をドライエッチングする工程と、ドライエッチングされた基板の反対面を研削する工程とを含む。基板は、半導体素子が形成された基板の一面の反対面をドライエッチングされることにより、該反対面に凹凸が形成される。そして、ドライエッチングされた基板の反対面を研削するときに、該反対面に形成された凹凸と、砥石、または砥粒の凹凸が、互いに十分に噛み合うことができる。したがって、砥石、または砥粒は、基板の表面を、すべることなく、効果的に研削することができる。 （もっと読む）

【課題】引張破断強度が高く細いソーワイヤを用いて反りの小さいＩＩＩ族窒化物結晶基板を歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、炭素濃度が０．９０〜０．９５質量％、ケイ素濃度が０．１２〜０．３２質量％以下、マンガン濃度が０．４０〜０．９０質量％以下、リン濃度が０．０２５質量％以下、イオウ濃度が０．０２５質量％以下および銅濃度が０．２０質量％以下の鋼線を含み、ワイヤの直径が０．０７ｍｍ以上０．１６ｍｍ未満で、ワイヤの引張破断強度が４２００Ｎ／ｍｍ²より高く、ワイヤのカール径が４００ｍｍ以上のソーワイヤ２２を用いて、ソーワイヤに破断張力の５０％以上６５％以下の張力をかけて、ＩＩＩ族窒化物結晶体３０をスライスする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド材料を高速かつ高い面精度で研磨することができるダイヤモンド材料研磨用の用研磨盤を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド材料研磨用の研磨盤であって、少なくとも研磨盤の研磨面がダイヤモンド粒子と結合材とからなり、隣接するダイヤモンド粒子が互いに結合して連続した構造を有しており、前記結合材は、Ｎｉ，Ｃｏ，及びＦｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の炭化物を含むダイヤモンド焼結体からなることを特徴とするダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。 （もっと読む）