【課題】インク組成物やトナー組成物において色材や固形物の分散性を良好にする高分子化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表される繰り返し単位構造を有する高分子化合物。


（式中、Ｘ‘はポリアルケニル繰り返し単位を表す。Ａは炭素原子数１から１５までの直鎖状または分岐状のアルキレン基を表す。ｍは０から３０までの整数を表す。Ｂはアルキレン基を表す。Ｄは芳香族環構造を表す。ｎは０から１０までの整数を表す。Ｒはアルキルシリル基を表す。） （もっと読む）

【課題】 少なくとも２つのヒドロキシル基を有するアルコール類から、効率よくビニルエーテル単量体を製造する。
【解決手段】 （ｉ）一般式（１）；Ｈ（ＯＣＨ₂ＣＨ２）_q（ＯＴ）_n（ＯＲ¹）_mＯＨ （１）（式中、Ｔは炭素数１〜３のアルキレン基または炭素数６〜９のアリール鎖、ＯＲ¹は炭素数２〜１８のオキシアルキレン鎖を示し、ｑは０または１、ｎは０または１、ｍは０〜４であり、ｍ＋ｎ＋ｑは０ではない。）で表される少なくとも２個のヒドロキシル基を有するアルコール類から一般式（２）；ＣＨ₂＝ＣＨ（ＯＴ）_n（ＯＲ¹）_mＯＨ （２）で表される化合物を得る工程（ｉｉ）一般式（２）の化合物にアルキレンオキシドを付加させ、一般式（３）；ＣＨ₂＝ＣＨ（ＯＴ）_n（ＯＲ¹）_pＨ （３）（式中、ｐはＯＲ¹５〜３００）で表される化合物および／または該化合物の誘導体を得る工程を含むことを特徴とする製造方法でビニルエーテル系単量体を得る。 （もっと読む）

【解決手段】 下記一般式（１）で示される部分構造を有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト保護膜材料。
【化１】


【効果】 本発明の液浸リソグラフィーによるパターン形成方法は、レジスト膜上に形成されるレジスト保護膜が、非水溶性でアルカリ水溶液（アルカリ現像液）に溶解可能であり、しかもレジスト膜とミキシングしないものであるので、良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる。 （もっと読む）

真空紫外領域の光線を利用するフォトリソグラフィープロセスにおいて充分な反射防止効果を有し、かつ現像プロセスにおいても充分な現像特性を有するレジスト積層体を形成する。（Ｉ）基板上にフォトレジスト層（Ｌ１）を形成する工程、および（ＩＩ）フォトレジスト層（Ｌ１）上に、親水性基Ｙを有する含フッ素重合体（Ａ）を含むコーティング組成物を塗布することにより反射防止層（Ｌ２）を形成する工程を含むフォトレジスト積層体の形成方法であって、含フッ素重合体（Ａ）が親水性基Ｙを含有する含フッ素エチレン性単量体由来の構造単位を有し、さらに該含フッ素重合体（Ａ）が、（ｉ）親水性基ＹがｐＫａで１１以下の酸性ＯＨ基を含むこと、（ｉｉ）フッ素含有率が５０質量％以上であること、および（ｉｉｉ）含フッ素重合体（Ａ）１００ｇ中の親水性基Ｙのモル数が０．１４以上であることを特徴とする。
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