【課題】被削性および展伸性に優れ、環境負荷を軽減しつつ、高強度ないしは高導電性を必要とする用途に最適な銅合金展伸材を提供する。
【解決手段】Ｎｉを１．５〜７．０ｍａｓｓ％、Ｓｉを０．３〜２．３ｍａｓｓ％、Ｓを０．０２〜１．０ｍａｓｓ％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる銅合金展伸材であって、展伸方向に平行した断面の硫化物の面積率が４０％以上マトリクスの結晶内に存在し、展伸方向に平行した断面のアスペクト比が１：１〜１：１００の硫化物がマトリクスに分散しており、かつ、引張強さが５００ＭＰａ以上、導電率が２５％ＩＡＣＳ以上である銅合金展伸材。 （もっと読む）

【課題】個数平均粒子径が非常に小さな導電性微粒子であって、電気接続に用いた場合に、低抵抗値を実現できる導電性微粒子を提供する。
【解決手段】本発明の導電性微粒子は、樹脂粒子からなる基材と、該基材の表面に形成された少なくとも一層の導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、導電性微粒子自体の個数平均粒子径が、１．１μｍ〜２．８μｍであり、前記導電性金属層の少なくとも一層として、銅又は銅合金から形成された銅系金属層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塩分を含む湿気に晒されて腐食することを防止するとともに、はんだ濡れ性を良好なままに保つことができる銅箔又は銅合金箔を実現することを目的とする。
【解決手段】銅箔または銅合金箔であって、その片面または両面に、フルオロ炭化水素基ＣxＨyＦz−（ｘ＝３〜２４、ｙ＝０〜４８、ｚ＝１〜４９、ｙ＋ｚ≦２ｘ＋１）と、水酸基、メルカプト基、アミノ基、リン酸エステル基、カルボキシル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基及びテトラゾリル基またはその誘導体からなる群から選ばれた極性基Ｒ−を有する含フッ素有機化合物を含有する厚さ０．１〜１０ｎｍの薄膜を備えることを特徴とする銅箔または銅合金箔。 （もっと読む）

【課題】塩分を含む湿気に晒されて腐食することを防止するとともに、はんだ濡れ性を良好なままに保つことのできる銅箔又は銅合金箔を実現することを目的とする。
【解決手段】銅箔または銅合金箔であって、その片面または両面に、下記一般式（１）で表されるリン酸エステルを含有する厚さ０．１〜１０ｎｍの薄膜を備えることを特徴とする銅箔または銅合金箔。


（式中、Ｒ₁は炭素数４〜３０の飽和もしくは不飽和の炭化水素基を表し、Ｒ₂は低級アルキレン基を表し、ｎは０〜１０の整数、ｍは１〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだのリフロー熱処理条件よりも低い温度で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーの提供。
【解決手段】Ｃｕ系合金粒子（Ｃｕ系合金粒子は、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｎを含み、かつＣｕ、Ｉｎ及びＳｎの中でＣｕを最高の質量割合で含み、そして該Ｃｕ系合金粒子の含有量は３０〜４５質量％である）；並びに複合合金粒子（該複合合金粒子は、Ｂｉ系合金粒子とＳｎ粒子又はＢｉ不含有Ｓｎ系合金粒子との混合物であり、該Ｓｎ粒子又はＢｉ不含有Ｓｎ系合金粒子の含有量は２５〜２５０質量部であり、該Ｂｉ系合金粒子は、４０〜７０質量％のＢｉ並びに３０〜６０質量％のＡｇ、Ｃｕ、Ｉｎ及び／又はＳｎを含み、そして該Ｂｉ不含有Ｓｎ系合金粒子は、該Ｂｉ系合金粒子の固相線温度以上の固相線温度を有する）を含む金属フィラー。 （もっと読む）

【課題】強度及び導電率のバランスに優れ、しかも、垂下カールが抑制されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金条を提供する。
【解決手段】Ｎｉ：１．０〜２．５質量％、Ｃｏ：０．５〜２．５質量％、Ｓｉ：０．３〜１．２質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金条であって、圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、下記の（ａ）及び（ｂ）の両方を満たす銅合金条：
（ａ）｛２００｝極点図においてα＝２０°におけるβ走査による回折ピーク強度のうち、β角度１４５°のピーク高さが標準銅粉末のそれに対して５．２倍以下であること；
（ｂ）｛１１１｝極点図においてα＝７５°におけるβ走査による回折ピーク強度のうち、β角度１８５°のピーク高さが標準銅粉末のそれに対して３．４倍以上であること。 （もっと読む）

【課題】充放電時の繰返し応力で破断する恐れがなくて信頼性を向上でき、容易に製造できるリチウムイオン二次電池用銅箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】正極との間にセパレータを介在させて巻回する負極となるリチウムイオン二次電池用銅箔である。この銅箔は、（２００）結晶配向から１５度以内の結晶配向を持つ結晶粒が、銅箔表面から見た面積の割合で５０〜１００％存在している。使用するリチウムイオン二次電池用銅箔は、銅鋳塊を熱間圧延して予め定めた厚みに圧延し、この熱間圧延材を冷間圧延と歪取り焼鈍を繰り返し行って所定の厚みの銅板を形成し、銅板を焼鈍後に冷間圧延して銅箔を得ており、銅箔は不活性ガスである窒素雰囲気中において加熱処理を施し、圧延加工度９１〜９９％で製造する。 （もっと読む）

【課題】金属間化合物の成長を安定して抑制することを可能とし、はんだ接合の信頼性を高めた電気・電子部品用銅合金材を提供する。
【解決手段】電気・電子部品用銅合金材は、０．０５〜０．５質量％のＦｅ、０．０５〜０．５質量％のＮｉ、０．０２〜０．２質量％のＰ、０．１〜３質量％のＺｎ、０．０２〜０．３質量％のＳｎを含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる。それらの成分の質量比は、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≧０．５、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≦０．５の関係を有している。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子電気部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法及び電子機器用銅合金圧延材を提供する。
【解決手段】Ｍｇを１．３原子％以上２．６原子％未満の範囲で含み、かつ、Ａｌを６．７原子％以上２０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされていることを特徴とする。また、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｎｉのうちの少なくとも１種以上を含み、その含有量が０．０５原子％以上５原子％以下とされていることを特徴とする。さらに、Ｂ，Ｐ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ａｇ，Ｃａ，希土類元素のうちの少なくとも１種以上を含み、その含有量が０．０１原子％以上１原子％以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用時の２５０℃程度の発熱に対しても放熱性が優れ、また半導体素子と電極とを品質良く接合すること。
【解決手段】 半導体素子１０２と電極１０３との間に形成され、それらを接合する接合部２０４を備え、接合部２０４は、Ａｌ層１０５と、その両側に形成された各金属間化合物層１０９−１、１０９−２とを有し、接合部２０４は、箔状のＡｌ１０５の外層に、ＮｉまたはＺｎよりなる中間層１０６−１、１０６−２と、ＣｕまたはＮｉまたはＡｇよりなる第１金属層１０７−１、１０７−２と、Ｓｎよりなる第２金属層１０８−１、１０８−２とをこの順で有する接合材料１０４を利用して形成される、半導体素子の接合構造体。 （もっと読む）