【課題】 迅速なＣＭＰ速度を有し、ウエハー面内均一性を確保し、かつコロージョンやスクラッチ、シニング、ディッシング、エロージョンなどの発生が少ないＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液材料を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いる研磨液材料であって、 酸化剤、砥粒および砥粒へ吸着する界面活性剤を含有することを特徴とする金属用研磨液材料。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジストやエッチング残留物などの残留物を除去できる選択的クリーニング組成物およびクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも５０ｗｔ％のグリコールエーテルを含む特定の有機溶媒と少なくとも０．５％の第四級アンモニウム化合物とを含む組成物により、フォトレジスト及び／又はエッチング残留物などの残留物を物品から除去する方法であり、基材をその組成物と接触させることを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨（ＣＭＰ）に用いる研磨液として好適であり、迅速なＣＭＰ速度を有し、ディッシングの発生が少ない、ＬＳＩの作製を可能とする研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 １粒子中の中心部と表層部において硬度または弾性率が異なる研磨粒子を含むことを特徴とする研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いる研磨液として好適な、迅速なＣＭＰ速度を有し、ディッシングの発生が少ないとともに、スクラッチの発生も少ない、化学的機械的研磨を可能とする研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 テトラゾール類及びその誘導体またはアントラニル酸類及びその誘導体から選ばれる少なくとも１種類の化合物、会合型研磨粒子、及び酸化剤を含有することを特徴とする研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 化学的機械的研磨速度の顕著な向上がもたらされ、ディッシングが低減され、優れたＬＳＩの作製を可能とすることができる金属用研磨液の提供。
【解決手段】 砥粒、酸化剤ならびに下記一般式（Ｉ）で表される化合物および一般式（ＩＩ）で表される化合物の少なくとも一方を含有し、該研磨液の砥粒濃度が研磨液全量に対して５質量％以上であることを特徴とするバリアメタル用研磨液およびそれを用いた化学的機械的研磨方法。
【化９】


式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
式（ＩＩ）中、Ｒ₃〜Ｒ₈は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｍ⁺は陽イオンを表す。 （もっと読む）

【課題】 CMP速度を維持し、かつディッシングなどの発生が少ない、半導体集積回路製造に適した化学的機械的研磨方法を提供すること。
【解決手段】 特定構造のテトラゾール誘導体又はアントラニル酸誘導体から選択される化合物の少なくとも一つと酸化剤とを含有する金属用研磨液を研磨定盤上の研磨面に供給し、該研磨面と被研磨面とを該金属用研磨液を介して接触させながら相対運動させる化学的機械的研磨方法において、該研磨面と該被研磨面との接触圧を１０００〜２５０００Paの範囲で研磨することを特徴とする半導体基板の化学的機械的研磨方法。 （もっと読む）