半導体処理用のデバイス、方法、及びシステムがここで述べられている。半導体処理の幾つかの方法の実施形態は、構造体上にシリコン層を形成することと、シリコン層を通って構造体内に開口部を形成することと、抵抗可変材料がシリコン層上に形成されないように抵抗可変材料を開口部内に選択的に形成することとを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 ガスウィンドウ方式のレーザＣＶＤ法による配線修復処理を含むＦＰＤ基板の製造方法において、レーザＣＶＤ処理工程におけるＣＶＤ被膜の厚さや密度等に関する厳密な管理を要することなく、修復されるＦＰＤ基板の歩留まりを向上させ、それにより製造コストを低減すること。
【解決手段】 配線欠陥修復ステップと配線面洗浄ステップとの間に、ＦＰＤ基板上の配線欠陥部分の上に形成された導電性被膜部分を含む微少領域を覆うようにして、所定の絶縁性樹脂を局部的に微量塗布する樹脂塗布ステップと、局部的に微量塗布された絶縁性樹脂を強制的に硬化させる樹脂硬化ステップとを設け、それにより、ＦＰＤ基板上の配線欠陥修復部分を含む微少領域に、配線面洗浄ステップに先立って、絶縁性樹脂による保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】コーティング膜のマスキング作業を無くし、製造方法が容易で歩留りが向上し、かつ電気シールド効果が得られるコーティング方法を提供する。
【解決手段】
導電性の筐体底部１４ａ，筐体側壁部１４ｂ，１４ｃ，および筐体上蓋部１４ｅからなる筐体１４内の筐体底部１４ａ上に電気部品１０ａ，１０ｂ，１０ｃを搭載した基板１２を配置する工程と、筐体１４に開口部２４を形成する工程と、開口部２４を介して、コーティング膜１８ａを電気部品１０ａ，１０ｂ，１０ｃ及び基板１２上に形成する工程と、開口部２４を導電性のねじ２０若しくはピンを用いて封止する工程とを有するコーティング方法。 （もっと読む）

【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長
させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、
前記処理室内に、前記第２の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処
理ガスを供給する第２のガス供給工程と、
を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第２のガス供給工程とを少なくとも１回以上実施し、前記基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示装置の製造工程で用いられる、従来より薄いマスク装置のシャドーマスクを提供する。
【解決手段】基板６が真空処理装置１０内に搬入され、マスク装置１と基板６との位置合わせが行われる。マスク装置１は、枠体８と、枠体８上に配置される金属からなるテープ状のシャドーマスク２と、シャドーマスク２の一端を固定する固定装置３と、シャドーマスク２の他端部を水平方向から鉛直方向に変換する変換部材４と、他端に取り付けられた重り５とを有しており、重り５によってシャドーマスク２に張力が印加される。シャドーマスク２は、張力により弛まないので基板６との間に反応プラズマが入らない。従来より薄いシャドーマスク２によって、マスク装置１の周辺部分にある基板６表面も、より均一に成膜する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】耐久力が高く、コストの低い位置合わせ機能付き基板載置装置と、その基板載置装置を有する成膜装置を提供する。
【解決手段】載置台１２の四辺に貫通孔９を設け、貫通孔９内に筒部３と、筒部３に挿通した軸部４を配置する。軸部４の上端にフランジ部８を設けておき、筒部３と軸部４を上昇させて、載置台１２の上方に位置する基板２０をフランジ部８に乗せ、四辺のうちの二辺の軸部４を傾斜機構によって、他の二辺である位置決め辺の軸部４に向けて傾斜させ、基板２０を押圧して位置決め辺の軸部４の側面に接触させ、位置決めを行う。カメラやＸＹθステージが不要であり、精度よく位置合わせできる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は微細構造の作製方法に関する。
【解決手段】 先駆体流体が存在する中で基板全体にわたって集束粒子ビームを走査することによって、パターニングされたシード層が形成される。ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。当該方法の利点は、非常に薄い層しか堆積しなくて良いため、前記シード層を形成するのに要する時間が相対的に短くなることである。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の表面粗さＲｍｓは２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板に対して正確にマスクの位置合わせを行え、基板ホルダや周辺部への膜の付着を確実に防止することが可能なマスク位置合わせ装置を提供する。
【解決手段】支柱軸方向の各回転軸を中心に回転する複数の支柱１０３と、複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させる手段と、マスク７０１と基板Ｗの位置ずれ量を検出する手段とを具備する。また、複数の支柱１０３の上面部にそれぞれの支柱の回転軸から所定距離だけずらしてマスク７０１を支持する支持ピン１０１を配置する。そして、マスク７０１と基板Ｗとの位置ずれ量に基づき複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させることによりマスク７０１を基板Ｗに対して位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】 レーザＣＶＤ法による加工品質を保ちつつ、加工時間を短縮することができるレーザ加工方法及装置を提供すること。
【解決手段】 あらかじめ種々の欠陥形状に合わせたスリット形状を複数用意しておき、その形状で一括してレーザー光を照射して導電膜を形成する。断線部を修正する工程は、レーザ出力及び加工時間についての第１の条件で実行する工程および第２の条件で実行する工程からなり、第２の条件におけるレーザ出力は第１の条件におけるレーザ出力よりも低く、第２の条件における加工時間は第１の条件における加工時間よりも長い。 （もっと読む）