【課題】物理的気相成長法（ＰＶＤ）により基板上に層を形成するプロセス中に、層の特性を制御可能なスパッタリング方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 ターゲット物質（例えば、ＰＺＴ）をスパッタリングする方法及び装置であって、ターゲットと基板との間に導電グリッドを配置する。ターゲット、基板及びスパッタリング・ガスをチャンバー内に収容し、第１のＲＦ電源の電力がチャンバー内のプラズマを維持するために加えられる。第２のＲＦ電源の電力は導電グリッドに加えられる。ターゲット物質はターゲットから基板にスパッタされる。導電グリッドの位置及び第２のＲＦ電源により加えられる電力により、ターゲット物質のスパッタ成膜の特性が変化する。例えば、第２のＲＦ電源及び導電グリッドは、容量性回路の一部を構成しており、容量性回路内における電圧の変化によりスパッタリング・ガスの特性が変化し、その後、スパッタ・成膜プロセスの特性が変化する。 （もっと読む）

【課題】ホールやトレンチなどの凹部を被覆する膜のカバレッジ性を向上し、かつ、平坦な表面をもつ膜を成膜することが可能なスパッタ成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバ２０１内で、金属ターゲットに高周波電力及び直流電圧を印加して、プラズマを発生させるとともにターゲット粒子をイオン化させて金属イオンを発生させる。チャンバ２０１内のステージホルダ３０２上に載置された、表面に凹部を有する基板３０６へ、金属イオンを照射して薄膜を形成する。この際、まず初めに、５乃至１５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層を形成し、次いで、０．５乃至５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層上に第２の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ₆薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。
【解決手段】ターゲット１１には、高周波電源１９３からの低周波成分をカットした高周波成分電力及び直流電力を印加し、基板ホルダー１３には、該高周波成分電力及び直流電力の印加中に、他の直流電源２２１からの直流電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】５Ｐａより高い圧力下において、ウェハー基板２４を回転させながら、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を有するターゲットおよびカソード１１を傾斜させて配置し、該カソード１１と下部電極１５にそれぞれｒｆ電流を印加し、下部電極１５にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１を有し、該カソード１１に該カソード１１の中央軸とずれた軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１に印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１の上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１から放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速するように為したスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ製造施設において複数の施設管を設置し、次にウェハ処理ツールへ連結するための、施設の集積に用いられる平坦なプレート型テンプレートを提供する。
【解決手段】施設統合に適応された平坦なプレート型のテンプレート１００は、所定のパターンの位置で配列された複数の開口１０２を画定しており、各テンプレート開口１０２は、所定の位置において各テンプレート開口１０２を通る施設管を位置決めすることで、位置決めされた施設管をウェハ処理ツールへ後に連結するのを容易にしている。 （もっと読む）

【課題】段差切れのない化合物バリア膜を単一の装置により１プロセスで形成する方法を提供すること
【解決手段】真空室内１に、直流電源５に接続されたメタルターゲット６とその背後の磁石７及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるＲＦコイル８を備えたマグネトロンカソード９を設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びＲＦコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けたシリコン半導体基板１３の表面にメタル膜の成膜と該メタル膜の化合物化を交互に繰り返して化合物バリア膜を形成する （もっと読む）

【課題】、結晶性の良好な金属化合物薄膜を成膜することができるガスフロースパッタリング成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】スパッタガス導入口１１からチャンバー２０内にアルゴン等の希ガス等を導入し、アノード１３とカソード１５との間の放電で発生したスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流により基材１６まで輸送し堆積させる。ＤＣ−ＲＦ重畳電源１２の電圧は５００Ｖ未満が好適である。 （もっと読む）