【目的】 高品位な単結晶を生産性良く得ることができるとともに、高い製品歩留を確保することができる単結晶引上装置を提供すること。
【構成】 石英ルツボ３内のメルト１４Ａにポリシリコン１４Ａを連続的に供給しながら単結晶１７を育成させる単結晶引上装置１において、前記チャンバー２内の前記石英ルツボ３の上方にアッパーリング７を設置し、チャンバー２内上部から下方に延在するカーボン筒１０を前記アッパーリング７に上下動自在に貫通せしめる。本発明によれば、メルト１４Ａの表面からの輻射熱はアッパーリング７によって石英ルツボ３側に再反射され、アッパーリング７の断熱効果によってアッパーリング上方への伝達が遮断されるため、チャンバー２内のアッパーリング７より下方の空間が保温され、石英隔壁１２近傍や原料供給部におけるメルト１４Ａの固化が防がれて単結晶１７の育成速度ＳＥが高められる。 （もっと読む）