【課題】金属を腐食することなく、基板表面の金属不純物を容易に除去することのできる洗浄液であって、環境への負荷、保存性等に問題のない金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液を提供する。
【解決手段】シュウ酸、シュウ酸アンモニウム、ポリアミノカルボン酸類のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする金属配線が施された後の基板を洗浄する洗浄液。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板表面に施された金属配線を腐食させずに、また、半導体基板表面の平坦度を損なうことなく、パーティクルや金属汚染を除去することが可能な、半導体基板表面の洗浄処理剤及びこれを用いた処理方法の提供。
【解決手段】 カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸と、錯化剤とを含んで成る半導体基板表面の洗浄処理剤及びこれを用いた処理方法。 （もっと読む）

【課題】 表面処理組成物から基体表面への金属不純物の汚染を防止し、安定的に極めて清浄な基体表面を達成する事ができる表面処理組成物及びそれを用いた基体の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 液媒体中に金属付着防止剤として錯化剤を含有する表面処理組成物において、該錯化剤は、（Ａ群）分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したＯＨ基及び／又はＯ^-基を１つ以上有する錯化剤（例、タイロン）及び（Ｂ群）分子構造中にカルボキシル基を１つ以上有するが、ドナー原子である窒素原子、ハロゲン原子、硫黄原子及び炭素原子を有さず、且つカルボニル基及び水酸基を有しないカルボン酸系錯化剤（例、酢酸、マロン酸）の各群から各々少なくとも１種選ばれる錯化剤からなる表面処理組成物及びこの表面処理組成物を用いた基体の表面処理方法。 （もっと読む）

【目的】 オゾン層を破壊せず地球温暖化に対する影響の小さいフッ素系溶剤を提供する。
【構成】 下記一般式（Ｉ）又は(II)で表される含水素ポリフルオロ第３級アミンを含むフッ素系溶剤。
【化１０】


【化１１】


【効果】 洗浄性が良好で、プラスチック等の素材に悪影響を与えず、塩素原子を持たないためオゾン層の破壊問題がなく、地球温暖化問題の面からも有効である。従来のＣＦＣ系溶剤と同様の使用態様を採用することができ、既存装置の大幅な変更を必要としない。 （もっと読む）

【構成】半導体シリコンウェーハの洗浄方法であって、アルカリ・過酸化水素・水より成る洗浄液に、0.１乃至１００ppm のコンプレクサン或いはそのカルボン酸基配位子を他の酸基で置換したキレート化剤を添加してシリコンウェーハの洗浄を行い、次いで１ppm 以上のフッ酸が添加された水を用いてリンスを行なうことを特徴とする。
【効果】最小でも６槽の洗浄槽乃至リンス槽を必要としたＲＣＡ処理の洗浄システムに対し、基本的に僅か２槽で全洗浄システムを構成することができ、装置価格、装置所要面積、稼働経費の点ではるかに有利となる。 （もっと読む）

【目的】 パ―ティクルとともに金属不純物を半導体ウエハ表面から充分に除去することが可能な半導体ウエハ処理液を提供する。
【構成】 水性溶媒を主成分とし、前記水性溶媒中に下記一般式で示されるヒドラゾン誘導体及びその互変異性体の少なくとも１種を添加成分として含有する。
【化１】


（式中、Ｒ₁ ，Ｒ₂ はアシル基またはｏ位の少なくとも一方がヒドロキシ基、カルボニル基及びこれらの塩のいずれか１種で置換された芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基、Ｒ₃ は水素原子または置換されていてもよい芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基もしくは脂環式炭化水素基を表す。）
【効果】 半導体ウエハ表面を極めて清浄な状態にすることができる。 （もっと読む）