【課題】ルツボの変形や劣化を引き起こすことなく、安定して均一なシリコン融液を確実に形成することが可能なシリコン融液の溶融工程を有するシリコン単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】側面ヒータ１６による多結晶シリコン７ａの溶融の開始とともに、磁場発生装置３２を動作させて、石英ルツボ１２内に水平磁場を印加させる（溶融時磁場印加工程）。磁場発生装置３２による石英ルツボ１２内への磁場の印加は、溶融工程の開始時、あるいは数時間後に磁場を印加すればよい。 （もっと読む）

【課題】単結晶の製造に際し、供給管の先端部における粉末原料の溶融及び詰まりが生じ難く、従って育成速度に応じて粉末原料を円滑に供給でき、均一な組成の単結晶を容易に得ることを可能とする単結晶製造装置を得る。
【解決手段】粉末原料を供給する供給管９と、供給された粉末原料を溶融するためのルツボ５，６と、ルツボ５，６を囲むように設けられた高周波誘導加熱コイル３を含む高周波発生手段とを備え、供給管９の先端部９ａに切欠１０ａが設けられている、単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】ルツボへの装填率を向上させることができ、また多結晶シリコンが偏りなく溶解が進行し、溶解に要する時間を短縮することができるシリコン単結晶原料の溶解方法を提供する。
【解決手段】断面矩形状または断面円形の柱状の多結晶シリコン３の軸線が、水平かつルツボ径方向に向くようにルツボ１内に配置し、かつ前記柱状の多結晶シリコン３を複数配置して、柱状の多結晶シリコン３の配置形状を十字状または放射状になし、前記多結晶シリコンを溶解する。 （もっと読む）

【課題】窒素を１×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上４．５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³未満の割合でドープしたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１３に貯留された窒素を含むシリコン融液１２からシリコン単結晶２９を引上げる際に、シリコン融液１２中に、窒素を含まないシリコン原料２３を単結晶の成長量に相応して石英るつぼに貯留されたシリコン融液の液面位置が一定に保たれるように供給しながら単結晶を引上げる。 （もっと読む）

【課題】多結晶原料の追加供給（リチャージ）を安全かつ迅速に行うことができ、リチャージ溶融中に石英ルツボにダメージを与えることもなく、シリコン単結晶の生産性、歩留りを向上することができる、多結晶原料のリチャージ冶具および多結晶原料のリチャージ方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶の製造においてロッド状の多結晶原料を溶融する際に用いるリチャージ冶具であって、少なくとも、該ロッド状多結晶原料を支持する底体２と、該底体２の上部に連結する支持体１と、該支持体１に取り付けられた吊下げ部材３とからなり、前記ロッド状多結晶原料を装填し、前記吊下げ部材３で吊り下げられて単結晶製造装置内に導入され、石英ルツボ内の原料融液中に前記ロッド状多結晶原料とともに浸漬しながら、前記ロッド状多結晶原料を溶融するものであることを特徴とする多結晶原料のリチャージ冶具。 （もっと読む）

【課題】結晶汚染を生ずることのない固形原料を円周方向で均等に、かつ多量に投入することができる原料供給装置および供給方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の育成に用いられ、追加チャージまたはリチャージする原料供給装置であって、前記固形原料を充填する円筒状の原料供給管と、前記原料供給管の下方開口端に脱着可能に装着される円錐状の底蓋と、前記原料供給管の内部を保護管で被覆されつつ貫通し前記底蓋に連結され、底蓋の下降並びに原料供給管および底蓋の上昇を可能とする金属製支持部材と、前記原料供給管の下降を停止させる掛止部材と、前記金属製支持部材を介して前記原料供給管および底蓋を吊り下げて昇降可能にする引き上げ手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶の製造に際して半導体材料溶融液に半導体材料を補充するために追加装入される半導体材料の溶融状態を予測する溶融状態予測方法において、生産量の増加、生産時間の短縮化、原料の変更などによって生産計画が大幅に変更される場合であっても、追加装入される半導体材料の溶融状態を短時間でかつ容易に予測するとともに半導体材料溶融液の表面温度を適温に設定できる溶融状態予測方法を提供する。
【解決手段】 半導体材料の追加装入量（ｍ）、溶融時間（ｔ）および温度差（θ）のうちから選択される２つの値を入力する手順（ｓ１）と、下記式によって残余の１つの値を計算し出力する手順（ｓ２）とによって半導体材料の溶融状態を予測することができる。
ｔ＝α（ｍ^２／３）／θ
（ただし、αは比例定数） （もっと読む）

溶融装置アセンブリは、溶融したソース材料の装入材料を、結晶性の物体の製造に使用する結晶製造装置に供給する。溶融装置アセンブリは、ハウジングと、該ハウジングの中に配置されたルツボを有している。該ルツボの中に入れられた固体ソース材料を溶融させるために、ルツボに対してヒータが配置されている。ルツボが溶融したソース材料の流れを制御するためのノズルを有していることによって、溶融したソース材料の特定の流れを選択された流量で結晶製造装置へ供給することができる。結晶製造装置に溶融したソース材料を装入する方法、および１つの溶融装置アセンブリによって複数の結晶製造装置へ供給する方法を提供する。
（もっと読む）

【課題】 容易に所望の組成の結晶を得ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 結晶の溶液４より結晶１３を成長させる方法であって、成長させる結晶１３の少なくとも１つの構成元素からなる成分溶液６を超音波によって該結晶溶液４へ供給しながら、該結晶溶液４より結晶１３を成長させることを特徴とする方法。超音波振動の出力を変えることで結晶溶液に供給される成分溶液の量を変えることができ、組成を変えることができる。 （もっと読む）

【目的】 ＣＺ法による半導体単結晶の製造において、特に大径の半導体単結晶引き上げのためのリチャージまたは追チャージに当たり、安価で、生産性のよい供給素材を提供する。
【構成】 リチャージ法、追チャージ法において一般的に使用されている通常の太さの多結晶シリコンロッド（以下ロッド材という）１，２の端部にそれぞれ環状の溝１ａ，２ａを設ける。連結部材３は断面がコの字状で、シリコンからなる。ロッド材１，２の端部を当接し、前記溝１ａ，２ａに跨がって複数個の連結部材３の凸部を嵌着することにより、前記ロッド材１，２を長手方向に連結する。ロッド材１，２のそれぞれの長さは任意でよいが、連結された供給素材の重量、すなわち複数のロッド材と連結部材との合計重量が溶解すべき多結晶シリコンの重量と釣支部分の重量との和以上になるように、供給素材の全長を調整する。 （もっと読む）