本発明は、半導体材料の選択的体積のための方法を含む。基板が反応室内に置かれる。基板は第１の面と第２の面とを有する。第１の面と第２の面は半導体材料先駆物質に対して露出されるが、それは、先駆物質からの半導体材料の成長が成長段階の前に誘導期を有し、且つ、成長段階の開始が第１の面におけるよりも第２の面における方が長い時間を要するという条件の下で行われる。第１の面と第２の面の露出は、成長段階が第１の面で生じるのには十分であるが成長段階が第２の面で生じるに足るほどには長くない時間にわたって行われる。
（もっと読む）

摺動面異形断面を備える摺動面と、上側および下側の側面とを含み、摺動面の部分領域が除去可能な被覆部を備えるように、少なくとも摺動面が蒸着層を備えており、したがって蒸着層が生成されて被覆部が除去された後に、摺動面と少なくとも一方の側面との間で実質的に鋭利な摺動エッジが生じるようになっているピストンリング。
（もっと読む）

【目的】 より単純なプロセスによりパターニングを行うことができる半導体装置のパターニング装置を提供する。
【構成】 チャンバ１０内の支持基板２０上にパターニング対象基板３０を載せる。この上に、形成すべきパターンに対応する形状の開口窓が形成されたマスク板４０をのせ、磁石２１で吸引固定する。排気管１２によって排気減圧しながら、ガス導入管１１から反応性ガスを導入する。ＲＦ発生器６０により、支持電極２０と対向電極５０との間に交流を供給して放電を起こさせ、導入ガスをプラズマ化する。マスク４０の開口窓からの露出面は、プラズマガスにより化学反応を生じ、別な化合物の膜が形成される。 （もっと読む）