【課題】濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面に複数の液滴が接している場合であっても、その濡れ広がりおよび合一を容易に予測することを可能とする。
【解決手段】微細な凹凸パターン１により規定されるパターン形成面Ｐであって液滴６の濡れ広がりに異方性を生じせしめるパターン形成面Ｐに配置された複数の液滴６の濡れ広がりおよび合一を予測するためのシミュレーション方法において、解析対象であるパターン形成面Ｐを規定する凹凸パターン１が液滴６の濡れ広がりに与える影響を解析面Ａにおける濡れ性として取り扱って、この濡れ性を表す濡れ性パラメータが組み込まれた気液二相流解析により、解析面Ａ上での複数の液滴６の濡れ広がりおよび合一を解析する。 （もっと読む）

【課題】離型層としての堆積膜を表面に有するモールドの製造において、モールドの製造におけるスループットをより向上させることを可能とする。
【解決手段】離型層１４としての堆積膜を表面に有するモールド１の製造において、堆積性ガス５ａ・５ｂを含むエッチングガスを用いて、石英基板１０およびマスク層Ｍからなる構造体に所望の形状の凹凸パターンが形成されるとともに、堆積性ガス５ａ・５ｂの堆積物からなる堆積膜がこの凹凸パターンに沿って形成されるように石英基板１０をプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等の製造に用いられるインプリントリソグラフィ方法において、テンプレートパターンへの充填材料の充填特性を向上することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
被処理基板上に第一の膜を形成し、前記第一の膜の表面に空隙を形成し、空隙が形成された前記第一の膜表面上に光硬化剤を供給するし、前記光硬化剤と凹部パターンが形成されたテンプレートとを接触させて前記凹部パターンに前記光硬化剤を充填し、充填された前記光硬化剤に光を照射して前記光硬化剤を硬化し、前記テンプレートと前記光硬化剤を離型して光硬化剤パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】インプリントプロセスにおけるアライメントに関する制御条件を工夫し、より好適なアライメント制御が可能となるインプリント方法を提供する。
【解決手段】モールドと基板の位置合わせの制御を行って、基板上のパターン形成層にモールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
位置合わせの制御を開始した後、位置合わせの制御を行いながらモールドと基板を近づけることにより、モールドとパターン形成層を接触させる工程と、
モールドとパターン形成層とが接触した後に位置合わせの制御を停止する工程と、
位置合わせの制御を停止した状態でパターン形成層に接触したモールドと基板を更に近づける工程と、
モールドと基板が更に近づいた状態で、パターン形成層を硬化させる工程と、
パターン形成層が硬化した後に、モールドと基板の間隔を広げる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 小さな剥離力で被転写材料層からモールドを引き離すことができ、被転写物である被転写材料がモールドに付着するという不都合の発生を回避できるインプリント方法とインプリント装置とを提供する。
【解決手段】 本発明のインプリント方法は、モールドの凹凸構造領域を有する面とインプリント用の基板との間に、被転写物である被転写材料を介在させて、凹凸構造パターンを有する被転写材料層を形成する被転写材料層形成工程と、被転写材料層形成工程におけるインプリント用の基板とモールドとの間隙距離を広げるように引き剥がし力を作用させて被転写材料層からモールドを引き離す剥離工程と、を有し、引き剥がし力は、少なくとも２種類以上の異なる弾性の部分、または少なくとも２以上の異なる剛性の部分を介して、モールドと被転写材料層とが接触している領域に不均一に伝えられるように構成される。 （もっと読む）

【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程（Ｓ６）と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）の後で前記除去工程（Ｓ６）の前に、前記パターン形成工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）で形成した前記凹凸パターンの凸状部分の頂部を含む当該頂部の近傍領域に、前記除去工程（Ｓ６）での前記エッチングによる前記凹凸パターンのパターン消失を抑制する形状の保護膜を、化学的成膜処理により形成する保護膜形成工程（Ｓ５）を備える。 （もっと読む）

【課題】 被転写物である被転写材料層の形態に応じて、より小さな剥離力での剥離が可能となり、被転写物である樹脂がモールドに付着するという不都合の発生を回避できるインプリント方法とインプリント装置とを提供する。
【解決手段】 本発明のインプリント方法は、被転写材料層からモールドを引き離す剥離工程において、モールドと被転写材料層との接触領域を認識して求める接触領域認識操作と、認識した接触領域の形状に基づいて当該形状の重心を求める重心位置決め操作と、求めた重心をベースとしてモールドまたはインプリント用の基板に対して引き剥がしの力を加える力点を定めて、力点に引き剥がしのための力を作用させる引き剥がし操作と、を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの形成において、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅が、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅となることを可能とする。
【解決手段】凹凸パターンが転写されたレジスト膜２の残膜エッチング工程が、エッチングの際に堆積物４を生成する堆積性ガスを含有する第１のエッチングガスを用いて、レジストパターンにおける凸部の側壁に堆積物４が堆積しかつ残膜がエッチングされる条件でレジスト膜２をエッチングする第１のエッチング工程を含み、堆積物４を含めた上記凸部の幅が残膜エッチング工程前における上記凸部の幅以上の所望の幅となるように第１のエッチング工程以後の工程によってレジスト膜２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】テンプレート検査時に、プロセス起因欠陥の発生を抑制するプロセス条件を求める。
【解決手段】本実施形態によれば、テンプレート検査方法は、インプリント処理に使用される複数のパターンが形成されたテンプレートをテンプレート検査装置を用いて検査する方法であって、前記複数のパターンからいずれか１つのパターンを抽出する工程と、プロセスパラメータと発生するプロセス欠陥の数とが対応付けられた欠陥プロセスマップと、前記抽出したパターンの寸法ばらつき、掘り込み深さ、及びテーパ角とを用いて、プロセス欠陥数が所定値以下となるプロセスパラメータの組合せを探索する工程と、を備えるものである。 （もっと読む）