【課題】成膜の均一性が高く、パーティクルによる影響を防止することができるプラズマ方式マスクＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空槽１と、真空槽内にそれぞれ平行に配置された下側カソード電極３及び上側アノード電極２と、上側アノード電極の下面に基板５を介して配置されるマスク４の周縁を支持するマスクフレーム５０とを有し、下側カソード電極と上側アノード電極との間の放電空間６に電圧を印加して放電空間内の原料ガスをプラズマ化させて基板上に成膜するプラズマ方式マスクＣＶＤ装置であって、放電空間近傍においてマスクフレームの下面はマスクの下面と面一であり、かつマスクフレームの内側に上側アノード電極及び基板を収容する空間を有し、この状態でマスク、基板、及び上側アノード電極を重合可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスクステーの歪みを抑制することにより、薄膜層のパターン精度を向上させることが可能なＣＶＤ用マスク及びそれを用いたディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】マスクフレーム２と、前記マスクフレーム２の上面に形成された凹部４と、前記凹部４に対して脱着可能な状態で挿入される凸部５を有し、前記マスクフレーム２の上面側に配置するとともに、前記マスクフレーム２の対向する両辺に対して掛け渡されるように配置されるマスクステー３と、を備えたことを特徴とするＣＶＤ用マスク。 （もっと読む）

【課題】 予備洗浄エッチングと減圧処理を含む基板を処理する方法を開示する。
【解決手段】 予備洗浄エッチング処理は、基板を処理チャンバに導入するステップと；処理チャンバにエッチングガスを流すステップと；基板の少なくとも一部をエッチングで処理して汚染された又は損傷した層を基板表面から除去するステップと；エッチングガスの流れを停止するステップと；処理チャンバを排気してチャンバ内の減圧を達成するステップと；基板表面を減圧で処理するステップと；を含む。 （もっと読む）

【課題】金属製マスクの利点を維持した状態で、マスクの洗浄にプラズマＣＶＤ装置を使用しても寿命を延ばすことができるプラズマＣＶＤ用マスクを提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ用マスク１１は、外形が矩形に形成された金属製マスク本体１２と、金属製マスク本体１２の周縁上に配置されたセラミック製のカバー１３とを備えている。カバー１３はアルミナ製である。プラズマＣＶＤ用マスク１１は、洗浄ガスが、チャンバー内に配置されたプラズマＣＶＤ用マスク１１の側方からチャンバー内に供給されるプラズマＣＶＤ装置を使用して洗浄が行われる。 （もっと読む）

【課題】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。
【解決手段】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。本発明によれば、相変化物質層を選択的に形成することによって、ボイド及びシームなしにホールを満たす相変化パターンを実現することができる。これによって、相変化記憶素子の特性低下を防止し、高集積化及び低消費電力化の少なくともいずれか一方に最適化された相変化記憶素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】静電アクチュエータを構成する電極間ギャップの封止を所望の部位において確実に行うことができる成膜装置と、それを利用した静電アクチュエータの製造方法の提案。
【解決手段】チャンバ１１９と該チャンバに連通する排気口１２０が形成された筐体１１３と、チャンバ１１９の外部から送られた成膜材料を該チャンバ内へ吐出する該チャンバの上部に設けられたシャワープレート１１５と、上下方向へ移動可能にチャンバ内に設けられた被成膜材を載置するサセプタ１１７と、サセプタの被成膜材載置面１１７ａと対向する位置に配置され、支持ピン１１６により上下方向にスライド可能に支持されているマスク抑え板１１４とを備え、成膜しようとする形状に対応した開口が形成された成膜用マスクを積層した被成膜材を、被成膜材載置面に載置してサセプタ１１７を上昇させた際に、マスク抑え板１１４が成膜用マスクを被成膜材へ押圧する構造となっている成膜装置。 （もっと読む）

【課題】自立III-N層及びIII-N材料系の選択的に形成された後続層を備えるデバイスを効率的に提供または準備する。
【解決手段】 III-N層上にマスクを形成する方法において、複数のファセットからなる表面を持つIII-N層が提供される。マスク材料は一または複数のファセット上に選択的に成長させるが、全てのファセット上に成長させるものではない。詳細には、マスク材料の成長は、III-N層のエピタキシャル成長期間、（ｉ）第一のファセット型または第一のファセット群上の少なくとも一の別のIII-N層の選択的成長と、（ｉｉ）第二のファセット型または第二のファセット群上のマスク材料の選択的成長とが同時に進行するような条件の下で行われる。
【効果】厚い自立III-N層の製造が可能となる。さらに、独自の構造および層を有する半導体デバイスおよび部品が製造可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体上に、極めて平滑な膜を、薄膜から厚膜まで広い膜厚範囲で、マイクロ／ナノ領域に位置選択的に形成することにより、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等を基礎とした新規マイクロ／ナノデバイスの開発手法を確立する。
【解決手段】レーザーアブレーション膜形成法において、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体２上に、所定開口サイズのマスク３を配置することにより、基体２上への平滑な膜の形成を位置選択的に行う構成である。また、マイクロ／ナノ領域への膜形成故、基体２をターゲット５に接近させることができ、薄膜のみならず厚膜も形成可能となる。さらに、予め改質が施された基体２上に、位置選択的に膜を形成し、その後改質部分のみを化学エッチングすることにより、新規マイクロ／ナノデバイス構造体が形成できる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く結晶性のよいＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板、およびそのＧａＮ結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の製造方法は、昇華法により成長させたＡｌＮ種結晶の少なくとも一部で形成されているＡｌＮ種結晶基板３を用いて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ結晶４を成長させるＧａＮ結晶の製造方法であって、ＡｌＮ種結晶基板の反りの曲率半径が５ｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線基板を有するディスプレイ装置の、膜質の劣化を回避しながらもタクトの増加を抑制することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、共通の導電部材を構成する第１及び第２の導電膜をレーザＣＶＤ法によって形成する結線膜で電気的に連結する第１工程と、窒素ガス（Ｎ_２）及び酸素ガス（Ｏ_２）の一方を雰囲気に加えて結線膜の表面にレーザＣＶＤ法によって結線保護膜を形成する第２工程とを含む複数の工程によって、配線基板の製造を行う。 （もっと読む）