【課題】原料供給管の構造が簡素で、しかも原料供給速度を減速させ、ルツボの損傷や原料融液の液跳ねを抑制して、シリコン単結晶育成への悪影響等を回避できる原料供給装置およびその装置を用いた原料供給方法を提供する。
【解決手段】原料供給装置は、粒塊状の固形原料をルツボ１内の原料融液５に追加チャージまたはリチャージする装置であり、可搬式の原料供給ホッパー６と、原料供給管７と、投入する原料を原料供給管７の先端で一旦停止させた後、投入する機構とを具備する。投入する機構は、昇降可能に構成された停止物（円柱状シリコン８が望ましい）の表面と原料供給管７の先端開口部との接触部で投入原料が一旦停止され、その後停止物を徐々に上昇させて原料供給管７の先端開口部から原料がルツボ１内に投入されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に融液原料を供給するに際し、特別な加熱手段を設けることなく、また融液原料の液温が該原料の融点付近の比較的低い温度でも、融液原料の凝固を防止し、融液原料を少量ずつ連続的に供給することができる融液原料供給装置を提供する。
【解決手段】融解槽を有する副坩堝２と、副坩堝２の周囲に設けられる加熱手段８と、副坩堝２の融解槽に固体原料を供給する原料供給手段９とを含む融液原料供給装置１において、副坩堝２の融解槽と加熱手段８との間に空隙部３を形成し、この空隙部３を介して融解槽から溢れ出る融液原料５を多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に供給する。 （もっと読む）

【課題】追加供給した固形状原料の溶解時間を短縮する。
【解決手段】坩堝１内のシリコン塊を完全に溶融状態にした後に、原料供給部６の原料保持部６aに粒状のシリコン原料を充填して坩堝１内のシリコン融液２上に供給する。そして、塊状になってシリコン融液２の表面中央に浮遊するシリコン原料に、不活性ガス吹き付け部７によって不活性ガスを吹き付けて、上記塊状のシリコン原料を坩堝１の側壁に向かって分散させる。さらに、シリコン融液２の表面に不活性ガスを吹き付け続けてシリコン融液２の表面を揺らして山型状のシリコン原料を崩す。こうして、追加供給されたシリコン原料とシリコン融液２との接触面積を増加させて、追加供給したシリコン原料の溶解時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】融液面の固化割合の低い状態で固形状原料のルツボへの投入を可能にし、単結晶製造の生産性を向上させる固形状原料のリチャージ装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】固形状原料が充填される筒状のリチャージ管１と、リチャージ管１の下部外側に設けられ、リチャージ管１に対して摺動可能な構造となっている漏斗状外筒２と、漏斗状外筒２を吊り下げるワイヤ７を備え、漏斗状外筒２は下端に縮径傾斜部を有し、縮径傾斜部下端に固形状原料をルツボに供給するための開口部５が設けられ、リチャージ管１内部は分割板３によってリチャージ管１縦軸方向に複数に分割され、リチャージ管１下端中央には、漏斗状外筒の開口部５を塞ぐことが可能な拡径傾斜部を有する下端蓋４が設けられていることを特徴とする固形状原料のリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法。 （もっと読む）

【課題】リチャージ装置の原料容器２００の単結晶製造装置１００内での上下位置を任意に制御できるようにすることにより、単結晶の品質および生産性を向上させることを可能とするリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液１０５を貯留するルツボ１０１を有する単結晶製造装置１００に設けられ、前記ルツボ１０１に固形状原料１５５を供給するために固形状原料１５５が充填される筒状の原料容器２００を備える固形状原料１５５のリチャージ装置であって、筒状の原料容器２００を保持する独立して制御可能な２つの保持機構を有することを特徴とする固形状原料１５５のリチャージ装置。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン等の単結晶の製造において、１回のリチャージで供給できる固形状多結晶原料の総量を増やし、高い生産性を実現することが可能な単結晶製造装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１０１内面側に配置された輻射シールド１２５と、輻射シールド１２５内面側および上面側を覆う輻射シールドカバー３０１を有する単結晶製造装置１００において、リチャージ管２０１に充填された固形状多結晶原料１５５は、リチャージ管２０１下端外縁部とリチャージ管２０１下端に配置される底蓋２０３との隙間から、自重により輻射シールドカバー３０１上に落下し、輻射シールド３０１表面の傾斜を滑ることにより落下エネルギーが低下した状態で、結晶融液１０５を貯留する石英ルツボ１０１内に落下する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶の製造方法において、固形状原料とワイヤ間の摩擦を軽減し、単結晶製造における高い生産性と品質を実現することが可能なリチャージ装置を提供する。
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボ１０１に供給する固形状原料１５５を充填する筒状の原料容器２００と、筒状の原料容器２００の底蓋２０３中心に一端が固定される原料容器２００を吊り下げるワイヤ１２９とを有する固形状原料１５５のリチャージ装置であって、ワイヤ１２９が石英で形成される複数の楕円形状または略球状の玉４０１を貫通していることを特徴とする固形状原料１５５のリチャージ装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶製造装置において、結晶融液を貯留する石英ルツボに固形状原料を充填する固形状原料のリチャージ方法であって、融液固化に要する時間を制御することにより、クラウンの有転位化率を抑制し、かつ、単結晶中のカーボン不純物濃度を抑制することを可能にする固形状原料のリチャージ方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ内の融液面の固化が発生してから、融液面全面の８０％に相当する融液面が固化するまでの時間Ｙ分が、石英ルツボ内径をＸｍｍとするとき、０．００５６Ｘ＋０．６≦Ｙ≦０．１４４Ｘ＋５の関係を充足するようにヒーターのパワーを制御する。前記融液面全面の８０％に相当する融液面が固化した後、前記融液面の固化速度を上昇させ、前記融液面全面の９０％以上が固化した段階でヒータのパワーを上げながら前記石英ルツボに前記固形状原料を充填する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶製造装置において、リチャージ管の破損を防止し、よって単結晶の生産性を向上させることを可能とするリチャージ管およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボに固形状原料を充填するための固形状原料のリチャージ管の下半分３０１が上半分３０３より破壊靭性が大きい固形状原料のリチャージ管を用いてリチャージを行なう。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上後の原料シリコン充填工程において、原料シリコンの多量の充填が必要な場合に、作業時間を短縮して効率的に原料シリコンを充填することのできる単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３を収容する第一のチャンバ２と、第一のチャンバ２上に連結して設けられ、原料シリコンＬが装填された供給容器をセットするための第二のチャンバ１２と、第二のチャンバ１２内から第一のチャンバ２に移送されて第一のチャンバ２内に保持され、原料シリコンＬをルツボ３内に供給する第一の供給容器１３と、第二のチャンバ１２内から第一のチャンバ２内に移送されて第一の供給容器１３内に装着され、原料シリコンＬをルツボ３内に供給する第二の供給容器とを備える。 （もっと読む）