【課題】低誘電率膜を基板上に堆積し、その膜を後処理する方法を提供する。
【解決手段】後処理には、低誘電率膜を所望の高温まで急速に加熱し、その所望の高温に膜が露出される時間が約５秒以内になるように急速に冷却することを含む。一態様において、後処理は低誘電率膜を電子ビーム処理及び/又は紫外線処理に露出することも含む。

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本発明に従った実施形態は、化学気相堆積された低誘電率材料の多段階硬化プロセスに関する。特定の実施形態では、電子ビーム放射および熱暴露ステップの組合せが、膜に組み込まれているポロゲンの選択的脱ガス化をコントロールするために採用されてもよく、ナノ細孔の形成をもたらす。一具体的な実施形態によると、シリコン含有成分と、不安定基を特徴付ける非シリコン含有成分との反応に起因する低誘電率層は、電子ビーム形態の放射印加が続く熱エネルギーの初期印加によって硬化されてもよい。 （もっと読む）

金属原子とシリコン原子を含む膜中の窒素濃度分布を容易に制御でき、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 基板３０上に金属原子とシリコン原子を含む膜を反応室４で成膜するステップと、前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、前記成膜ステップでは、少なくとも２段階でシリコン濃度を変化させて成膜するようにした。 （もっと読む）

処理容器内で成膜温度に加熱された半導体ウエハにＴｉＣｌ_４ガスおよびＮＨ_３ガスを供給してＣＶＤによりＴｉＮからなる膜を形成する第１ステップと、ＴｉＣｌ_４ガスを停止してＮＨ_３ガスを供給する第２ステップとからなるサイクルを１サイクル以上繰り返し、半導体ウエハ上に所定厚さのＴｉＮ膜を成膜するにあたり、成膜の際における半導体ウエハの温度を４５０℃未満とし、処理容器内の全圧を１００Ｐａ超とし、第１ステップにおける処理容器内のＮＨ_３ガスの分圧を３０ｐａ以下とする。 （もっと読む）

窒化シリコン層を形成する方法が記載される。本発明によれば、窒化シリコン層は、シリコンと窒素を含有するソースガス又はシリコン含有ソースガスと窒素含有ソースガスを低堆積温度（例えば、５５０℃未満）で熱分解して窒化シリコン層を形成することにより堆積される。その後、熱的に堆積した窒化シリコン層を水素ラジカルで処理して処理された窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善する方法を提供することである。
【解決手段】 堆積された誘電体膜上の現像後のフォトレジスト形状を改善するための方法と装置。この方法は、プラズマ増強化学蒸着プロセスを使用して基板上に、調整可能な光学的特性およびエッチング耐性特性を有するＴＥＲＡ膜を堆積させることと、プラズマプロセスを使用してＴＥＲＡ膜を後処理することとを包含する。この装置は、第１のＲＦ電源に結合された上部電極および第２のＲＦ電源に結合された基板ホルダを有するチャンバと、複数のプリカーサおよびプロセスガスを供給するシャワーヘッドとを含む。 （もっと読む）