【課題】従来のスパッタリングＩＴＯ層に比べてフレキシビリティに優れる、導電性酸化物微粒子と樹脂バインダーマトリックスを主成分とする透明導電層のパターニング方法と、それに用いるエッチングペースト、及び、このパターニング方法を用いたパターン透明導電フィルムを提供する。
【解決手段】 ベースフィルム上に形成された導電性酸化物微粒子と樹脂バインダーマトリックスを主成分とする透明導電層のパターニング方法であって、前記樹脂バインダーマトリックスを劣化させるエッチング成分、増粘剤及び溶媒を少なくとも含有する水溶性のエッチングペーストを、前記透明導電層上にパターン塗布し、パターン塗布された部分の前記樹脂バインダーマトリックスを劣化させた後、パターン塗布した前記エッチングペーストを前記樹脂バインダーマトリックスが劣化した透明導電層毎、除去することを特徴とする透明導電層のパターニング方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来樹脂等の非導電性部材をメッキ被覆層との密着性向上のために用いられていた、有害なクロム酸などによるエッチング処理剤に代わり、環境負荷の少ない六価鉄イオン溶液によるエッチング方法および六価鉄イオン溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】 陽イオン交換電解膜２で仕切られた、電解槽１の陽極側に所定のアルカリ性水溶液３と陰極側に所定のアルカリ性水溶液４を満たし、鉄からなる陽極５を設置し、任意の導電性陰極からなる陰極６を設置した後、直流電源７から所定の電力を供給し、鉄から成る陽極５を六価のイオンとして水溶液中に溶出することにより安定した六価鉄イオン溶液を得ることができる。また、この安定した六価鉄イオンを含有する液剤を用いて樹脂１２にエッチングを行うことにより、クロム酸エッチングと同等の密着性の優れたエッチング材１３を得ることができる。このエッチング処理樹脂材に無電解メッキを行うことにより、クロム酸エッチングと同等の密着性の優れたメッキ被膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング特性を改善する単結晶シリコン用エッチング液を提供するとともに、この単結晶シリコン用エッチング液を用いることにより、高精細な蒸着マスクを安定して大量に製造することができるようにした、シリコン蒸着マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】水酸化カリウム水溶液からなるエッチング液に、エッチング調整イオンが添加されてなる単結晶シリコン用エッチング液である。エッチング調整イオンは金属イオンであり、金属イオンは例えばカルシウムイオン、鉛イオン、アルミニウムイオンである。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板のエッチング加工を短時間で高精度に行うことができるエッチング液、及びエッチング加工方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液に所定量以上のＦｅを添加したエッチング液とし、このエッチング液によりシリコン基板に幅寸法が異なった部分が連通する連通路を形成するエッチング加工方法とし、シリコン基板に連通路として液体を噴射するノズル開口に連通すると共に圧力発生手段により圧力変化を生じさせる圧力発生室と圧力発生室に連通して圧力発生室の断面積よりも小さい断面積の液体供給路とを形成する工程を少なくとも有する液体噴射ヘッドの製造方法とする。 （もっと読む）

多孔性トラック膜がポリマーフィルムを重イオンの衝撃に暴露してトラック密度を有するフィルムを得、乱流を維持する条件下で孔を得られるトラックドフィルムにエッチング液でエッチングしてトラック密度に相当する孔の密度を有するフィルムを得ることにより製造される。得られるアルカリ金属含有溶液の沸点を約100℃を超えて約150℃までの温度に上昇するのに充分な濃度のアルカリ金属の塩を含むアルカリ性エッチング液が使用される。
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【課題】１００ミクロン以下の貫通孔、ブラインドビアホールでも孔の形状再現性にすぐれ、より微視的に見てなめらかな孔壁が得られ、かつ寿命の長いポリイミド樹脂のエッチング液、およびエッチング方法、アルカリ現像処理が可能な感光性樹脂膜をレジストとするポリイミドフィルムのエッチング方法、ネガ型感光性樹脂膜を用いて高精度でかつ高精細なパターン状にポリイミド樹脂よりなるカバーレイを形成する方法、ポリイミド樹脂の剥離方法を提案すること。
【解決手段】１０〜４０質量％のＮ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、および２０〜４０質量％の水酸化カリウムを含有する水溶液からなることを特徴とするポリイミド樹脂のエッチング液、およびそれを用いたエッチング方法、カバーレイ形成方法、および樹脂剥離方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の金属不純物の汚染を抑制し得る半導体基板表面処理剤及び半導体基板表面の処理方法、特に、半導体基板のエッチング剤及びエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 （１）アミノポリカルボン酸系キレート剤又はその無機塩と20％（W/W）以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなる半導体基板表面処理剤、（２）アミノポリカルボン酸系キレート剤又はその無機塩と20％（W/W）以上のアルカリ金属水酸化物を含んでなる半導体基板のエッチング剤、（３）半導体基板を上記（１）に記載の処理剤で処理することを特徴とする半導体基板表面の処理方法、及び（４）半導体基板を上記（２）に記載のエッチング剤でエッチングすることを特徴とする半導体基板のエッチング方法。 （もっと読む）

基板表面を予測されたとおりに処理するための改良法であって、予め選択したチキソトロピー腐食液を使用して、すぐれた、予め決められた基板表面を達成することを含む方法を提供する。 （もっと読む）