膜の選択的なエピタキシャル形成のための方法および装置であって、ＣＶＤチャンバ（３００）へ、反応種（１０、２０）を別々に注入する。本方法は特に、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の揮発性の組合せを用いた選択成長に有用である。形成プロセスは、選択成長のための前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の同時供給、または、周期的なブランケット堆積および選択的なエッチングの連続的な供給を含む。いずれに場合にも、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）は、より制限された上流の場所よりもむしろ、比較的開いた反応スペース（３４０）において交差する別々の流路に沿って提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の外周縁部分に被せられるマスクの正確な位置決めを行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１の処理容器１０内において、非プラズマ処理時にはステージ１２を待機位置に下降させ、プラズマ処理時にはステージ１２を処理位置に上昇させる昇降機構１４と、待機位置と処理位置の間において、基板Ｇの外周縁部分を覆うマスク３１を離脱自在に保持する保持部材３０と、ステージ１２上においてマスク３１を位置決めさせる位置決め機構を備え、マスク３１は、保持部材３０によって位置決めされず、かつ、水平方向に移動自在に保持され、ステージ１２が、待機位置から処理位置に上昇させられる際に、マスク３１が保持部材３０からステージ１２上に受け渡され、かつ、ステージ１２上においてマスク３１が位置決め機構により位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】基板への種付け処理方法、得られたダイヤモンド種付け基板上に、ダイヤモンド結晶成長を行ったダイヤモンド微細構造体及びその製造方法に関し、ダイヤモンドのエッチングプロセスを用いずに、ダイヤモンド成膜のみで微細構造体を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド微粒子の基板Ｐ１への種付け処理方法であって、ナノダイヤモンド微粒子を用いることにより、基板表面を酸素終端処理した基板表面のみ種付けが行われ、基板表面を水素終端処理した基板表面には、種付けが行われないことを特徴とする基板の特定箇所のみ種付けを行う基板への種付け処理方法、得られたダイヤモンド種付け基板上に、ダイヤモンド結晶成長を行ったダイヤモンド微細構造体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく安価にカーボンナノチューブからなる横方向の配線を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。第２の導電層１０７は、第１の導電層１０１とは間隔を開けて第１の導電層１０１と略平行に配置されており、カーボンナノチューブからなる。触媒層１０６は、第２の導電層１０７の側面に設けられ、カーボンナノチューブを形成するための触媒を含んでいる。導電体１０４は、第１の導電層１０１に対して垂直に配置され、第１の導電層１０１に電気的に接続されているとともに触媒層１０６を介して第２の導電層１０７に電気的に接続されている。 （もっと読む）

１つの実施形態は、単結晶膜を選択的に堆積するための方法を提供する。この方法は、第１の表面形態を有する第１の表面およびこの第１の表面形態とは異なる第２の表面形態を有する第２の表面を含む基体を準備する工程を含む。シリコン前駆体［１０８］およびＢＣｌ_３［１３４］は相互混合され、これにより供給ガスが形成される。この供給ガスは、化学気相成長条件［１２２］下でこの基体へ導入される。Ｓｉ含有層は、供給ガス［１２０］を導入することにより、第２の表面上に堆積することなく、第１の表面上に選択的に堆積される。 （もっと読む）

Ruの選択堆積を半導体デバイスの作製に統合することで、Cuメタライゼーションにおけるエレクトロマイグレーションとストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、熱化学気相成長法によって、Ru₃(CO)₁₂先駆体蒸気及びCOガスを有するプロセスガスを用いて、メタライゼーション層(302)上及びバルクCu(322)上にRu金属膜を選択的に堆積する工程を有する。1つ以上の選択的に堆積されたRu金属膜を有する半導体デバイスが記載されている。
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（ａ）基板を用意する工程、（ｂ）該基板に堆積阻害材料を適用する工程、該堆積阻害材料は、オルガノシロキサン化合物である；及び（ｃ）工程（ｂ）の後、又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された領域を提供する工程を含むパターン化薄膜を形成するための原子層堆積法。該薄膜は、該堆積阻害材料を有さない基板の選択された領域内だけに実質的に堆積される。
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基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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本発明の様々な実施形態が、基板及び処理ヘッドの相対移動を提供して、最小間隔でウェーハ全体にアクセスして、様々な基板領域に組合せ処理を誘導する。ヘッドは記載のチャンバ内で部分分離された処理を可能にし、同一物を用いる方法が記載される。 （もっと読む）

【課題】修正半透過膜の波長依存性を考慮した最適な透過率を設定する具体的な方法を提供する。
【課題を解決するための手段】多階調フォトマスクに使用される複数の露光波長を含む露光光源に対し、未修正半透過膜と修正半透過膜のそれぞれについて各波長のスペクトル強度比で加重平均した透過率の値が等しくなるように、修正半透過膜の膜厚を制御する。修正半透過膜の堆積には、光ＣＶＤ法などの膜厚を制御しながら局所的に堆積できる気相堆積法を用いることが好ましい。 （もっと読む）