【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）（ただし前記樹脂成分（Ｃ）を除く。）と、を含有し、前記樹脂成分（Ｃ）中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が２０モル％以上であることを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）（ただし前記樹脂成分（Ｃ）を除く。）と、を含有し、
前記樹脂成分（Ｃ）中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が２０モル％以上であることを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項２】
前記樹脂成分（Ｃ）を、前記樹脂成分（Ａ）１００質量部に対して１〜１５質量部含有する、請求項１に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項３】
前記樹脂成分（Ａ）が、露光により酸を発生する構造を含む構成単位（ａ０）を有し、
前記樹脂成分（Ａ）中の前記構成単位（ａ０）の割合が５モル％以上である、請求項１または２に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項４】
フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも１種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分（Ｃ）と、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）（ただし前記樹脂成分（Ｃ）を除く。）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、を含有し、
前記樹脂成分（Ｃ）中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が２０モル％以上であり、
前記酸発生剤成分（Ｂ）を、前記樹脂成分（Ａ）１００質量部に対して１５質量部以上含有することを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ）が、さらに、酸の作用により分解して極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項６】
支持体上に、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶまたはＥＢにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１３−６８６４６（Ｐ２０１３−６８６４６Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０４９５６（Ｐ２０１１−２０４９５６）
【出願日】平成２３年９月２０日（２０１１．９．２０）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】