国際特許分類[C08F112/14]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物 (38,630) | ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の単独重合体 (16) | 1個の不飽和脂肪族基をもつ単量体 (13) | 1個の環をもつもの (10) | 異種原子または異種原子含有基で置換されたもの (5)
国際特許分類[C08F112/14]に分類される特許
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ネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク
【課題】高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス、スカムの低減、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクの提供。
【解決手段】(A)酸及びアルカリに安定な下記一般式(I)で表される繰り返し単位(P)、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位(Q)を有する高分子化合物、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに、(C)架橋剤を含有する、ネガ型化学増幅レジスト組成物。
一般式(I)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。L1は、酸素原子又は−NH−を表す。L2は、単結合又はアルキレン基を表す。Aは、多環炭化水素基を表す。
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レジスト組成物、レジストパターン形成方法
【課題】EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A)(ただし前記樹脂成分(C)を除く。)と、を含有し、前記樹脂成分(C)中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル%以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。
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非共有結合高分子
【課題】化学構造がシンプルで且つ合成が複雑な工程を必要としない新規な非共有結合高分子およびそのデバイスを提供する。
【解決手段】対アニオンとしてのポリスチレンスルホン酸イオンと長鎖アルキルアンモニウムカチオン(ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド等)とからなるモノマーを、有機溶媒中でラジカル重合またはリビングラジカル重合することによって自己組織化されてなる非共有結合高分子。
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燃料電池用電解質組成物、燃料電池及びビニル誘導体
【課題】耐酸化性が高く且つ吸水性が低い燃料電池用電解質組成物の提供。
【解決手段】下記一般式(1)に記載の構造をもつ高分子電解質材料を含有することを特徴とする燃料電池用電解質組成物。
(式(1)中、BPは炭素系骨格を有する重合体から構成される基材を意味する。;R1及びR2はそれぞれ独立して構造が決定される水素又はアルキル基;R3は炭素数がmである直鎖状又は分枝状のアルキレン基;pは0以上の整数;m、n及びqはそれぞれ正の整数から選択される。)
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ビニル化合物の製造法
【課題】
熱および光で硬化でき、硬化物が優れた耐熱性を有し、低誘電率、低誘電正接であるビニル化合物の製造法に関して、イオン性不純物の含有量が少ない、工程的に有利な製造方法を提供する。
【解決手段】
2官能フェニレンエーテルオリゴマー体を合成した反応溶液(a)に、反応溶媒より高沸点の非プロトン性極性溶媒を加えて蒸留することにより溶媒置換を行った2官能フェニレンエーテルオリゴマー体溶液を、アルカリ金属のアルコキシド存在下、ビニルベンジルハライドと反応させて、ビニル化合物を合成し、この反応溶液(b)を、酸性物質で中和した後、水または水/アルコール混合溶液と混合して固形物を析出させることを特徴とするビニル化合物の製造方法。
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