【課題】感度、解像性及びリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ５−０）で表される構成単位（ａ５）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ６）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】 重合性液晶組成物を構成した場合に高い保存安定性、高いコレステリック配向性及び短いピッチを示す重合性化合物及び当該重合性化合物を含有する重合性液晶組成物を提供する。更に、当該重合性液晶組成物を重合させることで得られる重合体及び当該重合体を用いた光学異方体を提供する。
【解決手段】 一般式（Ｉ）
【化１】


で表される重合性化合物を提供する。更に、当該重合性液晶化合物を含有する重合性液晶組成物、並びに当該重合性液晶組成物を重合させることで得られる重合体及び当該重合体を用いた光学異方体を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面欠陥が効果的に低減または防止された成形品を与えることが可能なフルオロポリマー組成物の提供。
【解決手段】フルオロポリマーおよび架橋剤を含むフルオロポリマー組成物であって、該フルオロポリマーが、窒素含有硬化部位モノマーから誘導される共重合単位を含むエラストマーであり、そして該架橋剤が、１種以上のアミジン化合物および１種以上のビスアミノフェノール化合物を含む２種以上の化合物の組合せである、フルオロポリマー組成物。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れる高分子化合物、レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、（ａ５−０）で表される構成単位を有する高分子化合物を含む基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式（ａ５−０）中、Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１は硫黄原子又は酸素原子である。Ｒ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｙは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基である。）
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【課題】感光性水系エポキシ樹脂組成物に配合した場合に、分散性に優れるとともに硬化効率を向上させることのできるエポキシ樹脂硬化用微粒子、該エポキシ樹脂硬化用微粒子の製造方法、及び、該エポキシ樹脂硬化用微粒子を含有する感光性水系エポキシ樹脂組成物の提供。
【解決手段】表面に酸増殖反応を引き起こす基を有するエポキシ樹脂硬化用微粒子であって、水系媒体中で、下記一般式（１）で表される構造を有するモノマーを主成分とするラジカル重合性モノマーを重合させることによって得られるエポキシ樹脂硬化用微粒子。


一般式（１）中、Ｘは水素原子又はメチル基を表し、Ａは酸増殖反応を引き起こす基を表す。 （もっと読む）

【課題】高温低加湿条件下（例えば、１２０℃の運転温度、４０％の相対湿度）でも高い耐久性を有する高分子電解質膜、その高分子電解質膜の材料となる高分子電解質組成物を提供する。
【解決手段】高分子電解質と、遷移金属イオンと、ポリアゾール系化合物及びスルフィド系化合物からなる群より選択される１種以上の化合物と、を含有する高分子電解質組成物。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、強いＨＴＰを有する溶解性に優れた重合性キラル化合物を提供することである。
【解決手段】 一般式（Ｉ）
【化１】


で重合性キラル化合物は、強いＨＴＰ及び低い融点を有し、低融点であることから他の液晶化合物との優れた溶解性を有し重合性液晶組成物の構成部材として有用であり、ねじれ力が強いために優れた光学特性を有する光学異方体を作製することができる。本願発明の光学異方体は、偏向板、位相差板、選択反射板等の用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ａ５−０−１）又は（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）を有する重合体（Ａ１）を含有し、該構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該重合体（Ａ１）に対して１００ｐｐｍ以下であるレジスト組成物。式中、Ｑ^１及びＱ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、残渣低減、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、また、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法の提供。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ｃ）とを有する樹脂（Ｐ）を含有し、前記樹脂（Ｐ）の分散度が１．２０以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】本発明の目的は、レジスト膜に対する高い屈折率と高い吸光係数とを有し、耐パターン倒れ性に優れるレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位及び環状カーボネート構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０〜２の整数である。
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【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性（高い限界解像性など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が６以上のアルキル基、炭素数が６以上のシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される１つ以上の基を有する樹脂と、（Ｄ）溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜５の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には大きい動的接触角を示すことにより、レジスト膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には動的接触角が大きく低下することにより、現像欠陥の発生が抑制されるレジスト膜を形成可能なフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有し、フッ素原子を含む重合体、［Ｃ］酸発生体、及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物である。Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４とＲ^５とが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数３〜２０の環構造を形成してもよい。
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【課題】成膜性に優れた光学フィルム製造用の組成物及び該組成物から形成される光学フィルムの提供。
【解決手段】以下の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を含む組成物、及び該組成物から形成される光学フィルム。（Ａ）式（Ａ）で表される化合物


［式中、Ｙ^１は芳香族複素環式基などを表す。Ｄ^１及びＤ^２は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−などを表す。Ｇ^１及びＧ^２は脂環式炭化水素基などを表す。Ｌ^１及びＬ^２のうち少なくとも一方が、重合性基を有する有機基である。］（Ｂ）メルカプト基を有する化合物。（Ｃ）光重合開始剤。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 （もっと読む）